公开(公告)号：CN104576274A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310507590.2

申请日：2013-10-24

Applicant: 北京中科信电子装备有限公司

Inventor： 丁振理

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/147

CPC classification number: H01J37/317 ,  H01J37/147 ,  H01J37/3171

Abstract: 本发明讲述的是一种多电极电路系统在离子注入机中的应用，该电路包括：电源控制单元1、高压产生单元2、高压放大输出单元3。高压产生单元2产生±1500VDC高压，为高压放大输出单元3提供±1500VDC的高压直流工作电压。高压放大器对电源控制单元所产生的低压信号进行放大，输出满足一定线性变化的高压为多电极装置提供电压。其图1多电极电路系统接线框图包括：PSI控制器(1)、多电极电路系统(2)、多电极装置(3)、辅助电路(4)、控制电路模块(5)、高压产生单元(6)、高压放大输出单元(7)。说明书对本硬件电路进行了详细的说明，并给出具体实施方案。

公开(公告)号：CN102686276B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201080060087.1

申请日：2010-03-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 岩田高明

IPC: A61N5/10

CPC classification number: H01J37/147 ,  A61N5/10 ,  A61N5/1043 ,  A61N5/1048 ,  A61N5/1077 ,  A61N2005/1087 ,  G06N3/02 ,  G21H5/00 ,  G21K1/093 ,  G21K5/04 ,  H01J37/04 ,  H01J2237/0473

Abstract: 本发明的目的在于获得消除扫描电磁铁的磁滞影响、且在光栅扫描、混合扫描中实现高精度射束照射的粒子射线照射装置。包括：扫描电源(4)，该扫描电源(4)输出扫描电磁铁(3)的励磁电流；以及照射控制装置(5)，该照射控制装置(5)控制扫描电源(4)，照射控制装置(5)包括扫描电磁铁指令值学习生成器(37)，该扫描电磁铁指令值学习生成器(37)对预扫描的结果进行评价，在评价的结果不满足规定的条件的情况下，更新励磁电流的指令值(Ik)，来执行预扫描，将评价的结果满足规定的条件的励磁电流的指令值(Ik)输出到扫描电源(4)，该预扫描是基于由扫描电源(4)输出的励磁电流的指令值(Ik)的、一系列的照射动作。

公开(公告)号：CN104106123A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201380004763.7

申请日：2013-01-14

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 爱德华·艾伊斯勒 ,  伯·范德伯格

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/05 ,  H01J37/16

CPC classification number: H01J37/147 ,  G01K5/00 ,  H01J37/05 ,  H01J37/16 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明涉及用于减少能量杂质的方法及装置，可用于粒子注入的束线组合。突出部包括表面区域及其间槽部的突出部可面向束线组合内从工件角度观察的视线域内的中性原子轨迹。突出部可使中性原子轨迹的路线变作远离工件或引起其它轨迹，用于在击中工件前进一步撞击，并由此对敏感度更佳的注入进一步减少能量杂质。

公开(公告)号：CN103180030A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201180051189.1

申请日：2011-08-23

Applicant: 艾克索乔纳斯公司

Inventor： 肖恩·R·柯克帕特里克 ,  艾伦·R·柯克帕特里克

IPC: B01D59/00

CPC classification number: G03F1/80 ,  B24B37/04 ,  G03F1/82 ,  H01J37/05 ,  H01J37/147 ,  H01J37/317 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/0812 ,  H01J2237/15 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/36 ,  H05H3/02 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/30

Abstract: 提供用于处理材料的来自加速气体团簇离子束的加速中性射束的设备、方法和产品。

公开(公告)号：CN101218658B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680004113.2

申请日：2006-02-03

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 罗素·J·罗 ,  郭登·C·安裘

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/147 ,  H01J37/304

CPC classification number: H01J37/304 ,  H01J37/147 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/15 ,  H01J2237/1501 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/3045 ,  H01J2237/30472

Abstract: 一种离子布植机的一分析器模组包括与一解析开口相邻的离子束偏转装置，其中一离子束的一末端离子束部分自离子束偏转装置发出。回应于一第一操作条件中的实质上零伏特的一第一值的一离子束偏转电压，离子束偏转装置将离子束的一来源离子束部分导向解析开口以产生末端离子束部分。当离子束偏转电压具有一在一第二操作条件中的高的第二值时，离子束偏转装置将来源离子束部分的种类导离解析开口，以使得末端离子束部分实质上是熄灭的。在第二操作条件过程中操作离子束控制电路以借由自第二值快速地切换离子束偏转电压为第一值而转变离子布植机为第一操作条件。一种布植方法，使用布植机的特点以在布植过程中自跳动回复且借此改良所布植的晶圆的良率。

