公开(公告)号：DE102013200215A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：DE102013200215

申请日：2013-01-10

Applicant: IBM

Inventor： CANDRA PANGLIJEN ,  DUNBAR THOMAS J ,  JAFFE MARK D ,  STAMPER ANTHONY K ,  WOLF RANDY L ,  GAMBINO JEFFREY P ,  ADKISSON JAMES W

IPC: H03H9/64 ,  H01L41/08 ,  H03H3/08

Abstract: Hierin werden schaltbare und/oder abstimmbare Filter, Herstellungsverfahren und Entwurfsstrukturen offenbart. Das Verfahren zum Bilden der Filter schließt das Bilden mindestens einer piezoelektrischen Filterstruktur ein, die eine Vielzahl von Elektroden aufweist, die auf einem piezoelektrischen Substrat gebildet sind. Das Verfahren schließt außerdem das Bilden einer feststehenden Elektrode mit einer Vielzahl von Fingern auf dem piezoelektrischen Substrat ein. Das Verfahren schließt zudem das Bilden einer beweglichen Elektrode mit einer Vielzahl von Fingern über dem piezoelektrischen Substrat ein. Das Verfahren schließt außerdem das Bilden von Betätigungselementen ein, die mit einem oder mehreren von der Vielzahl von Fingern der beweglichen Elektrode ausgerichtet sind.

公开(公告)号：CA2719681A1

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：CA2719681

申请日：2009-05-05

Applicant: IBM

Inventor： ADKISSON JAMES W ,  ELLIS-MONAGHAN JOHN J ,  GAMBINO JEFFREY P ,  MUSANTE CHARLES F

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/0236

Abstract: Protuberances (5), having vertical (h) and lateral (p) dimensions less than the wavelength range of lights detectable by a photodiode (8), are formed at an optical interface between two layers having different refractive indices. The protuberances may be formed by employing self-assembling block copolymers that form an array of sub lithographic features of a first polymeric block component (112) within a matrix of a second polymeric block component (111). The pattern of the polymeric block component is transferred into a first optical layer (4) to form an array of nanoscale protuberances. Alternately, conventional lithography may be employed to form protuberances having dimensions less than the wavelength of light. A second optical layer is formed directly on the protuberances of the first optical layer. The interface between the first and second optical layers has a graded refractive index, and provides high transmission of light with little reflection.

公开(公告)号：DE102012223979B4

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：DE102012223979

申请日：2012-12-20

Applicant: IBM

Inventor： ADKISSON JAMES W ,  CANDRA PANGLIJEN ,  DUNBAR THOMAS J ,  GAMBINO JEFFREY P ,  JAFFE MARK D ,  STAMPER ANTHONY K ,  WOLF RANDY L

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L41/04 ,  H03H9/25

Abstract: Elektrisches Filter, aufweisend mindestens eine piezoelektrische Filterstruktur (5, 5'), umfassend eine Vielzahl von Elektroden (14, 16), die auf einem piezoelektrischen Substrat (10) gebildet sind und eine rechtwinklig zu der Vielzahl von Elektroden (14, 16) angeordnete bewegliche Balkenstruktur (26, 26a, 26b, 26c, 26d), die über der mindestens einen Filterstruktur (5, 5') angeordnet ist und strukturiert ist, um bei Betätigung ausgelenkt zu werden und so die mindestens eine Filterstruktur (5, 5') kurzzuschließen, indem die Balkenstruktur (26, 26a, 26b, 26c, 26d) mit mindestens zwei Elektroden der Vielzahl von Elektroden (14, 16) in Kontakt kommt.

公开(公告)号：DE112010003704B4

公开(公告)日：2015-10-22

申请号：DE112010003704

申请日：2010-09-02

Applicant: IBM

Inventor： ADKISSON JAMES W ,  ELLIS-MONAGHAN JOHN ,  JAFFE MARK ,  RASSEL RICHARD J

IPC: H01L27/146 ,  G06F17/50

Abstract: Pixelsensorzelle, welche das Folgende umfasst: einen Photodiodenkörper in einer ersten Zone einer Halbleiterschicht; einen schwebenden Diffusionsknoten in einer zweiten Zone der Halbleiterschicht, wobei eine dritte Zone der Halbleiterschicht zwischen der ersten und zweiten Zone angeordnet ist und an diese angrenzt; eine dielektrische Isolierung in der Halbleiterschicht, wobei die dielektrische Isolierung die erste, zweite und dritte Zone umgibt, die dielektrische Isolierung an die erste, zweite und dritte Zone und den Photodiodenkörper angrenzt und die dielektrische Isolierung nicht an den schwebenden Diffusionsknoten angrenzt, wobei Abschnitte der zweiten Zone zwischen der dielektrischen Isolierung und dem schwebenden Diffusionsknoten angeordnet sind; und eine vergrabene Elektronenabschirmung in der zweiten Zone, wobei die vergrabene Elektronenabschirmung an die dielektrische Isolierung in der zweiten Zone und eine untere Fläche des schwebenden Diffusionsknotens angrenzt, wobei sich die vergrabene Elektronenabschirmung nicht bis zu einer oberen Fläche der Halbleiterschicht erstreckt, wobei Abschnitte der zweiten Zone zwischen der vergrabenen Elektronenabschirmung und der oberen Fläche der Halbleiterschicht angeordnet sind.

公开(公告)号：DE102012223979A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：DE102012223979

申请日：2012-12-20

Applicant: IBM

Inventor： ADKISSON JAMES W ,  CANDRA PANGLIJEN ,  DUNBAR THOMAS J ,  GAMBINO JEFFREY P ,  JAFFE MARK D ,  STAMPER ANTHONY K ,  WOLF RANDY L

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L41/04 ,  H03H9/25

Abstract: Hierin werden schaltbare und/oder abstimmbare Filter, Herstellungsverfahren und Entwurfsstrukturen offenbart. Das Verfahren zum Bilden der Filter schließt das Bilden mindestens einer piezoelektrischen Filterstruktur ein, die eine Vielzahl von Elektroden aufweist, die auf einem piezoelektrischen Substrat gebildet sind. Das Verfahren schließt außerdem das Bilden einer mikro-elektromechanischen Struktur (MEMS) ein, die einen MEMS-Balken aufweist, der über dem piezoelektrischen Substrat und an einer Stelle angeordnet ist, an welcher der MEMS-Balken bei Betätigung die piezoelektrische Filterstruktur kurzschließt, indem er mit mindestens einer der Vielzahl von Elektroden in Kontakt kommt.