公开(公告)号：DE112016002661A5

公开(公告)日：2018-02-22

申请号：DE112016002661

申请日：2016-06-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER CHRISTIAN ,  PERZLMAIER KORBINIAN

IPC: H01L33/00 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50

公开(公告)号：DE102016103059A1

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：DE102016103059

申请日：2016-02-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  LEIRER CHRISTIAN ,  SPERL MATTHIAS

IPC: H01L33/54 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62

Abstract: Halbleiterbauelement – mit mindestens einem Halbleiterchip (10), der einen Halbleiterkörper (1) mit einem aktiven Bereich (12), ein Konversionselement (6) und einen Träger (3) umfasst, und der Träger (3) einen ersten Formkörper (33), einen ersten Leiterkörper (31) und einen zweiten Leiterkörper (32) aufweist, und die Leiterkörper (31, 32) mit dem aktiven Bereich (12) elektrisch leidend verbunden sind, und bei dem eine vom aktiven Bereich (12) abgewandte Seite des Konversionselements (6) eine Vorderseite (101) des Halbleiterchips (10) bildet und eine vom aktiven Bereich (12) abgewandte Seite des Trägers (3) eine Rückseite (102) des Halbleiterchips (10) bildet, und Seitenflächen (103) des Halbleiterchips Vorder- (101) und Rückseite (102) miteinander verbinden, und – mit einem zweiten Formkörper (5), wobei – der Halbleiterchip (10) den zweiten Formkörper (5) vollständig durchdringt, derart, dass der zweite Formkörper (5) einen Rahmen um den Halbleiterchip (10) bildet und dass die Vorderseite (101) und die Rückseite (102) des Halbleiterchips (10) zumindest stellenweise frei vom zweiten Formkörper (5) sind, und – der zweite Formkörper (5) an den Seitenflächen des Halbleiterchips (10) freiliegende Flächen des Konversionselements (6) zumindest teilweise überdeckt.

公开(公告)号：DE102015114587A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：DE102015114587

申请日：2015-09-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA ,  HÖPPEL LUTZ ,  LEIRER CHRISTIAN

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/44

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) angegeben, umfassend einen Halbleiterkörper (1), der eine Halbleiterschichtenfolge (2) aufweist, einen Träger (10), der einen Kunststoff aufweist und eine erste Durchkontaktierung (11) und eine zweite Durchkontaktierung (12) aufweist, eine p-Kontaktschicht (6) und eine n-Kontaktschicht (8, 8A), welche zumindest bereichsweise zwischen dem Träger (10) und dem Halbleiterkörper (1) angeordnet sind, eine metallische Verstärkungsschicht (14), welche zumindest bereichsweise zwischen der n-Kontaktschicht (8, 8A) und dem Träger (10) angeordnet ist, wobei die metallische Verstärkungsschicht (14) mindestens 5 µm dick ist, und mindestens eine p-Kontaktdurchführung (7), welche zwischen der ersten Durchkontaktierung (11) und der p-Kontaktschicht (6) angeordnet ist, wobei die p-Kontaktdurchführung (7) mindestens 5 µm dick ist und in lateraler Richtung zumindest bereichsweise von der Verstärkungsschicht (14) umgeben ist. Ferner wird ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Halbleiterbauelements (100) angegeben.

公开(公告)号：DE102015114583A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：DE102015114583

申请日：2015-09-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER CHRISTIAN ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/08 ,  H01L33/44

Abstract: Das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfass die folgenden Schritten in der angegebenen Reihenfolge: A) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2), B) Aufbringen einer elektrischen zweiten Kontaktstruktur (33) auf eine einem Aufwachssubstrat (20) abgewandte Seite der Halbleiterschichtenfolge (2), C) Aufbringen mindestens einer elektrischen Isolierschicht (41, 42) auf die zweite Kontaktstruktur (33) und auf die Halbleiterschichtenfolge (2), D) Aufbringen einer ersten Kontaktstruktur (31), sodass die erste Kontaktstruktur (31) elektrisch mit einem dem Aufwachssubstrat (20) zugewandten Bereich (21) der Halbleiterschichtenfolge (2) verbunden wird, E) Aufbringen einer weiteren elektrischen Isolierschicht (43) stellenweise zumindest auf die erste Kontaktstruktur (31), F) Erzeugen von elektrischen Kontaktflächen (51, 53), sodass mit dem Schritt F) eine Ausdehnung der Kontaktflächen (51, 53) in Richtung weg von der Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer Toleranz von höchsten 5 µm definiert wird.

