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公开(公告)号：CN103827701B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201280047176.1
申请日：2012-09-18
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G03F7/702 , B82Y10/00 , C23C16/308 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: 本发明涉及一种用在例如EUV光刻设备或EUV掩模度量系统中的反射镜(13)，包括：基板(15)和反射EUV辐射(6)的涂层(16)，所述反射涂层具有由氮氧化物构成，尤其由SiNXOY构成的覆盖层(18)，其中，氮氧化物NXOY中的氮比例x在0.4和1.4之间。本发明还涉及一种包括至少一个这种EUV反射镜(13)的EUV光刻设备以及一种操作这种EUV光刻设备的方法。
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公开(公告)号：CN104919537B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201380070253.X
申请日：2013-12-06
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G21K1/06
CPC classification number: G03F7/70316 , B82Y10/00 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G03F7/702 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: EUV反射镜包括基板和施加在所述基板上的多层布置，所述多层布置对于具有来自极紫外范围(EUV)的波长λ的辐射有反射效应，并包含具有交替层的多个层对，所述交替层包含高折射率层材料和低折射率层材料。多层布置具有：周期性第一层组(LG1)，具有第一数目N1＞1的第一层对，所述第一层对布置在所述多层布置的辐射入射侧附近，并具有第一周期厚度P1；周期性第二层组(LG2)，具有第二数目N2＞1的第二层对，所述第二层对布置在所述第一层组和所述基板之间，并具有第二周期厚度P2；以及第三层组(LG3)，具有第三数目N3的第三层对，所述第三层对布置在所述第一层组和所述二层组之间。所述第一数目N1大于所述第二数目N2。所述第三层组具有平均第三周期厚度P3，所述平均第三周期厚度与平均周期厚度PM＝(P1+P2)/2偏差周期厚度差ΔP，其中所述周期厚度差ΔP基本上对应于四分之一波层的光学层厚度λ/4与所述第三数目N3和cos(AOIM)之乘积的商，其中，AOIM是设计所述多层布置所针对的平均入射角。
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公开(公告)号：CN107408417A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680018150.2
申请日：2016-03-23
Applicant: 株式会社理学
Inventor： 河原直树
IPC: G21K1/06 , G01N23/223
CPC classification number: G01N23/223 , G01N23/207 , G01N23/22 , G01N2223/315 , G21K1/06 , G21K1/062 , G21K1/067 , G21K2201/06 , G21K2201/061 , G21K2201/062 , G21K2201/064 , G21K2201/067
Abstract: 本发明的双重弯曲X射线分光元件(1)夹持于凸模成形夹具(21)所具有的双重弯曲凸面(21a)、与凹模成形夹具(22)所具有的与双重弯曲凸面(21a)吻合的双重弯曲凹面(22a)之间，在加热到400℃～600℃、按照具有双重弯曲面的形状而变形的玻璃板(3)的凹面(3a)上，形成反射X射线的反射膜(5)。
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公开(公告)号：CN104487899B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201380039384.1
申请日：2013-07-16
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B7/1815 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G02B7/008 , G02B17/0657 , G02B17/0663 , G02B27/0025 , G03F7/702 , G03F7/70216 , G03F7/70266 , G03F7/706 , G03F7/70891 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: 一种微光刻的EUV投射曝光设备的反射镜布置，包含多个反射镜，所述多个反射镜各具有在EUV光谱范围中为反射的层(32)及具有主体(34)，可对所述层施加EUV辐射。在此情况下，该多个反射镜的至少一个反射镜(32)具有包含具有负热膨胀系数的材料的至少一个层(36)。此外，还描述了一种操作反射镜布置及投射曝光设备的方法。布置至少一个热源，以便以有目标的方式局部施加热至该至少一个反射镜的具有负热膨胀系数的该至少一个层。
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公开(公告)号：CN102981201B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210518419.7
申请日：2009-02-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·A·索尔 , V·Y·班尼恩 , J·H·J·莫尔斯 , M·M·J·W·范赫彭 , A·M·亚库林
CPC classification number: G02B5/208 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G02B5/22 , G02B5/26 , G03F7/70191 , G03F7/702 , G03F7/70575 , G03F7/70958 , G21K1/067 , G21K2201/061 , G21K2201/064 , G21K2201/065 , G21K2201/067
Abstract: 本申请涉及一种光学元件、包括该光学元件的光刻设备、器件制造方法以及所制造的器件。一种光学元件包括第一层(4)，所述第一层包括第一材料，并配置成对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的。光学元件包括第二层(2)，所述第二层包括第二材料，并配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的或透明的。光学元件包括第三层(3)，位于所述第一层和所述第二层之间的所述第三层包括第三材料，并对所述第二波长的辐射是基本上透明的并且配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射。第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104487899A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380039384.1
