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公开(公告)号：CN105161393B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201510512550.6
申请日：2004-09-07
Applicant: 卡尔蔡司显微镜有限责任公司 , 应用材料以色列公司
CPC classification number: H01J37/04 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/09 , H01J37/10 , H01J37/14 , H01J37/153 , H01J37/28 , H01J37/3007 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/0453 , H01J2237/047 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756 , H01J2237/06 , H01J2237/14 , H01J2237/2817 , H01J2237/31774
Abstract: 本发明涉及电子光学排布结构、多电子分束检验系统和方法。该电子光学排布结构提供一次和二次电子束路径，一次束路径用于从一次电子源指向可定位在该排布结构的物面中的物体的一次电子束，二次束路径用于源自物体的二次电子，该结构包括磁体排布结构，其具有：第一磁场区，由一次和二次电子束路径穿过，用于将一次和二次电子束路径相互分开；第二磁场区，布置在第一磁场区的上游的一次电子束路径中，二次电子束路径不穿过第二磁场区，第一和第二磁场区沿基本上相反的方向使一次电子束路径偏转；第三磁场区，布置在第一磁场区的下游的二次电子束路径中，一次电子束路径不穿过第三磁场区，第一和第三磁场区沿基本上相同的方向使二次电子束路径偏转。
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公开(公告)号：CN103688333B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201280019242.4
申请日：2012-02-17
Applicant: 应用材料以色列公司 , 卡尔蔡司SMT有限公司
CPC classification number: H01J37/21 , H01J37/06 , H01J37/09 , H01J37/153 , H01J37/22 , H01J37/222 , H01J37/244 , H01J37/261 , H01J37/28 , H01J37/29 , H01J2237/0453 , H01J2237/049 , H01J2237/063 , H01J2237/1532 , H01J2237/21 , H01J2237/2817
Abstract: 带电粒子束聚焦设备（200）包括带电粒子束发生器（202），所述带电粒子束发生器（202）被配置以同时将至少一个非像散带电粒子束和至少一个像散带电粒子束投射到样品表面的位置（217）上，从而使得释放电子从所述位置发射出。所述设备还包括成像检测器（31），所述成像检测器（31）被配置以从所述位置接收释放电子且根据释放电子形成所述位置的图像。处理器（32）分析由至少一个像散带电粒子束产生的图像，且响应于所述图像以调整至少一个非像散带电粒子束的焦点。
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公开(公告)号：CN104380427A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201380025282.4
申请日：2013-04-02
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01J37/22 , H01J37/10 , H01J37/147
CPC classification number: H01J37/153 , H01J37/05 , H01J37/28 , H01J2237/1534 , H01J37/22 , H01J37/10 , H01J37/147
Abstract: 一个实施例涉及一种用于高分辨率电子束成像的设备。所述设备包含经配置以限制入射电子束中的电子的能量扩散的能量过滤器。所述能量过滤器可使用消像散维恩(Wien)过滤器及过滤器孔口而形成。另一实施例涉及一种形成用于高分辨率电子束设备的入射电子束的方法。另一实施例涉及一种包含弯曲导电电极的消像散维恩过滤器。另一实施例涉及一种包含一对磁轭及多极偏转器的消像散维恩过滤器。本发明还揭示其它实施例、方面及特征。
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公开(公告)号：CN103765549A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280040592.9
申请日：2012-05-23
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/153 , H01J37/244
CPC classification number: G21K1/00 , H01J37/153 , H01J37/244 , H01J37/26 , H01J2237/2446 , H01J2237/2826
Abstract: 为了提供一种能容易地取得对带电粒子束装置的象差进行修正的象差修正器的表格数据的多极测定装置，在具备光学系统(10)、被插入象差修正器(6)的空间、和位置检测器(7)的多极测定装置中，对于在多个点进行的一次带电粒子束向象差修正器(6)的入射位置以及角度和在位置检测器(7)上的照射位置与多极的关系，通过在激励了多极场的状态以及不激励的状态下进行测定，由此提取出激励了多极场的状态包含的多极成分。
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公开(公告)号：CN103688333A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201280019242.4
申请日：2012-02-17
Applicant: 应用材料以色列公司 , 卡尔蔡司SMT有限公司
CPC classification number: H01J37/21 , H01J37/06 , H01J37/09 , H01J37/153 , H01J37/22 , H01J37/222 , H01J37/244 , H01J37/261 , H01J37/28 , H01J37/29 , H01J2237/0453 , H01J2237/049 , H01J2237/063 , H01J2237/1532 , H01J2237/21 , H01J2237/2817