公开(公告)号：DE102015114579A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：DE102015114579

申请日：2015-09-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA ,  HÖPPEL LUTZ

IPC: H01L33/48 ,  H01L23/482 ,  H01L31/101

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (23) angegeben, der einen aktiven Bereich (39) aufweist, und einem Träger (3) mit einer ersten Trägerfläche (5), auf der der Halbleiterkörper angeordnet ist, und einer zweiten Trägerfläche (7) auf der vom Halbleiterkörper abgewandten Seite, wobei der Träger einen Verbundkörper (11, 13, 15) aufweist, der zumindest einen elektrisch leifähigen Leiterkörper (11, 13) und zumindest einen elektrisch isolierenden Formkörper (15) aufweist, wobei sich der Leiterkörper von der ersten Trägerfläche bis zur zweiten Trägerfläche erstreckt und elektrisch leitend mit dem aktiven Bereich verbunden ist, und wobei der Verbundkörper zugstabil ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE102015111574A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：DE102015111574

申请日：2015-07-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER CHRISTIAN ,  PERZLMAIER KORBINIAN

IPC: H01L27/15 ,  G09F9/33 ,  H01L21/301 ,  H01L21/76 ,  H01L21/78 ,  H01L25/04 ,  H01L25/075 ,  H01L27/144

Abstract: Es wird eine optoelektronische Anordnung angegeben, umfassend – einen Formkörper (2) mit einer Bodenfläche (2b), – eine erste Pixelgruppe (41), der eine Vielzahl von Pixeln (1) zugeordnet ist, jeweils aufweisend einen ersten Halbleiterbereich (11), einen zweiten Halbleiterbereich (12) und einen aktiven Bereich (10), – eine Vielzahl von Trennstrukturen (3), die zwischen den Pixeln (1) angeordnet sind, und – zumindest eine erste Kontaktstruktur (51, 52, 53) aufweisend eine erste Kontaktebene (51) und eine erste Kontaktstelle (52), die an der Bodenfläche (2b) frei zugänglich ist, wobei – die Pixel (1) der ersten Pixelgruppe (41) nebeneinander an der Deckfläche (2a) angeordnet sind, – die ersten Halbleiterbereiche (11) und/oder die zweiten Halbleiterbereiche (12) benachbarter Pixel (1) der ersten Pixelgruppe (41) mittels der Trennstrukturen (3) voneinander elektrisch isoliert sind, – der ersten Pixelgruppe (41) eine erste Kontaktstruktur (51, 52, 53) eineindeutig zugeordnet ist, und – die ersten Halbleiterbereiche (11) der Pixel (1) der ersten Pixelgruppe (41) mittels der ersten Kontaktebene (51) elektrisch leitend miteinander verbunden sind und mittels der ersten Kontaktstelle (52) elektrisch kontaktierbar sind.

公开(公告)号：DE102015108056A1

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：DE102015108056

申请日：2015-05-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  RAMMELSBERGER STEFANIE ,  KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA ,  IKONOMOV JULIAN ,  LEIRER CHRISTIAN

IPC: H01L33/62

Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauteils umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (C1) mit einem elektrisch leitfähige ausgebildeten Träger (T), einem aktiven Teil (AT), welcher epitaktisch gewachsene Schichten enthält, und einer Zwischenschicht (ZS), welche zwischen dem Träger (T) und dem aktiven Teil (AT) angeordnet ist und ein Lotmaterial enthält. Das optoelektronische Halbleiterbauteil umfasst weiterhin eine elektrische Anschlussstelle, welche eine Unterseite des Trägers (T) zumindest teilweise bedeckt, wobei die elektrische Anschlussstelle auf einer dem Träger (T) zugewandten Seite eine erste Kontaktschicht (KS1) umfasst und die erste Kontaktschicht (KS1) Aluminium enthält oder aus Aluminium besteht.

