Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Vereinzelung von Bauteilen (2) aus einem Bauteilverbund (1) angegeben, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: - Bereitstellen des Bauteilverbunds (1) umfassend: ein strukturiertes Substrat (3), das Bauteilträgerkörper (4) und zwischen den Bauteilträgerkörpern (4) angeordnete Verbindungsbereiche (5) aufweist; ein Grundmaterial (6), in das die Verbindungsbereiche (5) des strukturierten Substrats (3) zumindest teilweise eingebettet sind; Entfernen des Grundmaterials (6) in Trennbereichen (7) des Bauteilverbunds (1), welche die Verbindungsbereiche (5) umfassen; Vereinzelung des Bauteilverbunds (1) in die Bauteile (2) an den Trennbereichen (7). Ferner wird ein Bauteil angegeben, das mit einem derartigen Verfahren herstellbar ist.
Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (100) eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Emissionsseite (10), wobei die Emissionsseite eine Mehrzahl von Emissionsfeldern (11, 12) umfasst. Der Halbleiterchip umfasst reflektierende Trennwände (20) auf der Emissionsseite im Bereich zwischen zwei benachbarten Emissionsfeldern. Ferner umfasst der Halbleiterchip Konversionselemente (31, 32) auf zumindest einigen Emissionsfeldern. Die Konversionselemente umfassen jeweils ein Matrixmaterial (40) mit darin eingebrachten ersten LeuchtstoffPartikeln (41). Die ersten Leuchtstoffpartikel sind in dem Matrixmaterial derart sedimentiert, dass der Massenanteil der ersten Leuchtstoffpartikel in einem der Halbleiterschichtenfolge zugewandten unteren Bereich eines Konversionselements größer ist als im restlichen Bereich des Konversionselements.
Abstract:
Eine optoelektronische Anordnung, welche als ein optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 60) ausgebildet ist, umfasst ein erstes korrodierbares Element (110) und eine erste Opferanode (120). Das erste korrodierbare Element (110) weist ein erstes korrodierbares Material (111) auf. Die erste Opferanode (120) weist ein erstes Opfermaterial (122) auf, das unedler als das erste korrodierbare Material (111) ist. Das erste korrodierbare Element (110) und die erste Opferanode (120) sind elektrisch leitend miteinander verbunden. Die optoelektronische Anordnung kann auch als eine optoelektronische Bauelementeanordnung (500, 600) ausgebildet sein.
Abstract:
Es wird ein Bauelement (10) mit einem Leiterrahmen (1), einem Halbleiterchip (2) und einem Gehäusekörper (3) angegeben, wobei der Leiterrahmen (1) einen ersten Teilbereich (11) und einen zweiten Teilbereich (12) aufweist, der von dem ersten Teilbereich (11) lateral beabstandet ist. Der Gehäusekörper (3) umschließt den ersten Teilbereich (11) und den zweiten Teilbereich (12) in lateralen Richtungen, und verbindet somit den ersten Teilbereich (11) mit dem zweiten Teilbereich (12) mechanisch. Der Halbleiterchip (2) ist auf einer Montagefläche (UM) des ersten Teilbereichs (11) angeordnet und mit den Teilbereichen (11, 12) des Leiterrahmens (1) elektrisch leitend verbunden. Der erste Teilbereich (11) weist eine erste lokale Erhöhung (11H) auf, die zumindest eine Randregion (11K) des ersten Teilbereichs (11) vertikal überragt und in Draufsicht auf die Montagefläche (UM) den Halbleiterchip (2) zumindest teilweise umschließt. In Draufsicht auf die Montagefläche (11M) bedeckt der Gehäusekörper (3) die erste lokale Erhöhung (11H) vollständig bedeckt, wobei der Gehäusekörper (3) den Halbleiterchip (2) nicht bedeckt. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements (10) angegeben.
