公开(公告)号：CN103935953B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201410172235.9

申请日：2014-04-25

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 徐元俊 ,  颜毅林 ,  薛维佳

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00396 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/0198 ,  B81C2201/053

Abstract: 本发明提供一种复合腔体的形成方法，包括步骤：提供硅衬底；在其正面形成氧化层；对氧化层作图形化，形成一个或多个凹槽，凹槽的位置与待形成的小腔体的位置对应；提供键合片，将其与图形化的氧化层键合，在硅衬底与键合片之间形成一个或多个密闭的微腔结构；在键合片的上方形成保护膜，并在硅衬底的背面形成掩蔽层；对掩蔽层作图形化，掩蔽层的图形与待形成的大腔体的位置对应；以掩蔽层为掩模，从背面刻蚀硅衬底至其正面的氧化层，在硅衬底中形成大腔体；以掩蔽层和氧化层为掩模，从背面穿过硅衬底刻蚀键合片至其上方的保护膜，在键合片中形成一个或多个小腔体。本发明很好地控制了复合腔体中小腔体所在的半导体介质层的厚度均匀性。

公开(公告)号：CN105236345A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510608392.4

申请日：2015-09-22

Applicant: 杭州士兰微电子股份有限公司 ,  杭州士兰集成电路有限公司

Inventor： 季锋 ,  闻永祥 ,  刘琛 ,  周浩

IPC: B81B7/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0038 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/033 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00285 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2201/0198 ,  B81C2203/0109 ,  H01L23/26

Abstract: 本发明提供了一种MEMS器件、半导体器件及其制造方法，所述MEMS器件具有密闭的腔体，所述腔体具有在第一平面内延伸的内壁，所述内壁包括用于淀积吸气剂薄膜的薄膜淀积区域，所述薄膜淀积区域形成有一个或多个凹槽，所述凹槽的侧壁与所述第一平面的夹角大于0°且小于180°，所述吸气剂薄膜覆盖所述凹槽的侧壁。本发明能够在常规的蒸发、溅射设备上以较小的入射角度形成吸气剂薄膜，即形成多孔性、高粗糙度的吸气剂薄膜。

公开(公告)号：CN105068166A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510275299.6

申请日：2015-05-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心

Inventor： 欧欣 ,  贾棋 ,  斯蒂芬·福斯柯 ,  王曦

IPC: G02B5/18

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81C2201/0198 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/302

Abstract: 本发明的高线密度极紫外多层膜闪耀光栅的制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，采用低能离子束辐射所述衬底的表面，形成锯齿状纳米结构周期阵列；然后在所述锯齿状纳米结构周期阵列的表面生长周期性多层膜，形成极紫外多层膜闪耀光栅。本发明制备极紫外多层膜闪耀光栅只需要两步，大大简化了传统制备方法的复杂工艺。此外，采用本发明的制备方法，将大大增加闪耀光栅的栅线密度，从而大幅度地提高极紫外多层膜闪耀光栅的衍射效率和光谱分辨率。

公开(公告)号：CN103562245A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280019810.0

申请日：2012-03-16

Applicant: LG化学株式会社 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 韩阳奎 ,  李济权 ,  金水火

IPC: C08F297/00 ,  C08F220/10 ,  C08F220/54 ,  G03F7/00 ,  C08J5/18

CPC classification number: C08F22/38 ,  B81C1/00396 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C08F220/18 ,  C08F220/56 ,  C08F293/005 ,  C08F2438/03 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及一种二嵌段共聚物、制备该共聚物的方法以及使用该共聚物形成纳米图案的方法，所述二嵌段共聚物可以有助于形成更精细的纳米图案，并可以用于制造包括纳米图案的电子器件或生物传感器等。该二嵌段共聚物包含：刚性链段，其包含至少一个特定的基于丙烯酰胺的重复单元；以及柔性链段，其包含至少一个(甲基)丙烯酸酯类重复单元。

公开(公告)号：CN102015524A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115861.1

申请日：2009-04-20

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 丹·B·米尔沃德 ,  唐纳德·维斯特摩兰

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L29/0657 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0223 ,  H01L29/06 ,  Y10S438/947 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/895 ,  Y10S977/90 ,  Y10T428/24182 ,  Y10T428/24521 ,  Y10T428/2462 ,  Y10T428/249921

Abstract: 本发明提供利用自我组装嵌段共聚物制造呈成列阵列的亚光刻纳米级微结构的方法以及自所述方法形成的膜和装置。

公开(公告)号：CN105637405B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201480057389.1

