公开(公告)号：DE102013109375B4

公开(公告)日：2016-07-14

申请号：DE102013109375

申请日：2013-08-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRSCHLER JOACHIM ,  STRANZL GUDRUN

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31

Abstract: Verfahren (200) zum Verarbeiten eines Wafers, wobei das Verfahren Folgendes enthält: Ausbilden einer Passivierung über dem Wafer (202); Ausbilden einer Schutzschicht über mindestens einer Oberfläche der Passivierung (204), welche vom Wafer weggekehrt ist, wobei die Schutzschicht ein Material enthält, das selektiv zu einem Material der Passivierung ätzbar ist; Ausbilden einer Maskenschicht über mindestens einer Oberfläche der Schutzschicht (206), welche vom Wafer weggekehrt ist, wobei die Maskenschicht ein Material enthält, das selektiv zum Material der Schutzschicht ätzbar ist; Ätzen des Wafers unter Benutzung der Maskenschicht als Maske (208); nach dem Ätzen des Wafers, selektives Ätzen des Materials der Maskenschicht zum Entfernen der Maskenschicht von der Schutzschicht (210); und nach dem selektiven Ätzen des Materials der Maskenschicht, selektives Ätzen des Materials der Schutzschicht zum Entfernen der Schutzschicht von der Passivierung (212).

公开(公告)号：DE102015100491A1

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：DE102015100491

申请日：2015-01-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROESNER MICHAEL ,  STRANZL GUDRUN ,  SCHNEEGANS MANFRED

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/301 ,  H01L21/306 ,  H01L23/482

Abstract: Ein Verfahren zum Trennen einzelner Dies eines Halbleiter-Wafers umfasst das Ausbilden einer Metallschicht auf einer ersten Oberfläche eines Halbleiter-Wafers, wobei der Halbleiter-Wafer eine Mehrzahl von Dies umfasst, Trennen der Mehrzahl von Dies voneinander und elektroerosives Bearbeiten der Metallschicht in einzelne Segmente, von denen jedes auf einem der Dies befestigt bleibt. Ein entsprechender Halbleiter-Die, welcher durch ein solches Verfahren hergestellt ist, wird ebenfalls bereitgestellt.

公开(公告)号：DE102014112435A1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：DE102014112435

申请日：2014-08-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FISCHER PETRA ,  RÖSNER MICHAEL ,  STRANZL GUDRUN

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/268 ,  H01L21/311 ,  H01L21/78

Abstract: Ein Verfahren zum Bearbeiten einer Halbleiterscheibe gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Folgendes enthalten: Bereitstellen einer Halbleiterscheibe, die wenigstens einen Chip und wenigstens einen Schnittfugenbereich benachbart dem wenigstens einen Chip enthält, wobei der Schnittfugenbereich wenigstens eine Zusatzstruktur enthält; Aufbringen einer Maskenschicht auf die Halbleiterscheibe; Entfernen der wenigstens einen Zusatzstruktur in dem wenigstens einen Schnittfugenbereich; Entfernen der aufgebrachten Maskenschicht; und Teilen der Halbleiterscheibe entlang des wenigstens einen Schnittfugenbereichs.

公开(公告)号：DE102013109375A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：DE102013109375

申请日：2013-08-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRSCHLER JOACHIM ,  STRANZL GUDRUN

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31

Abstract: Ein Verfahren (200) zum Verarbeiten eines Wafers gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Folgendes enthalten: Ausbilden einer Passivierung über dem Wafer (202); Ausbilden einer Schutzschicht über mindestens einer Oberfläche der Passivierung (204), die vom Wafer weggekehrt ist, wobei die Schutzschicht ein Material enthält, das selektiv zu einem Material der Passivierung ätzbar ist; Ausbilden einer Maskenschicht über mindestens einer Oberfläche der Schutzschicht (206), die vom Wafer weggekehrt ist, wobei die Maskenschicht ein Material enthält, das selektiv zum Material der Schutzschicht ätzbar ist; Ätzen des Wafers unter Benutzung der Maskenschicht als Maske (208); nach dem Ätzen des Wafers, selektives Ätzen des Materials der Maskenschicht (210) zum Entfernen der Maskenschicht von der Schutzschicht; und nach dem selektiven Ätzen des Materials der Maskenschicht, selektives Ätzen des Materials der Schutzschicht (212) zum Entfernen der Schutzschicht von der Passivierung.

公开(公告)号：DE102013105736A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：DE102013105736

申请日：2013-06-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  MAYER KARL ,  STRANZL GUDRUN ,  ZGAGA MARTIN

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L23/48

Abstract: Die verschiedenen Aspekte umfassen Methoden und Vorrichtungen zur Bearbeitung eines Wafers. Ein Aspekt dieser Offenbarung weist einen Wafer auf. Der Wafer weist eine Mehrzahl von Chipbereichen auf; eine Mehrzahl von Kerbbereichen zwischen der Mehrzahl von Chipbereichen und einen Metallisierungsbereich auf der Mehrzahl von Chipbereichen.