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公开(公告)号：CN1657401B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200510009071.9
申请日：2005-02-17
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C2201/0115 , B81C2201/014 , G01L9/0042 , G01L9/0054
Abstract: 本发明描述了一种微机械的半导体元件、以及一种制造微机械的半导体元件的方法，其中，半导体元件尤其设计用作压力传感器。这里，为了制造，在一个半导体衬底上制作出一个局部有限的、埋入的、至少部分氧化的多孔的层。有利的是，接下来通过一个沟槽蚀刻工艺，从背侧直接在该多孔的第一层下面，在半导体衬底中制造出一个空洞。本发明的核心是：该多孔的第一层用作开沟槽的终止层。这样能够制造出具有很小的厚度公差的用于差动压力测量的薄膜片。
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公开(公告)号：CN102056839A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121874.X
申请日：2009-04-21
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C2201/0115 , B81C2201/0136 , G01L9/0042
Abstract: 本发明提出一种用于制造具有来自衬底背侧的入口的微机械膜片结构的方法。所述方法基于p掺杂的硅衬底(1)并且包括以下方法步骤：n掺杂衬底表面的至少一个连续的栅格状区域(2)，多孔蚀刻所述n掺杂的栅格结构(2)下方的衬底区域(5)，在所述n掺杂的栅格结构(2)下方的所述衬底区域(5)中产生一空腔(7)；在所述n掺杂的栅格结构(2)上生长第一单晶的硅外延层(8)。其特征在于，如此确定所述n掺杂的栅格结构(2)的至少一个开口(6)的尺寸，使得它不被生长的第一外延层(8)封闭，而是形成通到所述空腔(7)的进入开口(9)；在空腔壁上产生氧化层(10)；产生通到所述空腔(7)的背侧入口(13)，其中，所述空腔壁上的氧化层(10)充当蚀刻终止层；以及去除所述空腔(7)的区域中的氧化层(10)，使得形成通到被构造在所述空腔(7)上方的膜片结构(14)的背侧入口(13)。
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公开(公告)号：CN101778796A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200880022019.9
申请日：2008-04-28
Applicant: 得克萨斯大学体系董事会 , 俄亥俄州立大学研究基金会
CPC classification number: A61K9/0097 , A61K9/1611 , A61K9/1694 , B81C99/008 , B81C2201/0115 , B82Y30/00 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/14 , C09C1/30 , C09C1/3081
Abstract: 提供了包括第一多孔区域和不同于该第一多孔区域的第二多孔区域的颗粒。还提供了具有湿法蚀刻的多孔区域并且具有与该湿法蚀刻有关的成核层的颗粒。还提供了制备多孔颗粒的方法。
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公开(公告)号：CN1564780A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN02819846.8
申请日：2002-07-25
Applicant: 罗伯特-博希股份公司
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C2201/0115 , B81C2201/0136 , G01L9/0042
Abstract: 本发明涉及一种制造一个具有一个半导体载体(1)的半导体构件的方法，其中为形成无支护的用于一个构件的结构(3)而制造了一个平面的多孔的薄膜层(3)和一个在该多孔薄膜层(3)之下的凹槽(2)。本发明的任务是避免在制造时或者在有规则地出现的使用情况下发生薄膜损坏。所述任务可以通过不同的方式措施来解决。在第一种解决方案中半导体载体(1)在薄膜部位中与凹槽相比获得不同的掺杂，因而可以制成不同的孔隙尺寸和/或孔隙率，这在产生凹槽时可以用来改善腐蚀气体的运输。然而该任务也可以在薄膜部位中产生中孔隙，而在以后的凹槽部位中产生纳米孔隙来作为辅助结构。此外还建议了一个基于一种或多种所述方法的半导体构件。
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公开(公告)号：CN1427749A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN01808233.5
申请日：2001-04-17
Applicant: 宾夕法尼亚州研究基金会
IPC: B05D5/12
CPC classification number: B81C1/0038 , B81C99/008 , B81C2201/0109 , B81C2201/0115 , B81C2203/0127 , C23C16/24 , C23C16/511
