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    METHOD OF MANUFACTURING INERTIAL SENSOR
    22.
    发明申请
    METHOD OF MANUFACTURING INERTIAL SENSOR 审中-公开
    制造传感器的方法

    公开(公告)号：US20120267825A1

    公开(公告)日：2012-10-25

    申请号：US13184564

    申请日：2011-07-17

    Applicant: Sung Jun LEE ,  Won Kyu JEUNG

    Inventor： Sung Jun LEE ,  Won Kyu JEUNG

    IPC: B29C70/00

    CPC classification number: G01C19/56 ,  B81B2201/025 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0187 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/09

    Abstract: The method of manufacturing an inertial sensor includes: (A) disposing a first mold 120 and a second mold 125 on both surfaces of a predetermined region R in a plate-shaped membrane 110, (B) forming a mass body 130, a post 140, and an upper cap 150 through a plating process or a filling process, (C) disposing a third mold 160 on an exposed surface of the first mold 120 and the mass body 130, and (D) forming a lower cap 170 through the plating process or the filling process. Since the mass body 130 is made of metal by a plating process or a filling process, the density of the mass body 130 may be increased and the mass body 130 may be formed to have a structure of a high aspect ratio, thereby improving the sensitivity of the inertial sensor 100.

    Abstract translation: 惯性传感器的制造方法包括：（A）在板状膜110中的规定区域R的两面上设置第一模具120和第二模具125，（B）形成质量体130，柱140 ，以及通过电镀处理或填充处理的上盖150，（C）在第一模具120和质量体130的暴露表面上设置第三模具160，以及（D）通过电镀形成下盖170 过程或填充过程。 由于质量体130通过电镀处理或填充处理由金属制成，因此可以增加质量体130的密度，并且可以将质量体130形成为具有高纵横比的结构，从而提高灵敏度 的惯性传感器100。

    物理量センサーの製造方法、物理量センサー、電子機器、および移動体
    25.
    发明专利
    物理量センサーの製造方法、物理量センサー、電子機器、および移動体 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018163119A

    公开(公告)日：2018-10-18

    申请号：JP2017061700

    申请日：2017-03-27

    Applicant: セイコーエプソン株式会社

    Inventor： 田中 悟

    IPC: G01P15/08 ,  H01L29/84 ,  G01C19/5769 ,  G01P15/125

    CPC classification number: B81C1/00166 ,  B60R16/0231 ,  B60R25/24 ,  B81B3/0008 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0187 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0831

    Abstract: 【課題】容量オフセットを小さくすることができる物理量センサーを提供する。 【解決手段】基板上に、第1固定電極、第2固定電極、およびダミー電極を形成する電極形成工程と、可動体形成工程と、を含み、前記電極形成工程は、前記基板上に第1マスク層を形成する工程と、前記基板上および前記第1マスク層上に第1導電層を成膜し、前記第1マスク層を除去して、第1電極材料層を形成する工程と、前記基板上および前記第1電極材料層上に、第2導電層を成膜する工程と、前記第2導電層上にマスク材料層を成膜し、平面視において前記マスク材料層の前記第1電極材料層と重なっていない部分の一部を除去して、第2マスク層を形成する工程と、前記第2導電層が、前記第1電極材料層上および前記基板上に設けられるように、前記第2マスク層をマスクとして前記第2導電層をエッチングし、第2電極材料層を形成する工程と、を有する、物理量センサーの製造方法。 【選択図】図5

    METHOD OF FABRICATING A DIAMOND MEMBRANE
    26.
    发明申请
    METHOD OF FABRICATING A DIAMOND MEMBRANE 审中-公开
    制作金刚石薄膜的方法

    公开(公告)号：WO2016058037A1

    公开(公告)日：2016-04-21

    申请号：PCT/AU2015/000625

    申请日：2015-10-15

    Applicant: THE UNIVERSITY OF MELBOURNE

    Inventor： PIRACHA, Afaq Habib ,  PRAWER, Steven ,  GANESAN, Kumaravelu ,  TOMLJENOVIC-HANIC, Snjezana ,  LAU, Desmond

