公开(公告)号：WO2009082999A2

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：PCT/DE2008/002131

申请日：2008-12-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KOENIG, Harald ,  LAUER, Christian ,  BRICK, Peter ,  SCHMID, Wolfgang ,  FEHSE, Robin ,  STRAUSS, Uwe

Inventor： KOENIG, Harald ,  LAUER, Christian ,  BRICK, Peter ,  SCHMID, Wolfgang ,  FEHSE, Robin ,  STRAUSS, Uwe

IPC: H01S5/042

CPC classification number: H01S5/0425 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/1053 ,  H01S5/16 ,  H01S5/162 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/206

Abstract: Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaserchip angegeben, mit - einer aktiven Zone (14), in der im Betrieb des Halbleiterlaserchips (1) elektromagnetische Strahlung erzeugt wird und - zumindest einem strukturierten Kontaktstreifen (2), der derart strukturiert ist, dass eine Ladungsträgerinjektion in die aktive Zone (14) zu einer Seite des Halbleiterlaserchips (1) hin abnimmt, an der sich eine Auskoppelfacette (3) des Halbleiterlaserchips (1) befindet.

Abstract translation:

本发明提供一种边发射的半导体激光器芯片，其具有 - 一个有源区（14），其中，所述半导体激光器芯片的操作过程中产生的（1）电磁辐射，和 - 至少一个图案化的接触带（2）中，构造成 是在向半导体激光器芯片（1）的半导体激光器芯片（1）的去耦面（3）存在的一侧朝向有源区域（14）的电荷载流子注入减少，

公开(公告)号：WO2006034677A1

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：PCT/DE2005/001667

申请日：2005-09-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ALBRECHT, Tony ,  BRICK, Peter ,  PHILIPPENS, Marc ,  STEEGMÜLLER, Ulrich

Inventor： ALBRECHT, Tony ,  BRICK, Peter ,  PHILIPPENS, Marc ,  STEEGMÜLLER, Ulrich

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/183 ,  G01S15/58

CPC classification number: G01S7/4916 ,  G01P3/36 ,  G01P3/366 ,  G01S7/4812 ,  G01S17/50 ,  G06F3/0304 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/2022

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optisches Sensormodul (1) in einem Halbleiterkörper, der eine Halbleiterlaservorrichtung (1a) zur Emission von kohärenter Strahlung (3), ein Detektorelement (1b) mit einer strahlungsdetektierenden Zone (12b) und einen Wellenleiter (12c) aufweist, wobei das Detektorelement (1b) über den Wellenleiter (12c) mit der Halbleiterlaservorrichtung (1a) verbunden ist. Es zeichnet sich dadurch aus, dass der Wellenleiter (12c) in einer Richtung quer zur Hauptstrahlungsrichtung der von der Halbleiterlaservorrichtung (1a) emittierten kohärenten Strahlung (3) angeordnet ist. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Messung der Relativbewegung eines Objekts (2) gegenüber einem solchen optischen Sensormodul (1).

Abstract translation: 本发明涉及一种具有用于相干辐射的发射的半导体激光器件（1a）中的光学传感器模块（1）在半导体本体（3），检测器元件（1B）与检测辐射的区域（12B）和波导（12C），其中，所述 检测器元件（1B）连接到所述波导（12C）至所述半导体激光器件（1a）中。 它布置，其特征在于所述波导（12C）的方向上朝向所述半导体激光装置的主辐射方向（1a）的相干辐射发射横向（3）。 本发明还涉及一种方法，用于测量物体（2）的相对的相对运动，以这样的光学传感器模块（1）。

公开(公告)号：WO2021110333A1

公开(公告)日：2021-06-10

申请号：PCT/EP2020/080474

申请日：2020-10-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRANDL, Michael ,  DOBNER, Andreas ,  GOLDBACH, Matthias ,  WITTMANN, Sebastian ,  HILLER, Uli ,  KLEIN, Markus ,  SCHWARZ, Thomas ,  WALDSCHIK, Andreas ,  WITTMANN, Michael ,  BRUCKSCHLOEGL, Matthias ,  GROETSCH, Stefan ,  HUBER, Rainer ,  BRICK, Peter ,  HOFBAUER, Ludwig

IPC: H01L25/075 ,  B32B17/10 ,  B60J7/04

Abstract: An optoelectronic device comprises a layer stack, which includes a carrier layer, a cover layer, and a first layer. The first layer is in particular an intermediate layer, arranged between the cover layer and the carrier layer. At least one electronic or optoelectronic element, in particular an optoelectronic light source, is arranged on the first layer and at least one layer of the layer stack and preferably all layers of the layer stack are at least partially transparent. The layer stack comprises at least one layer which comprises particles with a high thermal conductivity and/or at least one thermally conductive layer which is arranged between two adjacent layers of the layer stack.