申请日：2013-07-16
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B7/1815 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G02B7/008 , G02B17/0657 , G02B17/0663 , G02B27/0025 , G03F7/702 , G03F7/70216 , G03F7/70266 , G03F7/706 , G03F7/70891 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: 一种微光刻的EUV投射曝光设备的反射镜布置，包含多个反射镜，所述多个反射镜各具有在EUV光谱范围中为反射的层(32)及具有主体(34)，可对所述层施加EUV辐射。在此情况下，该多个反射镜的至少一个反射镜(32)具有包含具有负热膨胀系数的材料的至少一个层(36)。此外，还描述了一种操作反射镜布置及投射曝光设备的方法。布置至少一个热源，以便以有目标的方式局部施加热至该至少一个反射镜的具有负热膨胀系数的该至少一个层。
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公开(公告)号：CN102385257B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201110254363.4
申请日：2011-08-31
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G21K1/06 , G03F7/70175 , G03F7/70891 , G21K2201/065 , G21K2201/067
Abstract: 一种收集且传输来自EUV辐射源的辐射的EUV集光器(15)包括：至少一个反射EUV辐射源的发射的集光器反射镜(23)，其被关于中轴(24)旋转对称配置；以及冷却该至少一个集光器反射镜(23)的冷却装置(26)，其中该冷却装置(26)包括至少一个冷却元件(27)，所述冷却元件各自具有关于集光器反射镜(23)的巷道，以使得所述巷道在垂直于中轴(24)的平面内的投影具有主方向，所述主方向和预先确定的优选方向(29)一起包围至多为20°的角度。由集光器(15)传输以用来照明物场的辐射的质量由所述类型的集光器(15)改善。
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公开(公告)号：CN103858055A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201280049100.2
申请日：2012-08-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B5/0891 , B29D11/00009 , B29D11/00865 , B82Y10/00 , G02B13/143 , G03F1/24 , G03F1/60 , G03F1/72 , G03F7/70316 , G03F7/70591 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: 本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射光学元件39，包括施加在基板的表面上的层布置，其中，层布置包括由单独层的至少一个周期的周期序列构成的至少一个层子系统37，其中，所述周期包括在EUV波长范围中具有不同折射率的两个单独层，其中，基板至少沿假想表面30具有按体积超过1％的密度变化，假想表面在距所述表面0μm和100μm之间的固定距离处，并且其中，基板通过保护层或通过层布置的保护层子系统或者通过基板的相应致密的表面区域35来防范因EUV辐射引起的长期老化或致密化。此外，本发明涉及一种制造这种反射光学元件的方法。而且，本发明涉及一种校正这种反射光学元件的方法、一种包括这种光学元件的投射镜头以及一种包括这种投射镜头的投射曝光设备。
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公开(公告)号：CN101952900B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200980105199.1
申请日：2009-02-09
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G21K1/06
CPC classification number: G21K1/06 , G21K2201/067 , G21K2207/005
Abstract: 本发明涉及一种X射线探测器(30)，其包括敏感元件(Pi-1，b，Pia，Pib，Pi+1，a，Pi+1，b)的阵列和在两个不同的敏感元件前方以不同的相位和/或周期设置的至少两个分析器光栅(G2a，G2b)。优选地，所述敏感元件被组织为例如四个相邻的敏感元件的宏像素(IIi)，其中相互具有不同相位的分析器光栅设置在所述敏感元件前面。特别地，将探测器(30)应用于X射线设备(100)以生成相位对比图像，这是由于X射线设备允许对由其在不同位置同时生成的强度图样(I)进行采样。
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公开(公告)号：CN102971620A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180032532.8
申请日：2011-04-04
Applicant: 保罗·谢勒学院
CPC classification number: G01N23/04 , A61B6/4035 , A61B6/4291 , A61B6/484 , A61B6/502 , G21K1/025 , G21K1/06 , G21K2201/067 , G21K2207/005
Abstract: 一种适于记录对象的吸收、相衬和暗场图像的X射线装置。该设备提高了低吸收样本的可见度并且降低了所需的辐射剂量。该设备包括：a）X射线源；b）至少两个光栅构成的光栅组；c）具有空间调制检测灵敏度的位置灵敏检测器（PSD）；d）用于记录检测器（PSD）的图像的装置；e）用于估计每个像素的强度以将用于每个单独的像素的对象的特征标识为吸收主导像素和/或差分相位衬度主导像素和/或X射线散射主导像素的装置；f）其中，通过从0到π或2π连续或逐步地旋转样本或相对于样本旋转设备来采集一系列图像；g）其中，根据X射线平行于衬底穿过光栅的新的平面几何结构来制造光栅；h）从而光栅结构沿着X射线路径延伸，X射线路径确定这些光栅结构对X射线造成的相移和衰减，X射线路径不再由结构的厚度给定，而是由光栅结构的长度给定。
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