Abstract:
Ein optoelektronisches Bauelement (100) mit einem ersten Leiterrahmenabschnitt (110) und einem Gehäusekörper (120), wobei der Gehäusekörper (120) an den ersten Leiterrahmenabschnitt (110) angrenzt. Ein Dichtmaterial (130) ist auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt (110) angeordnet und zumindest teilweise vom Gehäusekörper (120) bedeckt. Auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt (110) ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (150) angeordnet, der zumindest teilweise mit einem Vergussmaterial (160) bedeckt ist. Das Vergussmaterial (160) grenzt an den ersten Leiterrahmenabschnitt (110) und an den Gehäusekörper (120) an. Ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Lichtquelle mit mehreren Halbleiterkomponenten, wobei eine Halbleiterkomponente mehrere Licht emittierende Dioden aufweist, wobei die Dioden in einem vorgegebenen Raster in wenigstens einer Spalte auf der Halbleiterkomponente angeordnet sind, wobei eine Steuerschaltung für eine Ansteuerung der einzelnen Dioden auf der Halbleiterkomponente angeordnet ist. Zudem betrifft die Erfindung eine Halbleiterkomponente mit mehreren Licht emittierende Dioden, wobei die Dioden in einem vorgegebenen Raster in wenigstens einer Spalte auf der Halbleiterkomponente angeordnet sind, wobei eine Steuerschaltung für eine Ansteuerung der einzelnen Dioden auf der Halbleiterkomponente angeordnet ist, wobei die Steuerschaltung ausgebildet ist, die Dioden einzeln anzusteuern.
Abstract:
An optoelectronic device comprises a layer stack, which includes a carrier layer, a cover layer, and a first layer. The first layer is in particular an intermediate layer, arranged between the cover layer and the carrier layer. At least one electronic or optoelectronic element, in particular an optoelectronic light source, is arranged on the first layer and at least one layer of the layer stack and preferably all layers of the layer stack are at least partially transparent. The layer stack comprises at least one layer which comprises particles with a high thermal conductivity and/or at least one thermally conductive layer which is arranged between two adjacent layers of the layer stack.
Abstract:
Es wird ein optoelektronisches Bauteil (1) angegeben, mit - einem optoelektronischen Halbleiterchip (2), der im Betrieb dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung zu emittieren oder zu detektieren, - einem Anschlussträger (3), auf dem der Halbleiterchip (2) angeordnet ist, - einer elektrisch leitenden Verbindung (4), die mit dem Halbleiterchip (2) und/oder dem Anschlussträger (3) elektrisch leitend verbunden ist, und - einem elektrisch isolierenden Material (5), das den Halbleiterchip (2) und/oder den Anschlussträger (3) zumindest stellenweise umgibt, wobei - die elektrisch leitende Verbindung (4) stellenweise auf dem elektrisch isolierenden Material (5) angeordnet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils angegeben.
Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform umfasst das oberflächenmontierbare Bauteil (100) einen Träger (1) mit einer Oberseite (11) und einer der Oberseite (11) gegenüberliegenden Unterseite (12). Weiter umfasst das Bauteil ein elektronisches Bauelement, das auf oder in dem Träger (1) elektrisch verschaltet ist, sowie zumindest eine erste elektrische Verbindung (31) und eine zweite elektrische Verbindung (32). Die elektrischen Verbindungen verbinden jeweils zwei in einer lateralen Richtung voneinander beabstandete elektrisch leitende Bereiche des Bauteils elektrisch miteinander. Die zwei elektrischen Verbindungen weisen jeweils eine Dicke auf, die höchstens 1/4 einer Dicke des Trägers (1) beträgt. Die zwei elektrischen Verbindungen sind ferner durch unterschiedliche Verbindungstechniken realisiert.
Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (100) eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Emissionsseite (10), wobei die Emissionsseite eine Mehrzahl von Emissionsfeldern (11, 12) umfasst. Der Halbleiterchip umfasst reflektierende Trennwände (20) auf der Emissionsseite im Bereich zwischen zwei benachbarten Emissionsfeldern. Ferner umfasst der Halbleiterchip Konversionselemente (31, 32) auf zumindest einigen Emissionsfeldern. Die Konversionselemente umfassen jeweils ein Matrixmaterial (40) mit darin eingebrachten ersten LeuchtstoffPartikeln (41). Die ersten Leuchtstoffpartikel sind in dem Matrixmaterial derart sedimentiert, dass der Massenanteil der ersten Leuchtstoffpartikel in einem der Halbleiterschichtenfolge zugewandten unteren Bereich eines Konversionselements größer ist als im restlichen Bereich des Konversionselements.