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    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT ERSTEN VERBINDUNGSBEREICHEN UND OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG
    22.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT ERSTEN VERBINDUNGSBEREICHEN UND OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020099574A1

    公开(公告)日：2020-05-22

    申请号：PCT/EP2019/081352

    申请日：2019-11-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： TANGRING, Ivar ,  HAHN, Berthold

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/64

    Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (11), der geeignet ist, elektromagnetische Strahlung (15) zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip (11) weist eine erste Halbleiterschicht (140) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (150) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine erste und eine zweite Stromaufweitungsschicht (180, 160), eine Vielzahl elektrischer Verbindungselemente (120) sowie eine Vielzahl erster Verbindungsbereiche (125) auf. Die erste Halbleiterschicht (140) und die zweite Halbleiterschicht (150) bilden einen Halbleiterschichtstapel. Die erste Stromaufweitungsschicht (180) ist auf einer von der zweiten Halbleiterschicht (150) abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht (140) angeordnet. Die erste Stromaufweitungsschicht (180) ist mit der ersten Halbleiterschicht (140) elektrisch verbunden. Die Vielzahl elektrischer Verbindungselemente (120) ist geeignet, die zweite Halbleiterschicht (150) mit der zweiten Stromaufweitungsschicht (160) elektrisch zu verbinden. Die ersten Verbindungsbereiche (125) sind mit der ersten Stromaufweitungsschicht (180) verbunden und erstrecken sich durch die zweite Stromaufweitungsschicht (160) hindurch. Eine Flächenbelegung der ersten Verbindungsbereiche (125) in einem Bereich zwischen benachbarten Teilen der zweiten Stromaufweitungsschicht (160) ist größer als 20 % der Flächenbelegung der zweiten Stromaufweitungsschicht (160).

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
    23.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019158465A1

    公开(公告)日：2019-08-22

    申请号：PCT/EP2019/053265

    申请日：2019-02-11

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： OTTO, Isabel ,  KOCH, Holger ,  HAHN, Berthold

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement, das elektromagnetische Strahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche (3) des optoelektronischen Bauelements aussendet, mit den folgenden Merkmalen angegeben: einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1), der elektromagnetische Strahlung erzeugt, und einem Markierungselement (5), das auf der Strahlungsaustrittsfläche (3) des optoelektronischen Bauelements aufgebracht ist, wobei das Markierungselement (5) eine Farbe (4) umfasst, die mit einem Lösungsmittel von der Strahlungsaustrittsfläche (3) des optoelektronischen Bauelements entfernbar und/oder durchlässig für die elektromagnetische Strahlung des optoelektronischen Bauelements ist. Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben.

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    25.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    光电半导体芯片和光电元件

    公开(公告)号：WO2015036443A1

    公开(公告)日：2015-03-19

    申请号：PCT/EP2014/069314

    申请日：2014-09-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LEIRER, Christian ,  HAHN, Berthold ,  ZEISEL, Roland ,  BAUR, Johannes ,  ENGL, Karl

    IPC: H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L25/16

    CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/15 ,  H01L27/156 ,  H01L33/382 ,  H01L33/483 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/4554

    Abstract: Es wird eine optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2, 2') angegeben, die einen ersten Halbleiterbereich (3) eines ersten Leitfähigkeitstyps und einen zweiten Halbleiterbereich (4) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und eine aktive Zone mit einem pn-Übergang (5) aufweist, die zwischen dem ersten Halbleiterbereich (3) und dem zweiten Halbleiterbereich (4) ausgebildet ist. Die Halbleiterschichtenfolge (2) ist auf einem Träger (8) angeordnet ist. Der Halbleiterchip (1) weist weiterhin einen ersten Kontakt auf, der zum elektrischen Anschließen des ersten Halbleiterbereichs (3) vorgesehen ist, und einen von dem ersten Kontakt verschiedenen zweiten Kontakt, der zum elektrischen Anschließen des zweiten Halbleiterbereichs (4) vorgesehen ist. Außerdem umfasst der Halbleiterchip (1) ein parallel zu dem pn-Übergang (5) geschaltetes erstes kapazitives elektrisches Element mit einem ersten dielektrischen Element, das dazu geeignet ist, bei Überspannung in Sperrrichtung des pn-Übergangs (5) zumindest einen Teil der Ladung aufzunehmen.