Abstract: 带电粒子束聚焦设备（200）包括带电粒子束发生器（202），所述带电粒子束发生器（202）被配置以同时将至少一个非像散带电粒子束和至少一个像散带电粒子束投射到样品表面的位置（217）上，从而使得释放电子从所述位置发射出。所述设备还包括成像检测器（31），所述成像检测器（31）被配置以从所述位置接收释放电子且根据释放电子形成所述位置的图像。处理器（32）分析由至少一个像散带电粒子束产生的图像，且响应于所述图像以调整至少一个非像散带电粒子束的焦点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1924553B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200610126647.4
申请日：2006-08-31
Applicant: FEI公司
Inventor： D·J·马斯 , S·A·M·门廷克 , J·J·L·霍里克希 , B·H·弗雷塔格
CPC classification number: H01J37/28 , H01J37/153 , H01J2237/282
Abstract: 本发明涉及一种用于确定电子扫描显微镜中的透镜误差的方法，更具体地涉及一种使得这种透镜误差能被确定的样品。本发明描述了例如立方体氧化镁晶体的应用，所述氧化镁晶体很容易在硅晶片上被生产成所谓的“自组装”晶体。这样的晶体有几乎完美的角和边。即使在有透镜误差存在的情形下，这也能呈现出如同在不存在透镜误差的情况下的清楚印象。这允许在不同的欠焦和过焦平面上良好地重构光束横截面。在该重建的基础上透镜误差能被确定，于是它们能利用校正器被校正。
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公开(公告)号：CN102709143A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210111707.0
申请日：2004-09-07
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 , 以色列实用材料有限公司
IPC: H01J37/153 , H01J37/09 , H01J37/12 , H01J37/147 , H01J37/28 , H01J37/317 , B82Y10/00
CPC classification number: H01J37/04 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/09 , H01J37/10 , H01J37/14 , H01J37/153 , H01J37/28 , H01J37/3007 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/0453 , H01J2237/047 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756 , H01J2237/06 , H01J2237/14 , H01J2237/2817 , H01J2237/31774
Abstract: 本发明涉及电子光学排布结构、多电子分束检验系统和方法。该电子光学排布结构提供一次和二次电子束路径，一次束路径用于从一次电子源指向可定位在该排布结构的物面中的物体的一次电子束，二次束路径用于源自物体的二次电子，该结构包括磁体排布结构，其具有：第一磁场区，由一次和二次电子束路径穿过，用于将一次和二次电子束路径相互分开；第二磁场区，布置在第一磁场区的上游的一次电子束路径中，二次电子束路径不穿过第二磁场区，第一和第二磁场区沿基本上相反的方向使一次电子束路径偏转；第三磁场区，布置在第一磁场区的下游的二次电子束路径中，一次电子束路径不穿过第三磁场区，第一和第三磁场区沿基本上相同的方向使二次电子束路径偏转。
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公开(公告)号：CN1847913B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200610074091.9
申请日：2006-04-04
Applicant: FEI公司
Inventor： A·亨斯特拉
CPC classification number: H01J37/153
Abstract: 在TEM、STEM、或SEM中应用的四极-八极校正器。用于校正物镜的三阶与五阶像差的已知的校正器用八个四极和三个八极来实现。按照本发明的校正器具有至少相同的像差校正能力，但按照本发明的校正器是用六个四极和三个八极实现的。通过把具有相对较弱的激励的八极添加到一部分四极，还可得到对物镜的各向异性的慧形像差的校正。通过把所有的四极或四极的一部分实施为电磁的，还可以校正色度像差。
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公开(公告)号：CN1979751B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200610168858.4
申请日：2006-12-06
Applicant: FEI公司
Inventor： C·科克 , M·J·V·D·詹德 , B·里杰
IPC: H01J37/153 , H01J37/21 , H01J37/28
CPC classification number: H01J37/153 , H01J2237/1534 , H01J2237/2802 , H01J2237/282
Abstract: 粒子-光学设备的透镜(如物镜)具有像差这一缺点。正如数十年来众所周知的，龙基图可用来确定粒子-光学透镜的这些像差。这样的方法依赖于比如在一个或一组龙基图中局部放大率的基础上像差函数的二阶导数的确定。取决于二阶导数，这些方法的数学只允许龙基图之间的(无穷)小的移位。然而，这意味着比如记录龙基图的相机的空间量化噪音导致较大的误差。这些冲突需求限制了精度并且因此限制了已知方法的有效性。本发明描述了一组算法，所述的算法产生改进的方法以此利用一组龙基图量化透镜像差系数。
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公开(公告)号：CN101685754A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200910173281.X
申请日：2009-09-22
Applicant: FEI公司
IPC: H01J37/26 , H01J37/252 , H01J37/244
CPC classification number: H01J37/153 , H01J37/263 , H01J2237/1534 , H01J2237/2823
Abstract: 本发明涉及用于校正粒子光学装置中的畸变的方法。本发明涉及一种用于校正由TEM的投影系统(106)引起的畸变的方法。本领域技术人员知道，畸变可能限制TEM的分辨率，特别是当利用X射线断层摄影术对特征进行3D重建时。而且，当在TEM中利用应变分析时，畸变会限制应变的检测。为此，本发明公开了一种装配有多极(152)的检测器，该多极以抵消投影系统引起的畸变的方式使TEM的图像歪曲。该检测器还可以包括用于检测电子的CCD或者荧光屏(151)。
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