申请日：2014-11-07

Applicant: 住友精密工业株式会社

Inventor： 平田泰之 ,  松冈元

IPC: G02B26/08 ,  B81C1/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B81C1/00492 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00404 ,  B81C1/00603 ,  B81C2201/0102 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0198 ,  G02B26/0841

Abstract: 在从第一硅层(210)侧对SOI基板(200)进行蚀刻的第一蚀刻工序中，将第一结构体中的由第一硅层(210)所构成的部分形成为具有比最终形状还大的形状的预结构。在将最终掩模(390)形成在SOI基板(200)的第二硅层(230)侧的掩模形成工序中，将与第一结构体的最终形状对应的第一掩模(391)形成为布置在预结构内。在从第二硅层(230)侧对SOI基板(200)进行蚀刻的第二蚀刻工序中，通过利用第一掩模(391)对第二硅层(230)和预结构进行蚀刻，从而形成第一结构体的最终形状。

公开(公告)号：CN104986722B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201510275200.2

申请日：2015-05-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心

Inventor： 欧欣 ,  斯蒂芬·福斯柯 ,  贾棋 ,  王曦

IPC: B81C1/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81C2201/0198 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/302

Abstract: 本发明提供一种纳米图形化的方法，所制备结构单元具有周期性排列，所述纳米图形化方法包括以下步骤：提供至少由两种化学元素组成的单晶材料的衬底；对衬底或表面进行加热；利用离子束辐照衬底表面，在衬底表面产生空位。

公开(公告)号：CN106672896A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201710019539.5

申请日：2017-01-12

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 陈云 ,  李力一 ,  麦锡全 ,  陈新 ,  刘强 ,  汪正平

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00849 ,  B81C1/00373 ,  B81C1/00412 ,  B81C2201/01 ,  B81C2201/0198

Abstract: 一种任意三维微结构的加工方法，包括如下步骤：(1)将硅或III‑V族半导体材料的工件清洗干燥；(2)在工件衬底上旋涂一层光刻胶，加盖所需微结构形状的掩膜板、曝光，曝光的光刻胶经过显影去除；去除曝光的光刻胶；蒸镀钛(Ti)和金(Au)层；(3)将刻蚀路线各段分别映射到沿x、y、z轴三个方向；根据不同的刻蚀转向角度配置相应的刻蚀液，刻蚀液可沿着工件的某一晶向进行刻蚀；(4)将工件放入对应起始角度的刻蚀液中进行刻蚀；(5)取出工件，浸入预设刻蚀转向角度对应的刻蚀液中进行刻蚀；若需要多个转向弯折点，则重复步骤(4)和步骤(5)；本发明可实现在加工件上可形成任意规则的复杂三维微结构，其操作简单且成本低廉。

公开(公告)号：CN106629581A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201611206291.5

申请日：2016-12-23

Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司

Inventor： 许开东

IPC: B81C1/00 ,  G01J5/02

CPC classification number: B81C1/00388 ,  B81C2201/01 ,  B81C2201/0198 ,  G01J5/02

Abstract: 本发明公开一种全湿法腐蚀形成器件结构的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上键合石英玻璃，并对所述石英玻璃进行减薄；在所述减薄后的石英玻璃上形成钛钨合金层；在所述钛钨合金上形成铝层或者铝铜合金层；形成光刻胶并进行光刻图形化；以所述图形化后的光刻胶为掩膜，采用铝腐蚀液对所述铝层或铝铜合金层进行湿法腐蚀；湿法去除光刻胶；以及以所述湿法腐蚀后的铝层或铝铜层为掩膜，采用钛钨腐蚀液对所述钛钨合金层进行湿法腐蚀，其中所述钛钨腐蚀液包含碱性溶液和双氧水，并且pH值介于6～8之间。本发明优化了工艺流程步骤，有效降低了生产成本。

公开(公告)号：CN106629573A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201611245039.5

申请日：2016-12-29

Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司

Inventor： 康晓旭 ,  李铭 ,  周炜捷

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0009 ,  B81B2207/11 ,  B81C1/00103 ,  B81C1/00404 ,  B81C2201/0198

Abstract: 本发明提供了一种改善台阶侧壁的薄膜刻蚀不完全的结构及方法，该结构包括：在台阶侧壁依次设置的且高度递减的至少一个支撑层，使得支撑层形成的结构的顶部形成递减缓变坡度，从而使得后续沉积的薄膜在台阶侧壁处也呈缓变递减的坡度，台阶侧壁的薄膜的厚度与台阶表面的薄膜的厚度较为一致，那么在后续刻蚀台阶侧壁的薄膜时，可以有效避免现有的由于侧壁薄膜较厚而且横向刻蚀速率较低，导致台阶侧壁的薄膜刻蚀不完全的问题。