公开(公告)号：DE102007063829B3

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：DE102007063829

申请日：2007-08-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ALVAREZ DAVID ,  RUSS CHRISTIAN

IPC: H01L23/60

Abstract: ESD-Schutzanordnung mit:einem planaren MOS-Transistor (100), der ein Gate-Gebiet mit einem Gate (104), ein Drain-Gebiet (102) und ein Source-Gebiet (108) umfasst;einem vor ESD zu schützenden Knoten, der elektrisch mit dem Drain-Gebiet (102) verbunden ist;einer internen parasitären Drain-Gate-Kapazität (112); undeiner Diode (141; 147), die direkt mit dem Gate (104) und dem Source-Gebiet (108) verbunden ist, wobei die Diode (141; 147) in Sperrrichtung betrieben wird, wenn der MOS-Transistor in dem aktiven Arbeitsbereich ist, wobeidie Diode (141; 147) eine Polysiliziumdiode umfasst, die in das Gate-Gebiet der MOS-Anordnung (100) eingebettet ist.

公开(公告)号：DE102009049774A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：DE102009049774

申请日：2009-06-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUSS CHRISTIAN ,  PACHA CHRISTIAN ,  JENEI SNEZANA ,  SCHRUEFER KLAUS

IPC: H01L21/8249 ,  H01L21/84 ,  H01L23/60 ,  H01L27/06 ,  H01L27/082 ,  H01L27/085 ,  H01L27/12

Abstract: Ausführungsformen betreffen eine BiCMOS-Schaltungsanordnung, welche mindestens zwei Schaltungsstufen aufweist, wobei eine erste Schaltungsstufe von den mindestens zwei Schaltungsstufen mit einem Eingangsanschluss der Schaltungsanordnung elektrisch gekoppelt ist, wobei eine zweite Schaltungsstufe von den mindestens zwei Schaltungsstufen mit einem Ausgangsanschluss der Schaltungsanordnung elektrisch gekoppelt ist, wobei eine Schaltungsstufe von der ersten Schaltungsstufe und der zweiten Schaltungsstufe ein erstes SEG-Bipolarbauelement aufweist, und wobei die jeweils andere Schaltungsstufe der ersten Schaltungsstufe und der zweiten Schaltungsstufe ein zweites SEG-Bipolarbauelement oder ein MOS-Bauelement aufweist.

公开(公告)号：DE102007054058A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：DE102007054058

申请日：2007-11-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GOSSNER HARALD ,  RUSS CHRISTIAN ,  SCHNEIDER JENS ,  SCHULZ THOMAS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

公开(公告)号：DE102006022126A1

公开(公告)日：2007-11-15

申请号：DE102006022126

申请日：2006-05-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GOSSNER HARALD ,  SCHULZ THOMAS ,  RUSS CHRISTIAN ,  KNOBLINGER GERHARD

IPC: H01L21/332 ,  H01L21/336 ,  H01L23/62 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78

Abstract: The method involves forming doped connection regions (502, 503) on and/or over a substrate. Body regions (504, 505) are formed between the doped connection regions. Two separate gate regions are formed on and/or over the body regions, and a portion of the body regions is doped by introducing dopant atoms. The introduction of the dopant atoms into the portion of the body regions is carried out through an intermediate region formed between the separate gate regions. Independent claims are also included for the following: (1) a drain extended MOS field-effect transistor comprising two doped connection regions (2) an electronic component arrangement comprising drain extended MOS field-effect transistors.

公开(公告)号：DE102006022105A1

公开(公告)日：2007-11-15

申请号：DE102006022105

申请日：2006-05-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GOSSNER HARALD ,  RUSS CHRISTIAN

IPC: H01L23/60

Abstract: An ESD protection element may include: a fin structure including a first connection region having a first conductivity type, a second connection region having a second conductivity type, first and second body regions formed between the connection regions, the first body region having the second conductivity type and formed adjacent to the first connection region, the second body region having the first conductivity type and formed adjacent to the second connection region, the body regions having a lower dopant concentration than the connection regions, a diffusion region formed between the body regions and having substantially the same dopant concentration as at least one of the first and second connection regions; a gate region on or above the first body region or the second body region; a gate control device electrically coupled to the gate region and configured to control at least one electrical potential applied to the gate region.