    IPC: C30B25/04 ,  C30B29/04 ,  C23C16/27

    CPC classification number: C30B25/20 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/362 ,  B23K2203/50 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/0146 ,  B81C2201/0187 ,  B81C2201/0198 ,  C23C16/042 ,  C23C16/274 ,  C23C16/279 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/56 ,  C25F3/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/18 ,  C30B29/04 ,  C30B33/10 ,  C30B33/12

    Abstract: The present disclosure provides a method of fabricating a diamond membrane. The method comprises providing a substrate and a support structure. The substrate comprises a diamond material having a first surface and the substrate further comprises a sub-surface layer that is positioned below the first surface and has a crystallographic structure that is different to that of the diamond material. The sub-surface layer is positioned to divide the diamond material into first and second regions wherein the first region is positioned between the first surface and the sub-surface layer. The support structure also comprises a diamond material and is connected to, and covers a portion of, the first surface of the substrate. The method further comprises selectively removing the second region of the diamond material from the substrate by etching away at least a portion of the sub-surface layer of the substrate.

    Abstract translation: 本公开提供了制造金刚石膜的方法。 该方法包括提供基底和支撑结构。 衬底包括具有第一表面的金刚石材料，并且衬底还包括位于第一表面下方并具有不同于金刚石材料的晶体结构的次表面层。 子表面层被定位成将金刚石材料分成第一和第二区域，其中第一区域位于第一表面和子表面层之间。 支撑结构还包括金刚石材料并且连接到衬底的第一表面并且覆盖衬底的第一表面的一部分。 该方法还包括通过蚀刻除去衬底的次表面层的至少一部分来从衬底选择性地去除金刚石材料的第二区域。

    나노입자로 조립된 3차원 구조물 제조방법
    27.
    发明申请
    나노입자로 조립된 3차원 구조물 제조방법 审中-公开
    用纳米颗粒生产三维结构的方法

    公开(公告)号：WO2014010808A1

    公开(公告)日：2014-01-16

    申请号：PCT/KR2013/001702

    申请日：2013-03-04

    Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단

    Inventor： 최호섭 ,  최만수

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: B81C1/00373 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0187 ,  Y10T428/24893

    Abstract: 본 발명은 패턴-천공된 마스크를 이용하여 나노입자로 조립된 3차원 구조물을 제조하는 방법에 관한 것으로서, (1) 접지된 반응기 내에서, 패터닝하고자 하는 기판 위에, 소정 폭(w)으로 천공된 패턴을 갖는 마스크를 상기 기판으로부터 소정거리(d) 이격되도록 위치시키고, 전압을 인가하여 전기적 집속 렌즈를 형성하는 단계; 및 (2) 하전된 나노입자를 도입하여, 마스크의 패턴을 통해 하전입자를 기판으로 유도하여 하전된 나노입자를 3차원 형상으로 기판에 집속 부착되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이러한 본 발명의 방법에 의하면, 노이즈 패턴을 생성하지 않으면서 다양한 형상의 3차원 구조물을 고정밀, 고효율로 제조할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及使用图案穿孔掩模制造用纳米颗粒组装的三维结构的方法。 本发明包括：（1）通过将具有预定宽度（w）的预定宽度（w）的穿孔图案的掩模远离待接地反应器中待图案化的基板定位并形成电聚焦透镜的步骤， 在基板上的电压; 和（2）引入带电荷的纳米颗粒并通过掩模的图案将带电粒子引导到基底的步骤，使得带电的纳米粒子以三维形状聚焦并附着到基底上。 根据本发明，可以以高精度和高效率生产各种形状的三维结构，而不产生噪声图案。

    NANOSHAPE PATTERNING TECHNIQUES THAT ALLOW HIGH-SPEED AND LOW-COST FABRICATION OF NANOSHAPE STRUCTURES
    28.
    发明申请
    NANOSHAPE PATTERNING TECHNIQUES THAT ALLOW HIGH-SPEED AND LOW-COST FABRICATION OF NANOSHAPE STRUCTURES 审中-公开
    纳米结构的高速和低成本纳米结构的纳米技术

    公开(公告)号：WO2016065308A1

    公开(公告)日：2016-04-28

    申请号：PCT/US2015/057196

    申请日：2015-10-23

    Applicant: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM

    Inventor： SREENIVASAN, Sidlgata, V. ,  CHERALA, Anshuman ,  CHOPRA, Meghali ,  BONNECAZE, Roger ,  ABED, Ovadia ,  YIN, Bailey ,  MALLAVARAPU, Akhila ,  SINGHAL, Shrawan ,  GAWLIK, Brian

