Abstract:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a short set-up time, in particular, to reduce generated clock edge-to-output signal delay. SOLUTION: The present invention relates to a pulsed static flip-flop 1 for storing a logic state of a logic signal (/D1), the flip-flop having a first logic circuit 6 which logically combines the logic signal (/D1) with a pulsed signal (PULSE) and outputs a set signal (/SET), a second logic circuit 7 which logically combines a logic input signal (/D) with a complementary pulsed signal (/PULSE) and outputs a reset signal (/RES), and a latch device 14 having a storage means 17, 18, 19 which holds a logic hold level, the hold level being controlled by the set signal (/SET), and the hold level being tapped off as a stored logic state of the logic signal (/D1). COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
Abstract:
Disclosed is an integrated circuit arrangement (140), among others, comprising a preferably planar transistor (142) and a capacitor (144). The lower electrode of the capacitor (144) is disposed within an SOl substrate along with a channel section of the transistor (142). The inventive circuit arrangement (140) is easy to produce and has excellent electronic properties.
Abstract:
A clock transistor and a second operating potential functioning as a circuit breaker, are mounted between the outlet of an NMOS logic circuit.
Abstract:
Disclosed is an integrated circuit arrangement (120), among others, comprising a transistor (122), preferably a FinFET, and a capacitor (124). The lower electrode of the capacitor (124) is disposed within an SOl substrate along with a channel section of the transistor (122). The inventive circuit arrangement (120) is easy to produce and has excellent electronic properties.
Abstract:
A circuit-arrangement has a SRAM-memory cell, a temporary memory circuit, first and second non-volatile memory cells (105,106) coupled to first and second memory nodes (102,103) respectively such that, in a first operational state, a first electrical potential is available at one of the nodes and a second potential is available at the other node and, in a second operational state, the first memory node is placed at the electrical potential at which it was placed in the first operational state and the second memory node is placed at the electrical potential at which it was placed in the first operational state, by utilizing the physical state of the first and of the second non-volatile memory cells (105,106), respectively. An Independent claim is given for a method of running a circuit-arrangement
Abstract:
Gepulstes statisches Flip-Flop (1) zum Speichern eines Logikzustandes eines Logiksignals (/D1) mit: a) einer ersten Logikeinrichtung (6), welche das Logiksignal (/D1) mit einem Pulssignal (PULSE) logisch verknüpft und ein Setzsignal (/SET) ausgibt; b) einer zweiten Logikeinrichtung (7), welche das logische Eingangssignal (/D1) mit einem komplementären Pulssignal (/PULSE) logisch verknüpft und ein Rücksetzsignal (/RES) ausgibt; c) einer Latch-Einrichtung (14) mit einem Speichermittel (17, 18, 19), welches einen logischen Haltepegel hält, wobei der Haltepegel von einem von dem Setzsignal (/SET) gesteuerten ersten Push-Pull-Transistor (16) auf einen ersten logischen Pegel (VDD) einstellbar ist, und der Haltepegel von einem von dem Rücksetzsignal (/RES) gesteuerten zweiten Push-Pull-Transistor (15) auf einen zweiten logischen Pegel (VSS) einstellbar ist und der Haltepegel als gespeicherter Logikzustand des Logiksignals (/D1) abgreifbar ist, wobei die erste Logikeinrichtung (6) einen ersten und zweiten Logiktransistor (46, 47) und einen ersten und zweiten komplementären Logiktransistor (48, 49) mit jeweils einer steuerbaren Strecke und einem Steueranschluss (50, 51, 52, 53) aufweist.
Abstract:
Statischer Direktzugriffsspeicher, umfassend: eine Anordnung von Speicherzellen (100; 300), welche überkreuz gekoppelte Inverter (120, 130, 122, 132) mit p-Multi-Gate-Feldeffekttransistor-Zugriffsbauelementen (110, 112) aufweisen; Wortleitungen (115; 450), welche mit den p-Multi-Gate-Feldeffekttransistor-Zugriffsbauelementen (110, 112) gekoppelt sind; und einen Decodierschaltkreis (430), welcher mit den Wortleitungen (115; 450) gekoppelt ist; dadurch gekennzeichnet, dass der statische Direktzugriffsspeicher einen Ein-Aus-Schalter (440) umfasst, welcher zwischen Masse (420) und den Decodierschaltkreis (430) gekoppelt ist, und dass der Ein-Aus-Schalter einen n-Multi-Gate-Feldeffekttransistor-Ein-Aus-Schalter (440) umfasst.