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    고온 오존처리를 포함하는 나노기공 초저유전 박막의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 나노기공 초저유전 박막
    21.
    发明公开
    고온 오존처리를 포함하는 나노기공 초저유전 박막의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 나노기공 초저유전 박막 有权
    制备纳米超低介电膜的方法，包括高温臭氧处理和制备的纳米超低介电膜

    公开(公告)号：KR1020110093669A

    公开(公告)日：2011-08-18

    申请号：KR1020110011397

    申请日：2011-02-09

    Applicant: 서강대학교산학협력단

    Inventor： 이희우 ,  신보라 ,  최규윤 ,  김범석

    IPC: H01L21/31 ,  C08J5/18 ,  C08J7/04

    CPC classification number: H01L21/02123 ,  B32B5/00 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1279 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02337 ,  Y10T428/249953

    Abstract: PURPOSE: A method for preparing nanoporous ultra low dielectric film including high temperature ozone treatment, and nanoporous ultra low dielectric film prepared thereby are provided to low dielectric constant and high mechanical strength by ozone-pressing the nanoporous ultra low dielectric film under high temperature. CONSTITUTION: In a method for preparing nanoporous ultra low dielectric film including high temperature ozone treatment, and nanoporous ultra low dielectric film prepared thereby, an organosilicate matrix - contain solution and a reactivity porogen- contain solution are mixed to form a mixed solution(S100). The mixed solution is coated on a base substrate to form a thin film(S200). The thin film is processed by heat treatment while being ozone processed(S300). - An ozone treatment is performed under 100°C - 250°C.

    Abstract translation: 目的：通过在高温下对纳米多孔超低介电膜进行臭氧压制，提供了一种制备包括高温臭氧处理的纳米多孔超低电介质膜和由此制备的纳米多孔超低电介质膜的方法，具有低介电常数和高机械强度。 构成：在制备包括高温臭氧处理的纳米多孔超低电介质膜和由此制备的纳米多孔超低电介质膜的方法中，混合含有有机硅酸盐基质的溶液和含活性孔隙剂的溶液以形成混合溶液（S100） 。 将混合溶液涂布在基底基板上以形成薄膜（S200）。 在进行臭氧处理的同时，通过热处理来处理薄膜（S300）。 - 在100℃-250℃下进行臭氧处理。

    초저유전막의 제조방법
    22.
    发明公开
    초저유전막의 제조방법 有权
    制备超导介质膜的方法及其超导介电膜

    公开(公告)号：KR1020100125173A

    公开(公告)日：2010-11-30

    申请号：KR1020100022665

    申请日：2010-03-15

    Applicant: 서강대학교산학협력단

    Inventor： 이희우 ,  최현상 ,  민성규 ,  김범석 ,  신보라

    IPC: H01B3/18 ,  H01B3/02 ,  C09D183/00

    CPC classification number: C09D183/04 ,  C08G77/045 ,  H01B3/00 ,  H01B3/46 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/31663 ,  C08K5/5419

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of an ultra-low-dielectric membrane, and the ultra-low-dielectric membrane are provided to offer the extremely low dielectric rate, and to provide nano-sized close pores. CONSTITUTION: A manufacturing method of an ultra-low-dielectric membrane comprises the following steps: forming a mixed solution by adding a compound marked with chemical formula 1: R1OCH2[CH(OR2)]nCH2OR3, and a poly alkylsilsesquioxan copolymer to an organic solvent; coating the mixed solution to a substrate, to form a thin film; heating the thin film to 200~300 deg C: heat-processing the thin film after heating into 350~500deg C; and irradiating ultraviolet rays while heat-processing for 5~30 minutes.

    Abstract translation: 目的：提供超低电介质膜的制造方法和超低电介质膜，以提供极低的介电率，并提供纳米尺寸的近孔。 构成：超低电介质膜的制造方法包括以下步骤：通过将化学式1：R1OCH2 [CH（OR2）] nCH2OR3和聚烷基硅倍半氧烷共聚物加入有机溶剂中形成混合溶液 ; 将混合溶液涂布到基材上，形成薄膜; 将薄膜加热至200〜300℃：加热后加热至350〜500℃; 并在热处理5〜30分钟的同时照射紫外线。