    IPC: C03C15/00

    CPC classification number: H01L21/02521 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0187 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G11B5/746 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/3086 ,  H01L29/945 ,  Y10S977/887 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/89

    Abstract: A method for template fabrication of ultra-precise nanoscale shapes. Structures with a smooth shape (e.g., circular cross-section pillars) are formed on a substrate using electron beam lithography. The structures are subject to an atomic layer deposition of a dielectric interleaved with a deposition of a conductive film leading to nanoscale sharp shapes with features that exceed electron beam resolution capability of sub- 10 nm resolution. A resist imprint of the nanoscale sharp shapes is performed using J-FIL. The nanoscale sharp shapes are etched into underlying functional films on the substrate forming a nansohaped template with nanoscale sharp shapes that include sharp corners and/or ultra-small gaps. In this manner, sharp shapes can be retained at the nanoscale level. Furthermore, in this manner, imprint based shape control for novel shapes beyond elementary nanoscale structures, such as dots and lines, can occur at the nanoscale level.

    Abstract translation: 一种超精密纳米尺寸模板制作方法。 使用电子束光刻在基板上形成具有平滑形状（例如圆形横截面支柱）的结构。 这些结构经历了与导电膜沉积交错的介质的原子层沉积，导致具有超过10nm分辨率的电子束分辨能力的特征的纳米级锐利形状。 使用J-FIL进行纳米级锐利形状的抗蚀刻印刷。 将纳米级尖锐形状蚀刻到基底上的下面的功能膜中，形成具有包括尖角和/或超小间隙的纳米尖锐形状的纳米成形模板。 以这种方式，尖锐的形状可以保持在纳米级。 此外，以这种方式，可以在纳米尺度上发生基本的纳米尺度结构（例如点和线）之外的新颖形状的基于压印的形状控制。

    VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VORRICHTUNG MIT MIKRO- ODER NANOSTRUKTUREN
    29.
    发明申请
    VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VORRICHTUNG MIT MIKRO- ODER NANOSTRUKTUREN 审中-公开
    装置和方法用于生产具有微米或纳米结构A DEVICE

    公开(公告)号：WO2016005464A1

    公开(公告)日：2016-01-14

    申请号：PCT/EP2015/065629

    申请日：2015-07-08

    Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.

    Inventor： GOEHLICH, Andreas ,  JUPE, Andreas ,  VOGT, Holger

    IPC: H01L21/768 ,  H01L23/482 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/525 ,  H01L23/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/00

    CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81B7/0003 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/042 ,  B81C1/0019 ,  B81C2201/0187 ,  H01L23/4821 ,  H01L23/5256

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung mit Bereitstellen eines Substrats mit einer Elektrode beschrieben, die an einer Hauptseite des Substrats freiliegt. Ferner umfasst das Verfahren das Bilden einer Mikro- oder Nanostruktur, die einen Abstandshalter aufweist, der auf der Elektrode fußt, wobei das Bilden folgende Schritte aufweist: Abscheiden einer Opferschicht auf der Hauptseite, wobei die Opferschicht amorphes Silizium (a-Si) oder Siliziumdioxid (SiO 2 ) enthält; Strukturieren eines Loches und/oder Grabens in die Opferschicht mittels eines DRiE-Prozesses; Beschichten der Opferschicht mittels ALD oder MOCVD, so dass sich Material der Nano- oder Mikrostruktur an dem Loch und/oder Graben bildet sowie Entfernen der Opferschicht.

    Abstract translation: 它是用一个电极，用于制造装置具有提供在所述基板的一个主面露出的衬底的方法进行说明。 此外，该方法包括形成微结构或纳米结构，其中有一个隔离件，它是基于在电极上，其中，所述形成步骤包括：在主侧上，其中所述牺牲层是无定形硅（a-Si）或氧化硅（沉积牺牲层 二氧化硅）包含; 图案化在使用DRIE工艺的牺牲层中的孔和/或沟槽; 涂覆使用ALD或MOCVD，以形成在孔和/或沟槽中的纳米或微米结构的材料的牺牲层以及去除牺牲层。

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