Abstract: 本发明使用大表面积体积比材料层用于分离、释放层和牺牲层材料应用。本发明概述了材料概念、应用设计、以及制造方法。使用柱形/孔隙网络材料作为大表面积体积比材料层的一个例子介绍了本发明。在介绍的多个具体应用，优选在母基片的叠层上形成结构，然后使用本发明分离方案的分离层材料法将该叠层与母基片分离。本发明具有极好的释放层应用。在多个应用中，本发明的方法可以用于独特地形成腔体、沟槽、空气隙、以及各种基片上或内的相关结构。此外，可以并且优选将叠层分离方案与形成腔体的方案结合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105682780B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201380080641.6
申请日：2013-10-30
Inventor： 罗格·A·麦凯 , 帕特里克·W·萨迪克
IPC: B01D69/00
CPC classification number: B81C1/00539 , B81B2201/058 , B81C1/00119 , B81C2201/0115 , B81C2201/014 , C23C14/5873 , C23F1/02 , C23F1/16 , H01M4/0492 , H01M4/386
Abstract: 蚀刻岛被形成在衬底的第一面和衬底的与第一面不平行的第二面上。衬底的第一面和第二面同时暴露至与蚀刻岛反应的溶液，以同时形成延伸到第一面和第二面内的多孔区域。
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公开(公告)号：CN103569948B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310319903.1
申请日：2013-07-26
Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
Inventor： R·K·科特兰卡 , R·库马尔 , P·奇拉亚瑞卡帝维度桑卡拉皮莱 , H·林 , P·耶勒汉卡
CPC classification number: B81B7/0006 , B81C1/00269 , B81C3/001 , B81C2201/0115 , H01L21/50 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种使用多孔化表面用于制作堆栈结构的接合方法，其中，揭露有具有至少一多孔化表面的接合装置。多孔化工艺将纳米多孔性孔洞带进装置接合表面的微结构。多孔化材料的材料特性比非多孔化材料软。对于相同的接合条件，与非多孔化材料相比较，多孔化接合表面的使用得强化接合接口的接合强度。
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公开(公告)号：CN105682780A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201380080641.6
申请日：2013-10-30
Inventor： 罗格·A·麦凯 , 帕特里克·W·萨迪克
IPC: B01D69/00
CPC classification number: B81C1/00539 , B81B2201/058 , B81C1/00119 , B81C2201/0115 , B81C2201/014 , C23C14/5873 , C23F1/02 , C23F1/16 , H01M4/0492 , H01M4/386
Abstract: 蚀刻岛被形成在衬底的第一面和衬底的与第一面不平行的第二面上。衬底的第一面和第二面同时暴露至与蚀刻岛反应的溶液，以同时形成延伸到第一面和第二面内的多孔区域。
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公开(公告)号：CN103991838A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410056864.5
申请日：2014-02-19
Applicant: 法国原子能及替代能源委员会
Inventor： 埃里克·奥利耶
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00515 , B81C1/00206 , B81C1/00412 , B81C1/00626 , B81C2201/0114 , B81C2201/0115 , B81C2201/038
Abstract: 本发明提供了一种用于制造包括多孔表面的微米和/或纳米机械结构的方法。该方法包括由包含支撑基板和牺牲层的元件开始的以下步骤：a）形成第一层，所述第一层的至少一部分是多孔的，b）在所述第一层上形成提供结构的机械特性的由一种（或多种）材料制成的层，称为中间层，c）在所述中间层上形成第二层，所述第二层的至少一部分是多孔的，d）在由所述第一层、中间层和第二层构成的堆叠中形成所述结构，e）通过至少部分地去除所述牺牲层来剥离所述结构。
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公开(公告)号：CN101778796B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200880022019.9
申请日：2008-04-28
Applicant: 得克萨斯大学体系董事会 , 俄亥俄州立大学研究基金会
CPC classification number: A61K9/0097 , A61K9/1611 , A61K9/1694 , B81C99/008 , B81C2201/0115 , B82Y30/00 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/14 , C09C1/30 , C09C1/3081
Abstract: 提供了包括第一多孔区域和不同于该第一多孔区域的第二多孔区域的颗粒。还提供了具有湿法蚀刻的多孔区域并且具有与该湿法蚀刻有关的成核层的颗粒。还提供了制备多孔颗粒的方法。
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