公开(公告)号：WO1988004104A1

公开(公告)日：1988-06-02

申请号：PCT/JP1987000880

申请日：1987-11-13

Applicant: NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION ,  SAITO, Ken'ichi ,  WADA, Kou ,  YOSHIZAWA, Masahiro

Inventor： NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION

IPC: H01J37/28

CPC classification number: H01J37/28 ,  H01J2237/281

Abstract: An excitation device (51) that generates a strong magnetic field nearly perpendicular to the surface of a specimen is arranged in an apparatus for observation using charged particle beams which irradiates the specimen with charged particle beams and detects the generated secondary electrons to observe the surface of the specimen. The secondary electrons emitted from the bottom or side surface of a recess such as a through hole formed in the surface of the specimen (8) are, then, emitted out of the through hole owing to the interaction with the strong magnetic field. A focusing lens (50) is so arranged that a point of focusing of charged particles exists between the focusing lens (50) and the specimen (8), the charged particles being formed when the charged particles of the same intensity as that of the irradiating charged particles are supposed to be emitted from the specimen surface, thereby to focus the charged particle (46) at a position of the point of focusing. Even when the specimen (8) is subjected to the strong magnetic field, therefore, the charged particles (46) can be focused on the upper surface of the specimen. Therefore, a well-defined secondary electron image of the specimen surface can be obtained under the applied strong magnetic field, and the secondary electron image of the bottom or the side of the through hole can be observed.

公开(公告)号：WO2013187115A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：PCT/JP2013/061010

申请日：2013-04-12

Applicant: 株式会社 日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 立花　一郎 ,  鈴木　直正

IPC: H01J37/21 ,  H01J37/147 ,  H01J37/244

CPC classification number: H01J37/21 ,  H01J37/10 ,  H01J37/147 ,  H01J37/263 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3178 ,  H01J2237/04756 ,  H01J2237/0492 ,  H01J2237/063 ,  H01J2237/10 ,  H01J2237/15 ,  H01J2237/21 ,  H01J2237/244 ,  H01J2237/2602 ,  H01J2237/281

Abstract: 　深穴観察等のためにリターディングとブースティングを組み合わせて制御することで信号電子をエネルギー選択して検出する場合、フォーカス調整には対物レンズの磁場変化を使うしかないが、磁場変化は応答性が悪いため、スループットが低下してしまう。　一次電子線を発生する電子源と、前記一次電子線を集束する対物レンズと、前記一次電子線を偏向させる偏向器と、前記一次電子線の照射によって試料から発生する二次電子又は反射電子を検出する検出器と、前記一次電子線が通過する孔を有する電極と、前記電極に負電圧を印加する電圧制御電源と、前記試料に負電圧を印加することで前記試料上に前記一次電子線を減速させる電界を生成するリターディング電圧制御電源と、を備え、前記電極に印加される電圧と前記試料に印加される電圧との差を一定にしたまま焦点調整を行う。

Abstract translation: 在信号电子进行能量选择并通过结合延迟和升压来进行深孔观察等的控制来检测的情况下，除了使用用于焦点调节的物镜的磁场变化之外，别无选择，但是 因为磁场变化的响应性差，所以通过减少。 在本发明中，提供以下：用于产生一次电子束的电子源; 用于会聚一次电子束的物镜; 用于偏转一次电子束的偏转器; 用于检测由于一次电子束的发射而从样品发射的反射电子和二次电子的检测器; 具有一次电子束通过的孔的电极; 用于向所述电极施加负电压的电压控制电源; 以及延迟电压控制电源，用于在样品上产生通过向样品施加负电压而使一次电子束减速的电场。 在施加到电极的电压和施加到样品的电压之间的差变为恒定的状态下进行焦点调节。

公开(公告)号：WO2013145924A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：PCT/JP2013/053790

申请日：2013-02-18

Applicant: 株式会社 日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 横須賀　俊之 ,  李　燦 ,  数見　秀之 ,  牧野　浩士 ,  水原　譲 ,  伊澤　美紀 ,  波田野　道夫 ,  桃井　義典

IPC: H01J37/28 ,  G01B15/00 ,  G01B15/04 ,  H01J37/05 ,  H01J37/244 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01J37/28 ,  G01B15/00 ,  G01B15/04 ,  H01J37/3178 ,  H01J2237/0492 ,  H01J2237/24495 ,  H01J2237/281 ,  H01J2237/2815 ,  H01J2237/2817

Abstract: 　本発明は、走査電子顕微鏡において、試料表面が導電性材料であったとしても、穴底等から放出される電子を高効率に引き上げる電界を形成するものである。　電子ビームの走査位置を偏向する偏向器と、試料を搭載するための試料ステージを備えた走査電子顕微鏡において、測定対象パターンに対し電子ビームを走査する前に、当該測定対象パターンの下層に位置する他のパターンに対する電子ビーム照射を行うように、前記偏向器又は前記試料ステージを制御するようにした。

