公开(公告)号：DE102013200761B4

公开(公告)日：2014-07-10

申请号：DE102013200761

申请日：2013-01-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  HIRSCHLER JOACHIM ,  RÖSNER MICHAEL

IPC: H01L21/784 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/312 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren Folgendes aufweist: Ausbilden eines Grabens von einer oberen Oberfläche eines Substrats, das ein Bauelementgebiet neben der oberen Oberfläche aufweist, zu einer gegenüberliegenden unteren Oberfläche, wobei der Graben Seitenwände des Bauelementgebiets umgibt; Füllen des Grabens mit einem Kleber; Ausbilden einer Kleberschicht über der oberen Oberfläche des Substrats und dem gefüllten Graben, wobei ein Klebermaterial des Klebers von einem Klebermaterial der Kleberschicht verschieden ist; Anbringen eines Trägers mit der Kleberschicht; Verdünnen des Substrats von der unteren Oberfläche, um mindestens einen Abschnitt des Klebers und eine hintere Oberfläche des Bauelementgebiets zu exponieren; Entfernen der Kleberschicht mittels eines ersten Ätzschritts; und Ätzen des Klebers, um eine Seitenwand des Bauelementgebiets zu exponieren mittels eines nachfolgenden zweiten Ätzschritts.

公开(公告)号：DE102017122053A1

公开(公告)日：2019-03-28

申请号：DE102017122053

申请日：2017-09-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RÖSNER MICHAEL ,  BERGMANN CHRISTIOPH

IPC: H01L23/427 ,  H01L23/36 ,  H01L23/488 ,  H01L29/417 ,  H01L29/43

Abstract: Eine elektronische Komponente (100) weist einen elektronischen Chip (102) und ein magnetisches Phasenwechselmaterial (104), das konfiguriert ist zum Verbrauchen von Energie beim Wechseln zwischen unterschiedlichen magnetischen Phasen in Antwort auf ein Erwärmen oberhalb einer Phasenwechseltemperatur, auf, wobei das Phasenwechselmaterial (104) mit dem elektronischen Chip (102) thermisch gekoppelt ist, um dadurch Wärme von dem elektronischen Chip (102) beim Erwärmen bis zu oder oberhalb der Phasenwechseltemperatur abzuführen.

公开(公告)号：DE102014117236A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：DE102014117236

申请日：2014-11-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BOCHE BERNHARD ,  ENGELHARDT MANFRED ,  GOLLER BERNHARD ,  LEUSCHNER RAINER ,  MAYER KARL ,  NOEHAMMER BERND ,  RÖSNER MICHAEL ,  STRANZL GUDRUN ,  VOERCKEL MONIKA CORNELIA ,  WENDT HERMANN ,  ZGAGA MARTIN

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/78

Abstract: Verfahren zum Verarbeiten eines Halbleiterwerkstücks können enthalten: das Bereitstellen eines Halbleiterwerkstücks mit einem oder mit mehreren Trennfugengebieten; das Ausbilden eines oder mehrerer Gräben in dem Werkstück durch das Entfernen von Material aus dem einen oder aus den mehreren Trennfugengebieten von einer ersten Seite des Werkstücks aus; das Anbringen des Werkstücks mit der ersten Seite an einem Träger; das Dünnen des Werkstücks von einer zweiten Seite des Werkstücks aus; und das Ausbilden einer Metallisierungsschicht über der zweiten Seite des Werkstücks.