公开(公告)号：WO2019238945A1

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：PCT/EP2019/065734

申请日：2019-06-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRICK, Peter

IPC: F21K9/61 ,  F21V8/00 ,  G02B6/02 ,  F21Y113/10

Abstract: Lichtfaser (1) umfassend einen Mantel (11) und mindestens zwei Kerne (12, 13) zum Leiten elektromagnetischer Strahlung (L), bei der -die Kerne (12, 13) an einem Ende der Lichtfaser (1) jeweils eine Einkoppelfläche (12a, 13a) aufweisen.

公开(公告)号：WO2019233731A1

公开(公告)日：2019-12-12

申请号：PCT/EP2019/062673

申请日：2019-05-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DOBNER, Andreas ,  BRICK, Peter ,  SINGER, Frank ,  SCHWARZ, Thomas

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/44

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauteil (1) angegeben mit: - einem strahlungsemittierenden Pixel (2), das zwei strahlungsemittierende Sub-Pixel (3) umfasst, die jeweils elektromagnetische Primärstrahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche (4) aussenden, wobei - ein Konversionselement (8) auf der Strahlungsaustrittsfläche (4) von einem der zwei Sub-Pixel (2) angeordnet ist, das einen Teil der Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung konvertiert, und - eine Filterschicht (9) auf dem Konversionselement (8) angeordnet ist, die Primärstrahlung streut und/oder absorbiert. Zudem wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (1) angegeben.

公开(公告)号：WO2019145422A1

公开(公告)日：2019-08-01

申请号：PCT/EP2019/051753

申请日：2019-01-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÖÖTZ, Britta ,  HIEN, Matthias ,  DOBNER, Andreas ,  BRICK, Peter ,  GOLDBACH, Matthias ,  HILLER, Uli ,  STIGLER, Sebastian

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (100) eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Emissionsseite (10), wobei die Emissionsseite eine Mehrzahl von Emissionsfeldern (11, 12) umfasst. Der Halbleiterchip umfasst reflektierende Trennwände (20) auf der Emissionsseite im Bereich zwischen zwei benachbarten Emissionsfeldern. Ferner umfasst der Halbleiterchip Konversionselemente (31, 32) auf zumindest einigen Emissionsfeldern. Die Konversionselemente umfassen jeweils ein Matrixmaterial (40) mit darin eingebrachten ersten LeuchtstoffPartikeln (41). Die ersten Leuchtstoffpartikel sind in dem Matrixmaterial derart sedimentiert, dass der Massenanteil der ersten Leuchtstoffpartikel in einem der Halbleiterschichtenfolge zugewandten unteren Bereich eines Konversionselements größer ist als im restlichen Bereich des Konversionselements.

公开(公告)号：WO2018162560A3

公开(公告)日：2018-09-13

申请号：PCT/EP2018/055610

申请日：2018-03-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRICK, Peter ,  HALBRITTER, Hubert ,  PERÄLÄ, Mikko

IPC: G02B27/22 ,  G02B27/10

Abstract: 3D-Anzeigelement (1) umfassend - ein lichtemittierendes Bauteil (10), welches dazu eingerichtet ist Licht (L) zu emittieren, und - eine optische Anordnung (20), die dazu eingerichtet ist das Licht (L) zu beeinflussen, wobei - das lichtemittierende Bauteil eine Vielzahl von Tripletts (100) mit jeweils einem ersten (101), einem zweiten (102) und einem dritten (103) lichtemittierenden Bereich umfasst, - die Tripletts (100) in einer ersten lateralen Ebene (E1) nebeneinander angeordnet sind, - die Bereiche (101, 102, 103) in der ersten lateralen Ebene (E1) nebeneinander angeordnet sind, - die optische Anordnung (20) durchlaufendes Licht (L) zueinander benachbarter Triplets (100) divergiert, und - die optische Anordnung (20) durchlaufendes Licht (L) eines Tripletts durchmischt.

