公开(公告)号：WO2015172937A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：PCT/EP2015/057096

申请日：2015-03-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ, Thomas ,  SINGER, Frank ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  BOGNER, Georg ,  BRUNNER, Herbert ,  SABATHIL, Matthias ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L24/25 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement (1) angegeben, mit - einer Mehrzahl von Halbleiterchips (2), die jeweils eine Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweisen; - einer Strahlungsaustrittsseite (10), die parallel zu den aktiven Bereichen verläuft; - einer Montageseitenfläche (11), die für die Befestigung des Halbleiterbauelements vorgesehen ist und schräg oder senkrecht zur Strahlungsaustrittsseite verläuft; - einem Formkörper (4), der stellenweise an die Halbleiterchips angeformt ist und zumindest bereichsweise die Montageseitenfläche bildet; und - einer Kontaktstruktur (50), die auf dem Formkörper angeordnet ist und zumindest zwei Halbleiterchips der Mehrzahl von Halbleiterchips elektrisch leitend miteinander verbindet. Weiterhin werden eine Beleuchtungsvorrichtung (9) und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements angegeben.

Abstract translation: 本发明公开了一种半导体器件（1），包括： - 多个半导体芯片（2），每一个都具有与设置用于​​产生辐射激活区（20）的半导体层序列（200）; - 一个辐射出射侧（10），其平行于所述有源区; - 安装侧表面，该表面设置用于固定所述半导体器件和倾斜或垂直于所述辐射出射侧（11）; - 这是局部地形成在半导体芯片上并至少部分地成形的主体（4）形成所述安装表面; 和 - 连接其被布置在所述成型体和所述多个半导体芯片彼此电的至少两个半导体芯片的接触结构（50）。 此外，提供了用于制造半导体装置的照明装置（9）和一种方法。

公开(公告)号：WO2015124551A1

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：PCT/EP2015/053278

申请日：2015-02-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VON MALM, Norwin ,  PFEUFFER, Alexander F. ,  VARGHESE, Tansen ,  KREUTER, Philipp

IPC: H01L33/38 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/76898 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/056 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/42 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2933/0016 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (1) mit folgenden Schritten angegeben: a) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer ersten Halbleiterschicht (21), einer zweiten Halbleiterschicht (22) und einem zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordneten, zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (25); b) Ausbilden einer ersten Anschlussschicht (31) auf der der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht; c) Ausbilden einer Mehrzahl von Aussparungen (29) durch die Halbleiterschichtenfolge hindurch; d) Ausbilden einer Leitungsschicht (4) in den Aussparungen zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen der ersten Halbleiterschicht und der ersten Anschlussschicht; und e) Vereinzeln in die Mehrzahl von Halbleiterbauelementen, wobei aus der Halbleiterschichtenfolge für jedes Halbleiterbauelement ein Halbleiterkörper (20) mit zumindest einer der Mehrzahl von Aussparungen hervorgeht und die zumindest eine Aussparung in Draufsicht auf den Halbleiterkörper vollständig von dem Halbleiterkörper umgeben ist. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement angegeben.

Abstract translation: 据说，包括以下步骤制造多个半导体器件（1）的方法：a）提供（2）具有第一半导体层（21），第二半导体层（22的半导体层序列）和一个所述第一半导体层和第二半导体层之间 布置，提供了一种用于产生和/或用于接收辐射有源区（25）; 第二半导体层b的侧）形成在其上背向所述第一半导体层的第一连接层（31）; c）形成的多个凹部（29）通过半导体层序列穿过其中; d）形成在凹部用于产生所述第一半导体层和第一连接层之间的导电连接的导体层（4）; 以及e）分离所述多个半导体器件，其中，对于每个半导体器件中的半导体层序列中，一个半导体主体（20）与所述多个凹部中的至少一个可以看到和其至少完全包围在半导体本体的半导体本体的平面图的凹部。 此外，半导体器件被提供。

公开(公告)号：WO2015117824A1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：PCT/EP2015/051148