    Abstract translation: 它是一种光电子半导体芯片（1）具有指定的半导体层序列（2，2“），第一半导体区域（3）具有第一导电类型和第二半导体区域的（4）的第二导电类型，并与pn结的有源区（5 ），该（第一半导体区3）和第二半导体区域（4）之间形成。 半导体层序列（2）被布置在载体（8）上。 在半导体芯片（1）还包括被设置用于在所述第一半导体区域（3）电连接第一接触，并且不同于所述第一接触被设置用于所述第二半导体区域电连接的第二接触（4）。 此外，在半导体芯片（1）包括一平行于所述pn结（5）切换具有适于在pn结的相反方向上以接收至少一个用于过电压的电荷的部分的第一电介质元件的第一电容元件（5） ，

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
    27.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
    光电子半导体芯片及其制造方法光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2010136251A1

    公开(公告)日：2010-12-02

    申请号：PCT/EP2010/054662

    申请日：2010-04-08

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GMEINWIESER, Nikolaus ,  HAHN, Berthold

    Inventor： GMEINWIESER, Nikolaus ,  HAHN, Berthold

    IPC: H01L33/22 ,  H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/508 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/504

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfasst dieser eine Halbleiterschichtenfolge (2). Die Halbleiterschichtenfolge (2) beinhaltet mindestens eine aktive Schicht (3) zur Erzeugung einer Primärstrahlung (P). Weiterhin umfasst die Halbleiterschichtenfolge (2) eine Mehrzahl von Konversionsschichten (4), wobei die Konversionsschichten (4) dazu eingerichtet sind, die Primärstrahlung (P) wenigstens teilweise zu absorbieren und in eine gegenüber der Primärstrahlung (P) längerwellige Sekundärstrahlung (S) umzuwandeln. Weiterhin weist die Halbleiterschichtenfolge (2) eine Aufrauung (5) auf, die mindestens stellenweise bis in die Konversionsschichten (4) reicht.

    Abstract translation: 在光电子半导体芯片（1）的至少一个实施例，其包括半导体层序列（2）。 半导体层序列（2）含有用于产生初级辐射（P）的至少一个有源层（3）。 此外，半导体层序列（2）包括多个转换层（4），所述转换层（4）适合于初级辐射（P）以吸收至少部分的，并且在相对于初级辐射（P）的二次辐射（S）转换更长的波长。 此外，在粗糙化（5），其至少局部地延伸到半导体层序列（2），所述转换层（4）。

    STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER
    29.
    发明申请
    STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER 审中-公开
    发射辐射的半导体本体

    公开(公告)号：WO2009039815A1

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：PCT/DE2008/001447

    申请日：2008-08-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ALBRECHT, Tony ,  BADER, Stefan ,  HAHN, Berthold

    Inventor： ALBRECHT, Tony ,  BADER, Stefan ,  HAHN, Berthold

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) mit einer aktiven Schicht (2) zur Erzeugung von Strahlung einer ersten Wellenlänge (λ 1 ) und einer Reemissionsschicht (3), die eine Quantentopf Struktur (4) mit einer Quantenschichtstruktur (5) und einer Barriereschichtstruktur (6) aufweist, beschrieben. Die Reemissionsschicht ist zur Erzeugung von inkohärenter Strahlung einer zweiten Wellenlänge (λ 2 ) mittels Absorption der Strahlung der ersten Wellenlänge in der Barriereschichtstruktur vorgesehen.

    Abstract translation: 它是（1）具有的活性层的发射辐射的半导体主体（2），用于产生第一波长（λ1）和Reemissionsschicht（3）具有量子阱结构的辐射（4）具有量子层结构（5）和阻挡层的结构（ 6），如下所述。 该Reemissionsschicht是用于制造由在阻挡层结构的第一波长的辐射的吸收的装置提供的第二波长（λ2）的非相干辐射。

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