公开(公告)号：WO2018137990A1

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：PCT/EP2018/051174

申请日：2018-01-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRICK, Peter ,  HALBRITTER, Hubert

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/40 ,  H01S5/42

Abstract: Es wird eine strahlungsemittierende Halbleiteranordnung (1) mit zumindest einem Halbleiterkörper (2), der einen zur Erzeugung einer Primärstrahlung (91) vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist, und mit einem Strahlungskonversionselement (3) angegeben, wobei das Strahlungskonversionselement im Betrieb der Halbleiteranordnung die Primärstrahlung zumindest teilweise in eine Sekundärstrahlung (92) umwandelt und das Strahlungskonversionselement die Sekundärstrahlung engwinklig abstrahlt. Weiterhin wird eine Vorrichtung (10) mit einer solchen Halbleiteranordnung angegeben.

公开(公告)号：WO2017167664A1

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：PCT/EP2017/057093

申请日：2017-03-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRICK, Peter

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/24 ,  H01L33/405 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505

Abstract: Es wird ein Konverter (10) zur teilweisen Konversion einer Primärstrahlung (5) angegeben mit -einem Grundkörper (12), der ein Lumineszenzkonversionsmaterial enthält, und -einer Vielzahl von Strukturen (11) an einer Oberseite (10a) des Konverters (10), wobei -die Strukturen (11) durch Erhebungen des Grundkörper (12) und/oder Ausnehmungen im Grundkörper (12) gebildet sind, und -die Strukturen (11) dazu ausgebildet sind, den Anteil von Primärstrahlung (5), der aus dem Konverter in einer Hauptabstrahlrichtung (R) austritt, zu reduzieren. Darüber hinaus wird ein lichtemittierendes Bauelement mit einem solchen Konverter angegeben.

Abstract translation: 用于部分地转换初级辐射（5）的转换器（10）设置有包含发光转换材料的基体（12），以及多个结构（ 所述结构（11）由所述基体（12）和/或所述基体（12）中的凹部的隆起形成，并且所述结构（11）在所述转换器（10）的上侧（10a） ）适于降低主发射方向（R）上离开转换器的主辐射（5）的比例。 此外，还指出了具有这种转换器的发光器件。

公开(公告)号：WO2013189662A1

公开(公告)日：2013-12-27

申请号：PCT/EP2013/059799

申请日：2013-05-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HILLER, Uli ,  BRICK, Peter ,  DÜRR, Regina

IPC: F21V8/00

CPC classification number: G02B6/0043 ,  G02B6/0036 ,  G02B6/0068 ,  G02B6/0073 ,  G02B6/0076

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist die Flächenlichtquelle (1) zur Abstrahlung von weißem Licht eingerichtet. Die Flächenlichtquelle (1) umfasst mindestens einen Lichtleitkörper (2) mit mindestens einer Hauptlichtleitrichtung (M) und mit mindestens einer Stirnseite (23) quer zur Hauptlichtleitrichtung (M). Mehrere Lichtquellen (3) auf Halbleiterbasis sind an der mindestens einen Stirnseite (23) angebracht. Außerdem beinhaltet die Flächenlichtquelle (1) mindestens ein Farbhomogenisierungsmittel (4). Ein Material des Lichtleitkörpers (2) weist bei einer Wellenlänge von 435 nm einen ersten Absorptionskoeffizienten (A1) und bei einer Wellenlänge von 620 nm einen kleineren, zweiten Absorptionskoeffizienten (A2) auf. Für eine Differenz ΔA zwischen den Absorptionskoeffizienten (A1, A2) und einer Länge L des Lichtleitkörpers gilt: ΔA L ≥ 0,05.

Abstract translation: 在至少一个实施例中，面光源（1）被布置成用于发射白光。 的面光源（1）包括至少一个光导主体（2）具有至少一个Hauptlichtleitrichtung（M）和至少一个端面（23）横向于所述Hauptlichtleitrichtung（M）。 基于半导体中的多个光源（3）被附接到所述至少一个端面（23）。 此外，面光源（1）包括至少一个Farbhomogenisierungsmittel（4）。 所述光导（2）的材料具有在435纳米的第一吸收系数（A1）的波长和在620nm波长处具有一个较小的第二吸收系数（A2）。 吸收系数增量A（A1，A2）和光导的长度L之间的差的情况适用：增量A L> = 0.05。