申请日：2015-01-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN, Siegfried ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  ILLEK, Stefan ,  SINGER, Frank ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L25/075 ,  H01L33/10 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/10 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben, mit: - einem optoelektronischen Halbleiterchip (2), umfassend - ein Aufwachssubstrat (21) mit einer Aufwachsfläche (21a), - eine auf der Aufwachsfläche (21a) aufgewachsene Schichtenfolge (22) mit einer Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) mit einer aktiven Zone (222), - Kontaktstellen (29) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) und - eine Isolationsschicht (26), die elektrisch isolierend ausgebildet ist - einem Anschlussträger (4), der an der der Aufwachsfläche (21a) abgewandten Deckfläche (2a) des optoelektronischen Halbleiterchips angebracht ist, wobei - die Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) elektrisch leitend mit dem Anschlussträger (4) verbunden ist und - auf einer der Aufwachsfläche (21a) abgewandten Bodenfläche (21c) des Aufwachssubstrats (21) und allen Seitenflächen (21b) des Aufwachssubstrats (21) eine Konversionsschicht (5) aufgebracht ist.

Abstract translation: 本发明提供一种光电子半导体器件（1），包括： - 具有半导体层序列的在生长表面上（21A）生长的层序列（22） - 的光电子半导体芯片（2），包括： - 具有一生长表面（21a）的在生长衬底（21）， （221，222，223）与活性区（222）， - 用于半导体层序列（221，222，223），和电接触的接触点（29） - 一个绝缘层（26）被电形成的绝缘 - 一个连接载体（4 ），则（生长表面21a的从（图2A背向）的光电子半导体芯片的顶面）安装，其特征在于， - 半导体层序列（221，222，223）电连接到所述连接架（4）和 - （在生长表面上21a的一个 ）底表面（背离21c）中生长衬底（21）和（21B）在生长衬底（21）的，转换层（5）施加的所有侧面。

公开(公告)号：WO2015010997A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：PCT/EP2014/065288

申请日：2014-07-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/48 ,  H01L33/00 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/483 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/46 ,  H01L33/486 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0091

Abstract: Es wird ein oberflächenmontierbares optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) angegeben. Das oberflächenmontierbare optoelektronische Halbleiterbauteil (100) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (10), ein strahlungsdurchlässiges Aufwachssubstrat (1), einen Gehäusekörper (20) und eine elektrisch leitende Verbindung (3), wobei der Gehäusekörper (20) zumindest stellenweise zwischen einer Seitenfläche (11) des Aufwachssubstrats (1) und der elektrisch leitenden Verbindung (3) angeordnet ist, der Gehäusekörper sämtliche Seitenflächen des Aufwachssubstrats vollständig bedeckt und der Gehäusekörper auf einer Fläche (12), die der Seitenfläche des Aufwachssubstrats abgewandt ist, Spuren eines Materialabtrags (13) oder Spuren eines Formwerkzeugs (26) aufweist.

Abstract translation: 本发明提供一种表面安装的光电子半导体器件（100）。 表面安装的光电子半导体器件（100）包括的光电子半导体芯片（10），它具备放射线穿透性生长衬底（1），外壳体（20）和导电连接件（3），其中，所述外壳体（20）的至少一个侧表面之间局部地（11） 中，生长衬底（1）和所述导电连接（3）布置，所述外壳体的生长衬底的所有侧表面被完全覆盖和外壳体的表面上（12），其从生长衬底的侧表面面向远离，材料去除（13）或轨道的痕迹 包括一个成型工具（26）。

公开(公告)号：WO2014154632A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/EP2014/055836

申请日：2014-03-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： REILL, Joachim ,  SINGER, Frank ,  VON MALM, Norwin ,  SABATHIL, Matthias

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L23/49805 ,  H01L33/005 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben, mit - einem Halbleiterchip (2), der eine Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist; - einer Strahlungsaustrittsfläche (10), die parallel zum aktiven Bereich verläuft; - einer Montageseitenfläche (11), die für die Befestigung des Halbleiterbauelements vorgesehen ist und schräg oder senkrecht zur Strahlungsaustrittsfläche verläuft und an der zumindest eine Kontaktfläche (51) für die externe elektrische Kontaktierung zugänglich ist; - einem Formkörper (4), der stellenweise an den Halbleiterchip angeformt ist und zumindest bereichsweise die Montageseitenfläche bildet; und - einer Kontaktbahn (55), die auf dem Formkörper angeordnet ist und den Halbleiterchip mit der zumindest einen Kontaktfläche elektrisch leitend verbindet. Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements angegeben.