Abstract translation: 根据本发明的扫描电子显微镜，即使当样品的表面由导电材料制成时，也能够高效率地形成从空穴等排出的电子的电场。 在设置有用于偏转电子束的扫描位置的偏转器和用于在其上安装样品的样品台的扫描电子显微镜中，在扫描电子之前控制偏转器或样品台以使得电子束被辐射 在待测量图案上放置在待测量图案下方的另一图案上。

公开(公告)号：WO2005008223A3

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：PCT/US2004023024

申请日：2004-07-15

Applicant: APPLIED MATERIALS ISRAEL LTD ,  APPLIED MATERIALS INC ,  KARSENTI LAURENT

Inventor： KARSENTI LAURENT

IPC: G01N21/00 ,  G06T5/30 ,  G06T7/00 ,  H01J37/28

CPC classification number: G06T5/30 ,  G06T7/001 ,  G06T7/11 ,  G06T7/155 ,  G06T2207/10061 ,  G06T2207/20101 ,  G06T2207/30148 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/221 ,  H01J2237/24592 ,  H01J2237/281 ,  H01J2237/2814 ,  H01J2237/2817

Abstract: A morphological operation is applied to an SEM image to obtain a idealized image, and the idealized image is used to detect a defect in a subject of the SEM image. The defect is detected by subtraction of the idealized image from the original image. Morphological operations are used also to entrance the visibility of defects or to check for irregularities in patterns. Other described methods comprise: growing a flow from seed points in the image, in order to define maps in which particles can be identified; checking for separation of objects in the image by growing flows from seed points located on the objects; segmenting the image into supposed identical objects and applying statistical methods to identify the defective ones.

Abstract translation: 将形态学操作应用于SEM图像以获得理想化图像，并且使用理想图像来检测SEM图像的对象中的缺陷。 通过从原始图像中减去理想化图像来检测缺陷。 形态操作也用于引入缺陷的可视性或检查图案中的不规则性。 其他描述的方法包括：从图像中的种子点生长流，以便定义可以识别颗粒的图; 通过从位于物体上的种子点生长流来检查图像中物体的分离; 将图像分解为假定的相同对象，并应用统计方法来识别有缺陷的对象。

公开(公告)号：WO2005017511A1

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：PCT/US2003/033648

申请日：2003-10-22

Applicant: APPLIED MATERIALS ISRAEL, LTD. ,  APPLIED MATERIALS, INC. ,  SHEMESH, Dror ,  ADAMEC, Pavel

Inventor： SHEMESH, Dror ,  ADAMEC, Pavel

IPC: G01N23/00

CPC classification number: H01J37/244 ,  G01N23/2251 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/24465 ,  H01J2237/24475 ,  H01J2237/2449 ,  H01J2237/24495 ,  H01J2237/281 ,  H01J2237/2815 ,  H01J2237/2817

Abstract: A system and method for multi detector (14, 40) detection of electrons, the method includes the steps of directing a primary electron beam, through a column, to interact with an inspected object (wafer), directing, by introducing a substantial electrostatic field, electrons reflected or scattered from the inspected objects (wafer) towards multiple interior detectors (14, 40), whereas at least some of the directed electrons are reflected or scattered at small angle in relation to the inspected object (wafer); and receiving detection signals from at least one interior detector.

Abstract translation: 一种用于检测电子的多检测器（14,40）的系统和方法，该方法包括以下步骤：通过列引导一次电子束与检查对象（晶片）相互作用，通过引入实质的静电场 从被检查物体（晶片）向多个内部检测器（14,40）反射或散射的电子，而至少一些定向电子相对被检查物体（晶片）以小角度反射或散射; 以及从至少一个内部检测器接收检测信号。

公开(公告)号：WO2015083548A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：PCT/JP2014/080661

申请日：2014-11-19

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 宍戸　千絵 ,  山本　琢磨 ,  山田　慎也 ,  田中　麻紀

IPC: H01J37/28 ,  H01J37/22 ,  H01J37/244 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01J37/29 ,  G01B15/00 ,  G01B15/04 ,  G01B2210/56 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/24475 ,  H01J2237/2448 ,  H01J2237/24495 ,  H01J2237/2806 ,  H01J2237/281 ,  H01J2237/2815 ,  H01L22/12

