25.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE69525048D1

    公开(公告)日:2002-02-21

    申请号:DE69525048

    申请日:1995-07-27

    Abstract: A vertical PNP transistor integrated in a semiconductor material wafer having an N type substrate (40) and an N type epitaxial layer (41) forming a surface (42). The transistor has a P type buried collector region (43) astride the substrate and the epitaxial layer; a collector sinker (44) insulating an epitaxial tub (45) from the rest of the wafer; a gain-modulating N type buried base region (46; 46'; 46'') astride the buried collector region and the epitaxial tub, and forming a base region with the epitaxial tub; and a P type emitter region in the epitaxial tub. An N type base sinker (47) extends from the surface, through the epitaxial tub to the buried base region. The gain of the transistor may be modulated by varying the extension and dope concentration of the buried base region (46), forming a constant or variable dope concentration profile of the buried base region (46), providing or not a base sinker (47), and varying the form and distance of the base sinker from the emitter region.

    28.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:ITUB20154024A1

    公开(公告)日:2017-03-30

    申请号:ITUB20154024

    申请日:2015-09-30

    Abstract: A vertical conduction integrated electronic device including: a semiconductor body (12); a trench (22) that extends through part of the semiconductor body and delimits a portion (24) of the semiconductor body, which comprises a first conduction region (16) having a first type of conductivity and a body region (40) having a second type of conductivity, which overlies the first conduction region; a gate region (30) of conductive material, which extends within the trench; an insulation region (39a) of dielectric material, which extends within the trench and is arranged between the gate region and the body region; and a second conduction region (20), which overlies the body region. The second conduction region is formed by a conductor.

    Verfahren und System zum Verarbeiten von Daten von erfasstem Ionisationsstrom für Echtzeitschätzung von Brennraumdruck in einem Motor mit Funkenzündung

    公开(公告)号:DE102014005866A1

    公开(公告)日:2014-11-13

    申请号:DE102014005866

    申请日:2014-04-23

    Abstract: Der Druck in dem Brennraum eines elektronisch gesteuerten Motors mit Zündkerzenzündung kann ohne spezielle Sensoren im Echtzeitmodus geschätzt werden, indem erfasste Ionisationsstromdaten verarbeitet werden, um Merkmale der Stromwellenform zu berechnen, die nachgewiesenerweise mit dem Druck innerhalb des Motorzylinders korrelieren, und diese auf der Grundlage einer Nachschlagetabelle von zeitinvarianten Korrelationskoeffizienten, die durch eine Kalibrierungskampagne von Tests an einem gezielt mit Sensoren ausrüsteteten Testmotor erzeugt werden, in Korrelation zu setzen. Ein mathematisches Modell des elektrischen und physischen Zündkerzenzündungssystems und des Brennraums des Motors wird während der Kalibrierung durch wiederholtes Testen der interaktiven Leistung von Korrelationskoeffizienten von zugehörigen Termen eines mathematischen Ausdrucks des Modells und Vergleichen des ausgedrückten Druckwerts mit dem tatsächlichen Druckwert, wie von einem Sensor gemessen, verfeinert. Die erzeugte Nachschlagetabelle und das verfeinerte Modell sind in ein fahrzeugeigenes System eingebettet, das den Ionisationsstrom in dem laufenden Motor erfasst, mindestens eines oder mehrere wesentliche Merkmale der Wellenform des erfassten Ionisationsstroms misst oder berechnet und einen oder mehrere der gemessenen oder berechneten Merkmalswerte zusammen mit der Matrix von zeitinvarianten Koeffizienten und mit einem Satz von tatsächlichen Werten der Parameter außer dem Druck und/oder der Steuereinstellungen des laufenden Motors verarbeitet, um einen ausgewerteten Wert des Brennraumdrucks zu erzeugen. Ausführungsformen des Kalibrierungsprozesses und von Echtzeiterfassung von Ionenstromdaten, analoges Filtern, A/D-Umwandlung und Schätzung des Drucks (CCP) sind offenbart.

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