公开(公告)号：DE102007054058B4

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：DE102007054058

申请日：2007-11-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GOSSNER HARALD ,  RUSS CHRISTIAN ,  SCHNEIDER JENS ,  SCHULZ THOMAS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L23/367

Abstract: Halbleiter (10), umfassend: – eine Source-Zone (16); – eine Drain-Zone (12); – eine Anordnung von Finnen (18), die mit einer Gate-Zone (22) operativ gekoppelt sind, welche dazu ausgebildet ist, den Stromfluss durch die Finnen (18) zwischen der Source-Zone (16) und der Drain-Zone (12) zu steuern, und – mindestens ein Kühlelement (30; 40), das wenigstens zum Teil aus einem Material geformt ist, das eine Wärmekapazität hat, die größer ist als die Wärmekapazität des Materials der Source-Zone, der Drain-Zone und der Anordnung von Finnen, wobei das Kühlelement sich in nächster Nähe zu den Finnen (18) der Firmenanordnung befindet und von den Finnen (18), der Source-Zone (16), der Drain-Zone (12) und der Gate-Zone (22) elektrisch isoliert ist und wobei das mindestens eine Kühlelement (30; 40) ein Balken- bzw. Stabkontakt (30; 40) ist, der sich quer zu und oberhalb von wenigstens zwei Firmen (18) der Finnenanordnung befindet.

公开(公告)号：DE102010000355A1

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：DE102010000355

申请日：2010-02-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GOSSNER HARALD ,  RAO RAMGOPAL ,  RUSS CHRISTIAN ,  BAGHINI MARYAM SHOJAEI ,  SHRIVASTAVA MAYANK

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/08

Abstract: Bauelement (100), aufweisend: einen ersten Bauelementbereich (102) mit einem dotierten ersten Gebiet (106), einem dotierten zweiten Gebiet (108) und einem dotierten dritten Gebiet (110), wobei der erste Bauelementbereich (102) eingerichtet ist, als ein Bipolarbauelementbereich zu arbeiten; und einen zweiten Bauelementbereich (104) mit einem dotierten ersten Gebiet (112), einem dotierten zweiten Gebiet (114) und einem dotierten dritten Gebiet (116), wobei der zweite Bauelementbereich (104) als ein Feldeffekttransistor-Bauelementbereich (104) eingerichtet ist, wobei das dritte Gebiet (116) des zweiten Bauelementbereichs (104) an das zweite Gebiet (108) des ersten Bauelementbereichs (102) gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102009045793A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：DE102009045793

申请日：2009-10-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUSS CHRISTIAN

IPC: H01L23/60 ,  H05F3/00

Abstract: Es werden Klemmbauelemente für elektrostatische Entladung beschrieben. Bei einer Ausführungsform enthält ein Halbleiterbauelement (100) einen ersten Transistor (101), wobei der erste Transistor eine erste Source-/Drainelektrode und eine zweite Source-/Drainelektrode enthält, wobei die erste Source-/Drainelektrode an einen ersten Potentialknoten (VDD) gekoppelt ist und wobei die zweite Source-/Drainelektrode an einen zweiten Potentialknoten (VSS) gekoppelt ist. Das Bauelement (100) enthält weiterhin einen ODER-Logikblock (42), wobei ein erster Eingang des ODER-Logikblocks (42) an den ersten Potentialknoten (VDD) durch einen Kondensator (20) gekoppelt ist, wobei der erste Eingang des ODER-Logikblocks (42) an das zweite Potential (VSS) mittels eines Widerstands (10) gekoppelt ist und wobei ein zweiter Eingang des ODER-Logikblocks (42) an einen Substraterfassungsknoten des ersten Transistors (101) gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102009007102A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：DE102009007102

申请日：2009-02-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEHMANN GUNTHER ,  RUSS CHRISTIAN ,  UNGAR FRANZ

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/20

公开(公告)号：DE102008038552A1

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：DE102008038552

申请日：2008-08-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JENEI SNEZANA ,  PACHA CHRISTIAN ,  RUSS CHRISTIAN ,  SCHRUEFER KLAUS

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329

Abstract: Some embodiments relate to an apparatus that exhibits vertical diode activity to occur between a semiconductive body and an epitaxial film that is disposed over a doping region of the semiconductive body. Some embodiments include an apparatus that causes both vertical and lateral diode activity. Some embodiments include a gated vertical diode for a finned semiconductor apparatus. Process embodiments include the formation of vertical-diode apparatus.