Abstract translation: 提供了一种光电子半导体器件（1），包括： - 一个半导体芯片（2）具有用于产生辐射激活区（20）的半导体层序列（200）; - 辐射出射面（10），其延伸平行于所述有源区; - 是安装侧表面，该表面设置用于固定或垂直于辐射出射表面和可访问的所述至少一个接触表面（51），用于外部电接触的半导体装置和倾斜（11）; - 这是局部地形成在半导体芯片上并至少部分地成形的主体（4）形成所述安装表面; 和 - 其被设置在模体和与该一个接触片（55）至少导电地连接所述半导体芯片的接触表面。 此外，提供了用于制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：WO2014048988A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/EP2013/069966

申请日：2013-09-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN, Siegfried ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, wobei auf einem Aufwachssubstrat eine Schichtstruktur mit einer positiv dotierten Halbleiterschicht (2 oder 3) und einer negativ dotierten Halbleiterschicht (3 oder 2) mit einer aktiven Zone zur Erzeugung von Licht und einer Spiegelschicht (4) aufgewachsen wird, wobei die Schichtstruktur über eine Verbindungsschicht (8) auf einer ersten Seite eines Trägers (10) befestigt wird, und wobei über eine zweite Seite des Trägers (10) elektrische Kontakte für die Schichtstruktur eingebracht werden und das Aufwachssubstrat entfernt wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种光电子器件和用于制造光电子器件，其中，在生长衬底上的方法，层状结构，包括一个正掺杂半导体层（2或3）和负掺杂半导体层（3或2）的有源区用于产生光并 一镜面层（4）生长时，该层结构是通过一个连接层（8）上的托架（10）的第一侧连接，并且其中，在所述支撑件的第二侧被引入（10）的层结构的电触头和生长衬底 被删除。

公开(公告)号：WO2013186035A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：PCT/EP2013/060882

申请日：2013-05-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/62 ,  H05K1/02 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L23/5386 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0289 ,  H05K2201/0969 ,  H05K2201/10106 ,  H01L2924/00

Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip (100), umfassend - eine Verdrahtungsschicht (3) mit einer ersten elektrisch leitenden Kontaktschicht (21) und einer zweiten elektrisch leitenden Kontaktschicht (22), - einer Isolationsschicht (5), die mit einem elektrisch isolierenden Material gebildet ist, und - zwei optoelektronische Halbleiterkörper (7), wobei jeder der optoelektronischen Halbleiterkörper (7) einen aktiven Bereich (73) umfasst, der zur Strahlungserzeugung vorgesehen ist, wobei - die Isolationsschicht (5) an einer den optoelektronischen Halbleiterkörpern (7) zugewandten Oberseite der zweiten elektrisch leitenden Kontaktschicht (22) angeordnet ist, - die erste elektrisch leitende Kontaktschicht (21) an einer der zweiten elektrisch leitenden Kontaktschicht (22) abgewandten Oberseite der Isolationsschicht (5) angeordnet ist, und - die optoelektronischen Halbleiterkörper (7) durch die Verdrahtungsschicht (3) elektrisch parallel zueinander verschaltet sind.

Abstract translation: 光电子半导体芯片（100）包括： - 具有第一导电接触层（21）和第二导电接触层（22）的布线层（3）， - 一个绝缘层（5），其与一个电绝缘材料形成，以及 - 两个光电子半导体本体（7），每个所述的光电子半导体本体（7）包括设置用于产生辐射，其中的有源区（73） - 所述隔离层（5）上的面朝所述光电子半导体本体（7）的第二导电的顶 接触层被布置（22）， - 所述绝缘层（5）的顶侧上，所述上背离所述第二导电接触层中的一个（22）第一导电接触层（21）的位置，以及 - 所述光电子半导体本体（7）经由配线层（3） 并联电连接。

公开(公告)号：WO2012156121A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：PCT/EP2012/054711

申请日：2012-03-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  VON MALM, Norwin ,  BOGNER, Georg ,  REILL, Joachim ,  GRÖTSCH, Stefan

