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公开(公告)号：CN101416295A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200780011762.X
申请日：2007-04-03
Applicant: 电子线技术院株式会社
Inventor： 金浩燮
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01J37/28 , G01R31/307 , H01J37/244 , H01J2237/0635 , H01J2237/22 , H01J2237/244 , H01J2237/24564 , H01J2237/24592 , H01J2237/281 , H01J2237/2817 , H01J2237/317 , H01L22/12 , H01L22/14
Abstract: 本发明公开了一种用于利用电子束检查半导体器件的通孔的装置和方法。该装置包括电子束辐射装置、电流测量装置和电流测量装置和数据处理装置。电子束辐射装置照射相应的电子束以检查多个检查对象孔。电流测量装置通过位于孔下面的导电层或通过导电层和单独的检测仪测量电流，该电流通过辐射从电子束辐射装置照射的电子束而产生。数据处理装置处理通过电流测量装置的测量而获得的数据。
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公开(公告)号：CN101952093A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200980103169.7
申请日：2009-01-23
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: B29C33/38
CPC classification number: B29C33/424 , B29C33/3842 , B29C33/56 , B29K2833/04 , B29K2905/00 , B41C1/05 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C14/3407 , G03F7/0002 , H01J2237/281
Abstract: 本发明的无缝塑模的制造方法具备在套筒形状的塑模上形成热反应型抗蚀剂层的工序和通过使用激光对所述热反应型抗蚀剂层进行曝光显影形成微细的塑模图样的工序，其特征是，所述热反应型抗蚀剂层由在上述激光点径的光强度分布中，具有在规定的光强度以上进行反应的特性的热反应型抗蚀剂所构成。
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公开(公告)号：CN1820194A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200380110408.4
申请日：2003-10-22
Applicant: 应用材料以色列公司
IPC: G01N23/00
CPC classification number: H01J37/244 , G01N23/2251 , H01J37/28 , H01J2237/24465 , H01J2237/24475 , H01J2237/2449 , H01J2237/24495 , H01J2237/281 , H01J2237/2815 , H01J2237/2817
Abstract: 本发明公开了一种使用多个检测器(14，40)检测电子的方法和系统，所述方法包括下述步骤：引导原电子束通过一柱(column)以接触被检测对象(晶元)；通过引入强静电场，将由被检测对象(晶元)反射或散射的电子引向多个内部检测器(14，40)，同时至少一些被引导的电子以相对于所述被检测对象(晶元)较小的角度反射或散射；以及接收来自至少一个内部检测器的检测信号。
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公开(公告)号：CN104076600A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410290520.0
申请日：2009-01-23
Applicant: 旭化成电子材料株式会社
IPC: G03F7/00
CPC classification number: B29C33/424 , B29C33/3842 , B29C33/56 , B29K2833/04 , B29K2905/00 , B41C1/05 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C14/3407 , G03F7/0002 , H01J2237/281
Abstract: 本发明的无缝塑模的制造方法具备在套筒形状的塑模上形成热反应型抗蚀剂层的工序和通过使用激光对所述热反应型抗蚀剂层进行曝光显影形成微细的塑模图样的工序，其特征是，所述热反应型抗蚀剂层由在上述激光点径的光强度分布中，具有在规定的光强度以上进行反应的特性的热反应型抗蚀剂所构成。
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公开(公告)号：CN1820194B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200380110408.4
申请日：2003-10-22
Applicant: 应用材料以色列公司
IPC: G01N23/00
CPC classification number: H01J37/244 , G01N23/2251 , H01J37/28 , H01J2237/24465 , H01J2237/24475 , H01J2237/2449 , H01J2237/24495 , H01J2237/281 , H01J2237/2815 , H01J2237/2817
Abstract: 本发明公开了一种使用多个检测器(14，40)检测电子的方法和系统，所述方法包括下述步骤：引导原电子束通过一柱(column)以接触被检测对象(晶元)；通过引入强静电场，将由被检测对象(晶元)反射或散射的电子引向多个内部检测器(14，40)，同时至少一些被引导的电子以相对于所述被检测对象(晶元)较小的角度反射或散射；以及接收来自至少一个内部检测器的检测信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2014125868A1
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：PCT/JP2014/050770
申请日：2014-01-17
Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ
CPC classification number: H01J37/263 , H01J37/241 , H01J37/28 , H01J2237/225 , H01J2237/281
Abstract: 本発明の試料観察装置は、凹部である被観察対象部を含む試料に、第１の加速電圧によって荷電粒子線を照射する荷電粒子光学カラムと、荷電粒子線の照射によって得られる信号から被観察対象部を含む画像を取得する画像取得部と、標準試料における凹部と当該凹部の周辺部との明るさ比と、標準試料における凹部の構造を表す値との関係を示す情報を、複数の加速電圧ごとに予め記憶する記憶部と、前記画像における凹部と凹部の周辺部との明るさ比を求める演算部と、を備える。演算部は、関係を示す情報と前記画像における前記明るさ比とを用いて、第１の加速電圧の適否を判定する。