公开(公告)号：CN101484966A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200780025606.9

申请日：2007-06-28

Applicant: 弗劳恩霍弗实用研究促进协会

Inventor： G·马陶什 ,  H·弗拉斯克 ,  J·-S·利比格 ,  V·柯克霍夫 ,  J·-P·海因斯 ,  L·克洛斯

IPC: H01J37/147 ,  H01J37/305

CPC classification number: H01J37/3053 ,  C23C14/243 ,  C23C14/30 ,  H01J37/147 ,  H01J2237/3137

Abstract: 本发明涉及一种电子束蒸发装置，其包括真空加工室(2)、产生借此加热待蒸发物料(5)的电子束(7)的轴向电子枪(6)、和设置在物料(5)和待镀膜基材(3)之间的隔挡(9)，该隔挡具有至少一个蒸发孔(10)，物料蒸气穿过该蒸发孔到达该基材(3)，其中，该隔挡(9)包括磁系统(14)，借助该磁系统，该电子束(7)可经过蒸发孔(10)被转向待蒸发物料(5)。

公开(公告)号：CN100428397C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN03812860.8

申请日：2003-06-10

Applicant: 株式会社东京大学TLO

Inventor： 奥村胜弥 ,  三好元介

IPC: H01J37/16 ,  H01J37/12 ,  H01J37/147 ,  H01J37/153

CPC classification number: H01J37/12 ,  H01J37/147 ,  H01J37/153 ,  H01J2237/1215

Abstract: 本发明提供适于小型化的电子光学镜筒及其制造方法。筒体(1)包含内筒(11)及外筒(12)。筒体整体上以具有高电阻导电性的陶瓷构成。在内筒的内表面(111)，利用电镀、蒸镀等手段获得静电透镜(21、22、23、24)。用公共配线连接构成透镜的电极或电极片(211～213、221、231、232、241～243)中的具有共同电位的电极或电极片。这样，可使共同电位的电极或电极片与外部配线进行集中连接。

公开(公告)号：CN1806309A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016510.2

申请日：2004-06-14

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： V·班威尼斯特 ,  R·拉斯梅尔 ,  黄扬强

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/05 ,  H01J37/30

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J37/147 ,  H01J2237/057

Abstract: 披露一种用于离子束的磁性偏转器，所述磁性偏转器包含第一与第二线圈。分别将线圈定位于射束的上方与下方，并且沿着射束的宽度进行延伸。电流通过线圈，用以在其间产生沿着大体上射束整个宽度而大致垂直于射束行进方向的磁场。在本发明的另一个方面中，披露一种在注入工件之前用来偏转射束的方法。该方法包含判断与射束相关联的一个或者多个特性，并且基于判断而有所选择地致动磁性偏转模组与静电偏转模组中的一种。

公开(公告)号：CN1795528A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200480014193.0

申请日：2004-05-21

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： 约翰.强.叶 ,  V·班威尼斯特 ,  M·克里斯托佛罗

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/317 ,  H01J37/147

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/147 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32678 ,  H01J2237/1508

Abstract: 提供一种离子注入系统以及为此的束线组件，其中在离子束导件内提供多尖点(Multicusped)磁场，且该离子束导件被供能，以在一沿该离子束导件通道的前进波内提供微波电场。该磁场及电场相互作用，以为在该离子束导件内的离子束保含功能提供一电子－回旋共振条件。

公开(公告)号：CN1256751C

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN01809373.6

申请日：2001-05-15

Applicant: 瓦里安半导体设备联合公司

Inventor： 唐纳德·W·伯里安

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/147

CPC classification number: H01J37/147 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/30488

Abstract: 离子注入装置包括用来产生离子束的离子束发生器、用来在第一方向上横越工件扫描离子束的扫描器、用来在第二方向上这样平移工件以使离子束分布在工件上的机械平移器、以及用来控制平移速度和射束扫描宽度以限制离子束离开工件的时间的控制器。在半导体晶片的情况下，在射束扫描宽度中平移速度是受控的，以便产生大体上圆形的扫描图案。