Abstract: 　本発明の走査電子顕微鏡は、加速電圧３０ｋＶ以上の一次電子線（１０２）を試料（２００）に照射し、前記試料から発生する低角（例えば仰角５度以上）の後方散乱電子（ＢＳＥ）を検出する。これにより、前記試料の穴部の穴底で発生し、前記穴部の側壁（２００）を突き抜けた"突き抜けＢＳＥ（１１０）"を用いて前記穴底の観察を行うことができる。更に、穴が深いと突き抜け距離が相対的に長くなるので、突き抜けＢＳＥの量が減って像が暗くなるという特性を利用して、穴深さｖｓ明るさの検量線を作り、穴深さの計測を行う。　これにより、３Ｄ－ＮＡＮＤの穴開け工程に代表される、超高アスペクト比の穴の開口／非開口の判定、あるいは、穴のトップ径／ボトム径を検査・計測することが可能となる。

Abstract translation: 该扫描电子显微镜在加速电压下照射具有30kV以上的一次电子束（102）的样品（200），并检测低角度（例如5度以上的仰角）背散射电子（BSE ）。 这允许在样品的孔部分的底部产生并穿过孔部分的侧壁（200）冲击的“穿透BSE（110）”用于观察孔底部。 此外，为了测量孔深度，当穿透距离变得相对较小时，通过利用图像变暗的特性来构建孔深度与亮度校准曲线 当洞很深的时候很久 这允许以3D-NAND孔蚀刻工艺为代表的超高深度比孔被确定为打开/不打开，或者使孔顶直径/底部直径被检查/测量。

公开(公告)号：WO2014002734A1

公开(公告)日：2014-01-03

申请号：PCT/JP2013/065910

申请日：2013-06-10

Applicant: 株式会社 日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 牧野　浩士 ,  数見　秀之 ,  山崎　実 ,  水原　譲 ,  伊澤　美紀

IPC: H01J37/147 ,  H01J37/05 ,  H01J37/153 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28

CPC classification number: H01J37/147 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/24485 ,  H01J2237/2449 ,  H01J2237/2806 ,  H01J2237/281

Abstract: 　本発明は、高アスペクトの構造物の底部から放出される荷電粒子に基づく情報をより顕在化する荷電粒子線装置の提供を目的とする。上記目的を達成するために、試料から放出された荷電粒子を偏向する第１の直交電磁界発生器と、当該第１の直交電磁界発生器によって偏向された前記荷電粒子を更に偏向する第２の直交電磁界発生器と、荷電粒子ビームの通過開口を有する開口形成部材と、当該開口形成部材を通過した前記荷電粒子を偏向する第３の直交電磁界発生器を備えた荷電粒子線装置を提案する。

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种带电粒子束装置，与先前的技术相比，显示出从高方面结构的底部排出的基于带电粒子的信息。 为了实现该目的，提出了一种带电粒子束装置，包括：第一正交电磁场发射装置，其使从材料排出的带电粒子偏转; 第二正交电磁场发射装置，其进一步偏转由第一正交电磁场发射装置偏转的带电粒子; 具有带电粒子束直通孔的孔形成构件; 以及第三正交电磁场发射装置，其使穿过孔形成构件的带电粒子偏转。

公开(公告)号：WO2013088944A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：PCT/JP2012/080509

申请日：2012-11-26

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 矢野　資 ,  早田　康成 ,  福田　宗行 ,  小貫　勝則 ,  川野　源 ,  鈴木　直正

IPC: H01J37/21 ,  G01B15/00 ,  H01J37/20 ,  H01J37/244 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01B15/00 ,  G01B2210/56 ,  H01J37/21 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/20 ,  H01J2237/281 ,  H01L22/12

Abstract: 電子源（１）から放出された電子線（１７）を偏向する偏向器（５）と、前記電子線を収束する対物レンズ（７）と、リターディング電極と、ウエハ（１６）を設置するステージ（９）と、制御部（１５）とを有する走査電子線装置において、前記ステージを昇降可能とする。前記制御部は、低加速電圧領域では、ウエハの高さ変動に対するフォーカスの粗調整および精調整を前記対物レンズの励磁電流調整による電磁フォーカスにより行う。また、高加速電圧領域では、ウエハの高さ変動に対するフォーカスの粗調整を、前記ステージの昇降による機械フォーカスにより行い、精調整を、リターディング電圧の調整による静電フォーカスにより行う。これにより、アスペクト比の高い孔または溝の上部と底部の両方を高精度に計測する走査電子線装置を提供することが可能となった。

Abstract translation: 一种扫描电子束装置，具有：用于偏转从电子源（1）发射的电子束（17）的偏转器（5）。 用于使电子束会聚的物镜（7）; 延迟电极; 用于放置晶片（16）的平台（9）; 和控制器（15）; 其中可以升高和降低载物台。 在低加速度电压区域中，控制器使用通过物镜的激励电流调节执行的电磁聚焦，相对于晶片的高度变化而进行粗略调整和微调。 在高加速电压区域中，控制器通过机架上升和下降进行机械聚焦，进行相对于晶片高度变化的聚焦的粗略调整，通过调整 延迟电压。 从而可以提供一种以高度准确的方式测量具有高纵横比的凹槽或孔的上部和底部两者的扫描电子束装置。

