公开(公告)号：FR2934926A1

公开(公告)日：2010-02-12

申请号：FR0855410

申请日：2008-08-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS ,  TOURNIER ARNAUD

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un capteur d'images comprenant au moins une photodiode (D) et au moins un transistor (M4) formés dans et sur un substrat de silicium (21), l'ensemble de la photodiode et du transistor étant entouré d'un mur d'isolement (23) fortement dopé, caractérisé en ce que le substrat de silicium a une orientation cristalline (110).

公开(公告)号：FR2911007B1

公开(公告)日：2009-10-02

申请号：FR0656033

申请日：2006-12-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： TOURNIER ARNAUD ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H01L31/18

公开(公告)号：FR2910713A1

公开(公告)日：2008-06-27

申请号：FR0611350

申请日：2006-12-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L31/103 ,  H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H01L31/18

Abstract: L'invention concerne une photodiode formée d'une région d'un premier type (210) à l'intérieur d'une région d'un deuxième type (220) d'un substrat semi-conducteur. La région du premier type comprend une première zone (212) comprenant un dopant du premier type à une première concentration (C1) et ayant une première profondeur (P1). Selon l'invention, la région du premier type (210) comprend également une deuxième zone (214) adjacente à la première zone (212), comprenant le dopant du premier type à une deuxième concentration (C2) supérieure à la première concentration (C1) et ayant une deuxième profondeur (P2) inférieure à la première profondeur (P1).L'invention concerne également un procédé de réalisation d'une telle diode.Application à la réalisation de capteurs d'image.

公开(公告)号：FR2910709A1

公开(公告)日：2008-06-27

申请号：FR0611097

申请日：2006-12-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur comprenant une photodiode et un transistor de transfert associé, le procédé comprenant les étapes suivantes :E1 : formation d'une région d'isolement (214) sur un substrat (200),E2 : formation de la diode d'un premier côté (gauche) de la région d'isolement (214), la diode étant auto-alignée sur la région d'isolement (214),E3 : remplacement de la région d'isolement (214) par une grille (226) du transistor de transfert.Application à la fabrication de capteurs d'image CMOS ou CCD.

公开(公告)号：FR2857158B1

公开(公告)日：2006-04-28

申请号：FR0307962

申请日：2003-07-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146 ,  H04N3/15 ,  H04N5/335

Abstract: The process involves transferring electric charges between a photodiode and a detection node via a transfer transistor. A control circuit applies an electric potential on a gate electrode of the transistor, such that an electric potential of a conduction channel of the transistor has a value equal to maximum value of the potential of the node multiplied by a number greater than or equal to one. An independent claim is also included for a luminous flow detection matrix.

公开(公告)号：FR2846147B1

公开(公告)日：2005-09-16

申请号：FR0212851

申请日：2002-10-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CAZAUX YVON ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/363 ,  H04N5/374 ,  H04N3/15

公开(公告)号：FR2820883A1

公开(公告)日：2002-08-16

申请号：FR0101883

申请日：2001-02-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0352

Abstract: A monolithic photodetector including a photodiode, a precharge MOS transistor, a control MOS transistor, a read MOS transistor, and a transfer MOS transistor, the photodiode and the transfer transistor being formed in a same substrate of a first conductivity type, the photodiode including a first region of the second conductivity type formed under a second region of the first conductivity type more heavily doped than the first region, and above a third region of the first conductivity type more heavily doped than the substrate, the first region being the source of the second conductivity type of the transfer transistor, the second and third regions being connected to the substrate and being at a fixed voltage.

公开(公告)号：FR3027156A1

公开(公告)日：2016-04-15

申请号：FR1459727

申请日：2014-10-10

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FAVENNEC LAURENT ,  DUTARTRE DIDIER ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L31/0248 ,  H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une photodiode pincée, comprenant : la formation d'une région (13) de conversion de photons en charges électriques d'un premier type de conductivité sur un substrat (11, 12) du deuxième type de conductivité ; le revêtement de ladite région par une couche d'un isolant (22) fortement dopé du deuxième type de conductivité ; et un recuit assurant une diffusion de dopants en provenance de la couche d'isolant fortement dopé.

公开(公告)号：FR2988907A1

公开(公告)日：2013-10-04

申请号：FR1253034

申请日：2012-04-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MICHELOT JULIEN ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne une cellule d'un capteur d'image, comprenant : une grille (3) s'étendant sur la surface d'un substrat semiconducteur (1) ; une zone de collecte de charges (9) d'un premier type de conductivité et un noeud de lecture (7) du premier type de conductivité ; une première région (23) d'un second type de conductivité s'étendant au moins en partie sous la grille, entre la zone de collecte de charges et le noeud de lecture ; et une seconde région (24) du premier type de conductivité s'étendant sous la grille depuis la surface du substrat jusqu'à la première région.

公开(公告)号：FR2971887B1

公开(公告)日：2013-02-22

申请号：FR1151318

申请日：2011-02-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MICHELOT JULIEN ,  ROY FRANCOIS ,  LALANNE FREDERIC

IPC: H01L27/146