Inventor： VON MALM, Norwin ,  BOGNER, Georg ,  REILL, Joachim ,  GRÖTSCH, Stefan

IPC: H01L33/20 ,  F21S8/12 ,  F21Y105/00 ,  F21Y101/02

CPC classification number: H01L33/08 ,  F21K9/00 ,  F21S41/141 ,  F21S41/143 ,  F21S41/18 ,  F21S41/663 ,  F21Y2105/12 ,  F21Y2105/14 ,  F21Y2115/10 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L33/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleitermodul (10) angegeben, das eine Mehrzahl von im Betrieb lichtemittierenden Bereichen (1) umfasst, wobei zumindest zwei aufeinander auftreffende Seitenkanten (11a, 11b) zumindest eines lichtemittierenden Bereichs (1) zueinander in einem Winkel (α) von mehr als 0° und weniger als 90° angeordnet sind. Weiter ist ein Display mit einer Mehrzahl von derartigen Modulen (10) angegeben.

Abstract translation: 本发明提供一种光电半导体模块（10）包括多个发射光在所述操作区域（1），其中至少两个连续的入射侧边缘（11A，11B）的至少一个发光区域（1）彼此成一角度（a）中的多 大于0°且小于90°布置。 此外，被指定有多个这样的模块（10）的显示。

公开(公告)号：WO2012031823A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：PCT/EP2011/062741

申请日：2011-07-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HERRMANN, Siegfried ,  VON MALM, Norwin ,  HÖPPEL, Lutz

Inventor： HERRMANN, Siegfried ,  VON MALM, Norwin ,  HÖPPEL, Lutz

IPC: H05B33/08 ,  H01L41/04

CPC classification number: H05B33/08 ,  F21L13/06 ,  H01L41/044 ,  H01L41/107 ,  H05B33/0809

Abstract: Es wird eine Beleuchtungsvorrichtung angegeben, mit einem Piezo-Transformator (1), der eine Montagefläche (10) aufweist, an der zumindest zwei ausgangseitige Anschlussstellen (11) angeordnet sind, und zumindest einer substratlosen Lumineszenzdiode (2), die zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist, wobei die zumindest eine substratlose Lumineszenzdiode (2) zumindest mittelbar auf die Montagefläche (10) aufgebracht und mechanisch an der Montagefläche (10) befestigt ist, und die zumindest eine substratlose Lumineszenzdiode (2) elektrisch an zumindest zwei der ausgangseitigen Anschlussstellen (11) elektrisch leitend angeschlossen ist.

Abstract translation: 提供了一种照明装置，具有在其上的至少两个输出侧端子（11）被布置在安装表面（10）上的压电变压器（1），和至少一个无基材的发光二极管（2），用于产生电磁辐射， 被建立，其特征在于，所述至少一个基材的发光二极管（2）至少间接地固定在安装表面（10）上施加与机械到安装表面（10）和所述至少一个基材的发光二极管（2）电连接到至少两个输出端侧连接点（11 ）导电连接。

公开(公告)号：WO2012028460A3

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：PCT/EP2011/064185

申请日：2011-08-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HÖPPEL, Lutz ,  VON MALM, Norwin ,  SABATHIL, Matthias

Inventor： HÖPPEL, Lutz ,  VON MALM, Norwin ,  SABATHIL, Matthias

IPC: H01L33/22 ,  H01L25/075 ,  H01L33/00

Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (1), der einen Strahlungserzeugenden aktiven Bereich (13) umfasst, - zumindest zwei Kontaktstellen (2a, 2b) zum elektrischen Kontaktieren des aktiven Bereichs, - einem Träger (3), und - einem Verbindungsmittel (4), das zwischen dem Träger (3) und dem Halbleiterkörper (1) angeordnet ist, wobei - der Halbleiterkörper (1) an seiner dem Träger (3) zugewandten Außenflächen eine Aufrauung (15) aufweist, - der Halbleiterkörper (1) mittels des Verbindungsmittels (4) mechanisch mit dem Träger (3) verbunden ist, - das Verbindungsmittel (4) stellenweise in direktem Kontakt mit dem Halbleiterkörper (1) und dem Träger (3) steht, und - die zumindest zwei Kontaktstellen (2a, 2b) an der dem Träger (3) abgewandten Oberseite des Halbleiterkörpers (1) angeordnet sind.