Abstract translation: 该样本观察装置设置有：带电粒子光学柱，其通过第一加速电压将带电粒子束照射到包括作为凹陷区域的观察区域的样本上; 图像获取单元，从通过照射带电粒子束获得的信号获取包括观察区域的图像; 预先存储多个加速电压中的每一个的信息，该信息表示标准样品中的凹陷区域和所述凹陷区域的周边之间的亮度比之间的关系，以及表示凹部的结构的值 标准样品; 以及计算单元，其计算图像中凹部与凹部之间的亮度比。 计算单元通过使用指示关系的信息和图像中的亮度比来确定第一加速电压的适当性。
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公开(公告)号：WO2011138853A1
公开(公告)日：2011-11-10
申请号：PCT/JP2011/002300
申请日：2011-04-20
Applicant: 株式会社 日立ハイテクノロジーズ , 高田 哲 , 鈴木 直正 , 坂 直磨 , 加藤 達一
IPC: H01J37/22 , H01J37/147 , H01J37/20 , H01J37/28
CPC classification number: H01J37/28 , H01J37/026 , H01J2237/2594 , H01J2237/281 , H01J2237/2815
Abstract: 本発明の走査電子顕微鏡は、試料（１１０）のプリチャージを行う際に、前記試料に対して複数の入射方向（４０３、４０４）から電子線を入射させることや、プリチャージ照射領域を同心状の複数のリング状領域（８０７、８１３）に分け、前記各リング状領域に対し電子線を走査させることを特徴とする。 これにより、コンタクトホール壁面で失われる二次電子が減少してコンタクトホールの底の情報を得ることが可能となるので、プリチャージ時に電子線の傾斜によりコンタクトホール内の帯電が不均一となり、観察が困難となる問題を解決することができるようになった。
Abstract translation: 扫描电子显微镜的特征在于，在对样品（100）进行预充电时，电子束从多个入射方向（403,404）进入样品，并且预充电辐射区域被分割 形成多个同心环形区域（807,813），并且电子束相对于每个环形区域被扫描。 由于这样可减少在接触孔的壁面处损失的二次电子的数量，并且能够获得关于接触孔的底部部分的信息，所以由于接触孔的预充电，接触孔内的带电问题变得不均匀 使观察困难的电子束的倾角变得可以解决。
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公开(公告)号：WO2007114642A1
公开(公告)日：2007-10-11
申请号：PCT/KR2007/001634
申请日：2007-04-03
Applicant: CEBT CO. LTD. , KIM, Ho Seob
Inventor： KIM, Ho Seob
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01J37/28 , G01R31/307 , H01J37/244 , H01J2237/0635 , H01J2237/22 , H01J2237/244 , H01J2237/24564 , H01J2237/24592 , H01J2237/281 , H01J2237/2817 , H01J2237/317 , H01L22/12 , H01L22/14
Abstract: Disclosed herein is an apparatus and method for inspecting the via holes of a semiconductor device using electron beams. The apparatus includes electron beam irradiation means, a current measuring means, and a current measuring means and data processing means. The electron beam irradiation means radiate respective electron beams to inspect a plurality of inspection target holes. The current measuring means measures current, which is generated by irradiating the electron beams, radiated from the electron beam irradiation means, through a conductive layer located under the holes, or through the conductive layer and a separate detector. The data processing means processes data acquired through the measurement of the current measuring means.
Abstract translation: 本发明公开了一种使用电子束检查半导体器件的通孔的装置和方法。 该装置包括电子束照射装置，电流测量装置以及电流测量装置和数据处理装置。 电子束照射装置照射各个电子束来检查多个检查目标孔。 电流测量装置测量通过从电子束照射装置辐射的电子束通过位于孔下面的导电层或通过导电层和单独的检测器照射而产生的电流。 数据处理装置处理通过测量当前测量装置获得的数据。
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公开(公告)号：EP0949653B1
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：EP99111213.7
申请日：1992-11-25
Applicant: Hitachi, Ltd. , Hitachi Science Systems, Ltd.
Inventor： Otaka, Tadashi , Okura, Akimitsu , Iwamoto, Hiroshi , Todokoro, Hideo , Komoda, Tsutomu , Tobita, Issei
IPC: H01J37/28
CPC classification number: H01J37/28 , H01J2237/2448 , H01J2237/281
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公开(公告)号：EP1244132B1
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：EP02006070.3
申请日：1994-12-15
Applicant: Hitachi, Ltd.
Inventor： Sato, Mitsugu , Ose, Yoichi , Fukuhara, Satoru , Todokoro, Hideo , Ezumi, Makoto
CPC classification number: H01J37/28 , H01J2237/225 , H01J2237/24495 , H01J2237/281
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