公开(公告)号：WO2004102643A2

公开(公告)日：2004-11-25

申请号：PCT/US2004014450

申请日：2004-05-07

Applicant: APPLIED MATERIALS ISRAEL LTD ,  APPLIED MATERIALS INC ,  KADYSHEVITCH ALEXANDER ,  TALBOT CHRIS ,  SHUR DMITRY ,  HEGEDUS ANDREAS G

Inventor： KADYSHEVITCH ALEXANDER ,  TALBOT CHRIS ,  SHUR DMITRY ,  HEGEDUS ANDREAS G

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01J37/32935 ,  G01N23/00 ,  H01J2237/281 ,  H01J2237/2815 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/3011

Abstract: A method for process monitoring includes receiving a sample having a first layer that is at least partially conductive and a second layer formed over the first layer, following production of contact openings in the second layer by an etch process, the contact openings including a plurality of test openings having different, respective transverse dimensions. A beam of charged particles is directed to irradiate the test openings. In response to the beam, at least one of a specimen current flowing through the first layer and a total yield of electrons emitted from a surface of the sample is measured, thus producing an etch indicator signal. The etch indicator signal is analyzed as a function of the transverse dimensions of the test openings so as to assess a characteristic of the etch process.

Abstract translation: 一种用于过程监测的方法包括接收具有至少部分导电的第一层的样品和在第一层上形成的第二层，在通过蚀刻工艺生产第二层中的接触开口之后，接触开口包括多个 测试孔具有不同的相应的横向尺寸。 带电粒子的束被引导以照射测试孔。 响应于光束，测量流过第一层的样本电流和从样品表面发射的电子的总产率中的至少一个，从而产生蚀刻指示符信号。 作为测试开口的横向尺寸的函数分析蚀刻指示符信号，以便评估蚀刻工艺的特性。

公开(公告)号：WO2014202532A1

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：PCT/EP2014/062570

申请日：2014-06-16

Applicant: ICT INTEGRATED CIRCUIT TESTING GESELLSCHAFT FÜR HALBLEITERPRÜFTECHNIK MBH

Inventor： FROSIEN, Jürgen ,  COOK, Benjamin John

IPC: H01J37/147 ,  H01J37/153 ,  H01J37/26

CPC classification number: H01J37/045 ,  H01J37/1478 ,  H01J37/153 ,  H01J37/263 ,  H01J2237/1534 ,  H01J2237/281 ,  H01J2237/2815

Abstract: A charged particle beam device is described. The charged particle beam device includes a charged particle beam source (12) for emitting a charged particle beam, and a switchable multi-aperture (26) for generating two or more beam bundles (21a, 21b) from the charged particle beam, wherein the switchable multi-aperture includes: two or more aperture openings, wherein each of the two or more aperture openings is provided for generating a corresponding beam bundle of the two or more beam bundles; a beam blanker arrangement (226) configured for individually blanking the two or more beam bundles; and a stopping aperture (227) for blocking beam bundles, which are blanked off by the beam blanker arrangement. The device further includes a control unit electrically connected to the beam blanker arrangement and configured to control the individual blanking of the two or more beam bundles for switching of the switchable multi-aperture and an objective lens (18) configured for focusing the two or more beam bundles on a specimen (19) or wafer, wherein the two or more beam bundles are tilted with respect to the specimen or wafer depending on the position of each of the two or more beam bundles relative to an optical axis defined by the objective lens, and wherein the objective lens is configured for focusing the charged particle beam source, a virtual source provided by the charged particle beam source or a crossover.

Abstract translation: 描述带电粒子束装置。 带电粒子束装置包括用于发射带电粒子束的带电粒子束源（12）和用于从带电粒子束产生两个或更多束束（21a，21b）的可切换多孔（26），其中 可切换的多孔径包括：两个或更多个孔口，其中两个或更多个孔径开口中的每一个被设置用于产生两个或更多个束束的对应的束束; 光束消除器布置（226），其被配置为单独地消隐所述两个或更多束束; 以及用于阻挡束束的停止孔（227），其被光束消除器布置消隐。 该装置还包括电连接到光束消隐装置并被配置为控制用于切换可切换多孔径的两个或更多束束的单独消隐的控制单元和被配置用于聚焦两个或多个 束（束）在样本（19）或晶片上，其中根据两个或多个束束中的每一个相对于由物镜限定的光轴的位置，两束或更多束束相对于样本或晶片倾斜 ，并且其中所述物镜被配置为聚焦所述带电粒子束源，由所述带电粒子束源提供的虚拟源或交叉。