    비환형 유기 폴리올을 이용한 반응형 기공형성제와 이를이용하여 제조된 초저유전막
    23.
    发明授权
    비환형 유기 폴리올을 이용한 반응형 기공형성제와 이를이용하여 제조된 초저유전막 有权
    基于有机非环多元醇的反应性致孔剂和使用它制备的超低介电材料

    公开(公告)号：KR100672905B1

    公开(公告)日：2007-01-22

    申请号：KR1020050039490

    申请日：2005-05-11

    Applicant: 서강대학교산학협력단

    Inventor： 이희우 ,  문봉진 ,  윤도영 ,  김현정 ,  민성규 ,  이태훈 ,  안건우

    IPC: C07F7/02

    Abstract: 본 발명은 비환형 유기 폴리올을 이용한 반응형 기공형성제와 이를 이용하여 제조된 초저유전막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 비환형 유기 폴리올 화합물이 350 ℃ 내지 500 ℃의 온도에서 완전 열분해되는 특성을 가지므로, 상기한 비환형 유기 폴리올 화합물의 말단 하이드록시기를 알킬알콕시실란의 반응성기로 전환하여 반응형 기공형성제로 사용하게 되면 유기실리케이트 매트릭스와 졸-젤 반응 및 고온 열처리하여 카본 잔류물(carbon residue)을 거의 남기지 않으면서도 균일한 크기의 기공형성이 가능함은 물론 기공률 대비 기계적 물성이 우수한 초저유전막을 형성하게 되는 신규의 비환형 유기 폴리올을 이용한 반응형 기공형성제와 이를 이용하여 제조된 초저유전막에 관한 것이다.
    반응형 기공형성수지, 비환형 폴리올 유기물질, 펜타에리쓰리톨 유도체, 에리쓰리톨 유도체, 알릴레이션 및 하이드로실릴레이션 반응, 초저유전막, 유전율, 기계적 물성, 기공크기

    프로톤 주게와 프로톤 받게를 갖는 다면체 올리고머형 실세스퀴옥산을 포함하는 불소계 나노 복합막 및 이의 제조방법
    24.
    发明授权
    프로톤 주게와 프로톤 받게를 갖는 다면체 올리고머형 실세스퀴옥산을 포함하는 불소계 나노 복합막 및 이의 제조방법 有权
    用于制备氟化纳米复合材料膜多面体低聚型室倍半过程及其与质子供体和质子配件含有二恶烷

    公开(公告)号：KR101773246B1

    公开(公告)日：2017-09-01

    申请号：KR1020150032323

    申请日：2015-03-09

    Applicant: 서강대학교산학협력단

    Inventor： 이희우 ,  김상우 ,  윤태웅

    IPC: H01M8/10

    CPC classification number: Y02E60/523

    Abstract: 본발명은프로톤주게(proton donor)를갖는폴리헤드럴올리고메릭실세스퀴옥산(POSS)과프로톤받게(proton acceptor)를갖는폴리헤드럴올리고메릭실세스퀴옥산(POSS)이불소계양성자전도성고분자막에도입된양성자전도성나노복합막및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의나노복합막에는양성자주게를갖는 POSS와양성자받게를갖는 POSS가함께첨가되어있어발생된양성자(양이온)가이온채널내에서쉽게호핑(hopping)되어이온전도도가증가된다. 또한, 본발명에사용된 POSS는그 크기가매우작아고분자막내 이온채널에서양성자의이동을거의방해하지않으므로우수한양성자전도도를구현할수 있다.

    Abstract translation: 具有供体质子（质子供体）甲氧基药剂倍半硅氧烷（POSS）和质子的本发明寡桶多面体接收甲氧药剂倍半硅氧烷（POSS）被套小计质子传导聚合物膜具有多面体寡核苷酸桶（质子受体） 质子传导纳米复合膜及其制造方法技术领域本发明涉及质子传导纳米复合膜及其制造方法。 根据本发明的纳米复合材料薄膜，有与所述配件具有质子和具有该产生的质子（阳离子）的质子供体POSS POSS容易地跳跃（跳跃）在离子通道增加离子电导率一起加入。 另外，本发明中使用的POSS neungeu的尺寸小很少阻碍质子的移动在聚合物膜的离子通道可以实现优异的质子传导性。