公开(公告)号：DE102017112644A1

公开(公告)日：2017-12-14

申请号：DE102017112644

申请日：2017-06-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RÖSNER MICHAEL ,  ENGELHARDT MANFRED ,  STRANZL GUDRUN

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/3065

Abstract: Ein Verfahren zum Ausbilden einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Ausbilden eines aktiven Gebiets in einer ersten Seite eines Siliziumcarbidsubstrats, wobei das Siliziumcarbidsubstrat eine zweite, der ersten Seite gegenüberliegende Seite aufweist, und ein Ausbilden eines Kontaktpads an der ersten Seite. Das Kontaktpad ist mit dem aktiven Gebiet gekoppelt. Ferner umfasst das Verfahren ein Ausbilden einer Ätzstoppschicht über dem Kontaktpad und ein Plasma-Zerteilen des Siliziumcarbidsubstrats von der zweiten Seite aus. Das Plasma-Zerteilen ätzt durch das Siliziumcarbidsubstrat und stoppt auf der Ätzstoppschicht. Das zerteilte Siliziumcarbidsubstrat wird durch die Ätzstoppschicht zusammengehalten. Das zerteilte Siliziumcarbidsubstrat wird auf einem Träger angebracht. Das zerteilte Siliziumcarbidsubstrat wird durch Spalten der Ätzstoppschicht in Siliziumcarbid-Dies getrennt.

公开(公告)号：DE102014112435A1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：DE102014112435

申请日：2014-08-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FISCHER PETRA ,  RÖSNER MICHAEL ,  STRANZL GUDRUN

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/268 ,  H01L21/311 ,  H01L21/78

Abstract: Ein Verfahren zum Bearbeiten einer Halbleiterscheibe gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Folgendes enthalten: Bereitstellen einer Halbleiterscheibe, die wenigstens einen Chip und wenigstens einen Schnittfugenbereich benachbart dem wenigstens einen Chip enthält, wobei der Schnittfugenbereich wenigstens eine Zusatzstruktur enthält; Aufbringen einer Maskenschicht auf die Halbleiterscheibe; Entfernen der wenigstens einen Zusatzstruktur in dem wenigstens einen Schnittfugenbereich; Entfernen der aufgebrachten Maskenschicht; und Teilen der Halbleiterscheibe entlang des wenigstens einen Schnittfugenbereichs.

公开(公告)号：DE102015200629A1

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：DE102015200629

申请日：2015-01-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  RÖSNER MICHAEL ,  STRANZL GUDRUN ,  ZGAGA MARTIN

IPC: H01L21/301 ,  B81C1/00 ,  H01L21/58

Abstract: Ein Verfahren zur Strukturierung eines Substrats und ein strukturiertes Substrat werden geoffenbart. In einer Ausführungsform umfasst ein Verfahren: Vorsehen eines Substrats mit einer ersten Hauptfläche und einer zweiten Hauptfläche, wobei das Substrat an einer Trägeranordnung an der zweiten Hauptfläche fixiert ist; Vornehmen eines Fotolithografieschritts an der ersten Hauptfläche des Substrats, um eine Mehrzahl von Stellen auf der ersten Hauptfläche zu markieren, wobei die Mehrzahl von Stellen zukünftigen Perforationsstrukturen und zukünftigen Einschnittgebieten für eine Mehrzahl von zukünftigen einzelnen Halbleiterchips entspricht, die aus dem Substrat zu erhalten sind; und Plasmaätzen des Substrats an der Mehrzahl von Stellen, bis die Trägeranordnung erreicht wird, wodurch die Perforationsstrukturen innerhalb der Mehrzahl von einzelnen Halbleiterchips erzeugt werden, und gleichzeitiges Trennen der einzelnen Halbleiterchips entlang der Einschnittgebiete

公开(公告)号：DE102015104476A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：DE102015104476

申请日：2015-03-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  HIRSCHLER JOACHIM ,  RÖSNER MICHAEL ,  SCHMID JOHANN ,  STRANZL GUDRUN

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beinhaltet ein Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements das Anbringen eines Substrats (100) an einem Träger (20) mithilfe einer haftfähigen Komponente (10) und das Ausbilden eines Grabens (170) durch das Substrat (100), um die haftfähige Komponente (10) freizulegen. Wenigstens ein Teil der haftfähigen Komponente (10) wird geätzt, und eine Metallschicht (60) wird über Seitenwänden des Grabens (170) ausgebildet.