公开(公告)号：DE102015107526A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：DE102015107526

申请日：2015-05-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  LEIRER CHRISTIAN

IPC: H01L33/62 ,  H01L23/482 ,  H01L25/075 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/08 ,  H01L33/36

Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) weist einen Träger (5) und einen auf dem Träger (5) angeordneten Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge auf. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist und zur Erzeugung oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist. Die erste Halbleiterschicht (21) ist elektrisch leitend mit einem ersten Kontakt (41) verbunden. Der erste Kontakt (41) ist auf einer dem Halbleiterkörper abgewandten Rückseite (52) des Trägers (5) ausgebildet. Die zweite Halbleiterschicht (22) ist elektrisch leitend sowohl mit einem zweiten Kontakt (42) als auch mit einem dritten Kontakt (43) verbunden. Der zweite Kontakt (42) ist auf der dem Halbleiterkörper zugewandten Vorderseite (51) des Trägers (5) und der dritte Kontakt (43) ist auf der dem Halbleiterkörper abgewandten Rückseite (52) des Trägers (5) ausgebildet.

公开(公告)号：DE102015102775A1

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：DE102015102775

申请日：2015-02-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MUERMANN BJÖRN ,  PERZLMAIER KORBINIAN

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/62

Abstract: Eine Anordnung von LED-Chips umfasst mehrere LED-Chips, die eine rechteckige Grundfläche aufweisen. Durch Kontaktdrähte sind die LED-Chips in Serie miteinander verbunden. Die LED-Chips weisen jeweils einen n-Kontakt und einen p-Kontakt auf. Die einzelnen LED-Chips sind so aufgebaut, dass zwei Kontakte in diagonal gegenüberliegenden Ecken der LED-Chips angebracht sind, wobei jeweils ein n-Kontakt und ein p-Kontakt vorgesehen sind. Die LED-Chips sind so angeordnet, dass bei mindestens zwei nebeneinander liegenden LED-Chips ein p-Kontakt in einem ersten LED-Chip und ein n-Kontakt in einem zweiten LED-Chip in den Eckbereichen der jeweiligen LED-Chips vorgesehen sind, die nebeneinander liegen. Die beiden Kontakte sind mit einem Kontaktdraht miteinander verbunden. Eine solche Anordnung von in Serie geschalteten LED-Chips wird LED-Strang genannt. In einem Multi-Chip LED-Gehäuse sind ein solcher LED-Strang oder mehrere LED-Stränge verbaut. Dabei können mehrere LED-Stränge parallel in einem Multi-Chip LED-Gehäuse verbaut sein.

公开(公告)号：DE102014115740A1

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：DE102014115740

申请日：2014-10-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KOPP FABIAN ,  EICHINGER CHRISTIAN ,  PERZLMAIER KORBINIAN

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, umfassend mindestens eine n-dotierte Halbleiterschicht (3), mindestens eine p-dotierte Halbleiterschicht (5) und eine zwischen der mindestens einen n-dotierten Halbleiterschicht (3) und der mindestens einen p-dotierten Halbleiterschicht (5) angeordnete aktive Schicht (4), wobei die p-dotierte Halbleiterschicht (5) mittels einer ersten metallischen Anschlussschicht (8) elektrisch kontaktiert ist, und wobei zwischen der p-dotierten Halbleiterschicht (5) und der ersten Anschlussschicht (8) eine reflexionserhöhende dielektrische Schichtenfolge (6) angeordnet ist, welche mehrere dielektrische Schichten (61, 62) mit verschiedenen Brechungsindizes aufweist.