    재가 남지 않는 환형 유기 폴리올 및 이를 이용한 반응형 기공형성제, 이를 이용하여 제조된 초저유전박막
    25.
    发明公开
    재가 남지 않는 환형 유기 폴리올 및 이를 이용한 반응형 기공형성제, 이를 이용하여 제조된 초저유전박막 有权
    无自由循环有机多元醇，无自由循环有机多元醇的反应性原子，以及使用其的纳米超低介电膜

    公开(公告)号：KR1020160105345A

    公开(公告)日：2016-09-06

    申请号：KR1020160023501

    申请日：2016-02-26

    Applicant: 서강대학교산학협력단

    Inventor： 이희우 ,  조성민

    IPC: C07F7/08 ,  H01L21/205 ,  B05D3/02 ,  C09D183/04 ,  C09D7/12

    CPC classification number: C07F7/1836 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L23/5329

    Abstract: 환형의유기폴리올을이용한반응형기공형성제와이를이용하여제조된초저유전박막에관한것으로서, 더욱자세하게는 500℃이내의온도에서완전히열분해되는특성을갖는환형의유기폴리올화합물로, 상기환형의유기화합물의말단하이드록시기를알킬알콕시실란의반응성기로치환하여반응형기공형성제로사용하면열처리시 탄소잔여물을남기지않으면서도유기실리케이트의졸-겔반응에참여하여상분리를억제함으로써균일한크기의기공형성이가능하므로기공률대비기계적물성이우수한초저유전박막을형성하게되는신규의환형유기폴리올및 상기재가남지않는환형유기폴리올을이용한반응형기공형성제및 이를이용하여제조된초저유전박막에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及使用环状有机多元醇的反应性致孔剂和使用其制备的超低电介质膜，更具体地说，涉及一种新型的环状有机多元醇，它是一种环状有机多元醇化合物，其可以在 如果环状有机化合物的端羟基被烷基烷氧基硅烷的官能团取代并用作反应性致孔剂，则在热处理期间不会残留碳残余物，并且参与有机硅酸盐的溶胶 - 凝胶反应 并抑制相分离，从而形成具有均匀尺寸的孔，并且相对于孔隙率具有优异的机械性能; 使用无灰循环有机多元醇的反应性致孔剂; 和使用其制备的超低电介质膜。

    양자점으로 도핑된 고분자 전해질 및 이를 이용한 염료감응형 태양전지
    28.
    发明公开
    양자점으로 도핑된 고분자 전해질 및 이를 이용한 염료감응형 태양전지 有权
    聚合物电解质与量子点和透明度敏感的太阳能电池

    公开(公告)号：KR1020110044089A

    公开(公告)日：2011-04-28

    申请号：KR1020090100911

    申请日：2009-10-22

    Applicant: 서강대학교산학협력단

    Inventor： 이희우 ,  김강욱 ,  싱프라모드쿠마

    IPC: H01L31/04

    CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02P70/521 ,  H01G9/2018 ,  H01G9/2027 ,  Y10S977/774

    Abstract: PURPOSE: A polymer electrolyte doped with a quantum dot and dye-sensitized solar battery using the same are provided to apply a gel type or solid type polymer electrolyte doped with a quantum dot as an electrolyte of the dye-sensitized solar battery, thereby increasing the photoelectric efficiency of a solar battery. CONSTITUTION: A metal oxide semiconductor layer(14) is formed on a first substrate(12). An optical electrode(10) includes a dye absorbed in the metal oxide semiconductor layer. A counterpart electrode(20) includes a second conductive substrate(22) and the metal layer(24) of the second conductive substrate. A polymer electrolyte(52) doped with a quantum dot is interposed between the optical electrode and the counter electrode. The polymer electrolyte doped with the quantum dot is in gel solid form.

    Abstract translation: 目的：提供掺杂有量子点的聚合物电解质和使用其的染料敏化太阳能电池，以施加掺杂有量子点的凝胶型或固体型聚合物电解质作为染料敏化太阳能电池的电解质，从而增加 太阳能电池的光电效率。 构成：在第一基板（12）上形成金属氧化物半导体层（14）。 光电极（10）包括吸收在金属氧化物半导体层中的染料。 对置电极（20）包括第二导电衬底（22）和第二导电衬底的金属层（24）。 掺杂有量子点的聚合物电解质（52）介于光电极和对电极之间。 掺杂量子点的聚合物电解质是凝胶固体形式。

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