公开(公告)号：CN104246008B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201380017383.7

申请日：2013-03-21

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 伊克巴尔·沙瑞芙 ,  伊万格洛斯·斯皮尔普洛斯 ,  马克·塔斯卡尔

IPC: C23C16/455

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32899

Abstract: 用于在采用单线滴注方案的等离子体处理系统中供给气体的方法和装置，其中调节器在多个质量流控制器之间被共享。在一个或多个实施方式中，蓄积器被提供并与共享歧管气体连通地耦合以降低压力尖峰和下陷。在一个或多个实施方式中，可更换或不可更换地与蓄积器分离的过滤器与蓄积器整合。

公开(公告)号：CN106653651A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610963040.5

申请日：2016-11-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤润 ,  三浦繁博

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01J37/32 ,  H01J37/20 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/30655 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/3343 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  C23C16/45563 ,  H01J37/20 ,  H01L21/683 ,  H01L21/68785

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及基板保持构件。基板处理装置具有：处理室；旋转台，其设于该处理室内，沿着周向在表面设有多个能够保持基板的凹坑状的基板保持区域。通过形成凹凸图案而使所述表面的表面积相比于平坦面的表面积增加的表面积增加区域设于所述表面的位于所述基板保持区域的周围的部分。设置有能够向所述旋转台的所述表面供给处理气体的处理气体供给部件。

公开(公告)号：CN105719952A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510974810.1

申请日：2015-12-22

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 雷扎·阿尔加瓦尼 ,  沙尚克·C·德希穆克 ,  埃里克·A·赫德森 ,  汤姆·坎普 ,  萨曼莎·坦 ,  格拉尔多·阿德里安·德尔加迪诺

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/0234

Abstract: 本发明涉及于电介质蚀刻应用的集成蚀刻/清洁。本发明的实施方式涉及用于在电介质材料中蚀刻凹入特征的方法和装置。在各种实施方式中，凹入特征在两个蚀刻操作中形成。第一蚀刻操作部分地蚀刻特征，并且可在配置成产生电容耦合等离子体反应器中进行。第一蚀刻操作可以在由于离子穿透通过半导体材料之上的电介质而导致下伏的半导体材料经历实质性损害之前结束。第二蚀刻操作可以在配置成产生电感耦合等离子体反应器中进行。第一和第二蚀刻操作本身可以是多步骤的、循环的工艺。

公开(公告)号：CN104114741B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201280059621.6

申请日：2012-11-02

Applicant: 因特瓦克公司

Inventor： D·W·布朗 ,  V·沙阿 ,  T·佩德森 ,  T·布卢克

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3455 ,  C23C14/35 ,  C23C14/56 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3452

Abstract: 一种溅射系统，其具有带输入端口和输出端口的处理室，和定位在所述处理室的壁上的溅射靶。可动的磁体配置被定位在所述溅射靶的后面并且在所述靶的后面往复地滑动。输送机以恒定速度连续地运输基片经过所述溅射靶，使得在任意给定时刻，若干基片在前缘和后缘之间面对所述靶。所述可动的磁体配置以至少是所述输送机的所述恒定速度几倍的速度滑动。旋转区域被限定在靶的所述前缘和后缘的后面，其中所述磁体配置当其进入所述旋转区域时减速、且当其在所述旋转区域内调转滑动方向时加速。

公开(公告)号：CN102736648B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201210091617.X

申请日：2012-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松土龙夫

IPC: G05D23/30 ,  G01K11/32 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32899 ,  G05D23/192 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/3299

Abstract: 本发明提供一种温度控制方法以及等离子体处理系统，能够高精确度地控制晶圆(W)的温度。温度控制方法的特征在于，具备以下步骤：获取步骤，获取晶圆(W)的背面膜的种类的测量结果；选择步骤，从将向腔室内投入的能量、背面膜的种类以及晶圆(W)的温度相对应地进行了存储的第一数据库(330)，选择与作为上述测量结果的晶圆(W)的背面膜的种类和为了对上述晶圆(W)进行处理而投入的能量对应的晶圆(W)的温度；以及调整步骤，根据所选择的上述晶圆(W)的温度，调整上述晶圆(W)的温度。

公开(公告)号：CN102859034B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201180020889.4

申请日：2011-04-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 栗田真一 ,  J·库德拉 ,  S·安瓦尔 ,  J·M·怀特 ,  任东吉 ,  H·沃尔夫 ,  D·兹瓦罗 ,  稻川真 ,  I·莫里

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67712 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/511 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32889 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201

Abstract: 本发明大体上关于一种垂直CVD系统，所述CVD系统具有能够处理多个基板的处理腔室。尽管将所述多个基板安置于所述处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。所述处理源为水平居中的垂直等离子体发生器，所述垂直等离子体发生器允许在所述等离子体发生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将所述系统配置为双系统，凭借所述双系统将各自具有它们自己的处理腔室的两个相同的处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以从处理系统装载且卸载所述基板。每一个机器人可使用所述系统内的两个处理线。

公开(公告)号：CN104145320A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201380003317.4

申请日：2013-02-12

Applicant: 苹果公司

Inventor： D·N·麦麦陵 ,  S·A·迈尔斯 ,  D·韦伯

IPC: H01J37/317 ,  C30B31/22

CPC classification number: C23C14/48 ,  C23C14/081 ,  C23C14/5806 ,  C30B29/20 ,  C30B31/22 ,  C30B33/00 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/3365

Abstract: 本文描述了用于强化蓝宝石部件的系统和方法。一个实施方式可采用方法的形式，其包括确定蓝宝石组件的第一表面相对于离子注入设备的方向，并且执行第一注入步骤。该注入步骤可包括在该蓝宝石组件的第一表面引导离子以将它们嵌入第一表面下。该系统和方法也可包括如下步骤中的一个或多个：加热蓝宝石组件以将注入的离子扩散进入蓝宝石组件的更深层；冷却蓝宝石组件；和执行至少第二注入步骤，在蓝宝石组件的第一表面引导离子以将离子嵌入第一表面下。

公开(公告)号：CN103572259A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310306141.1

申请日：2013-07-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  三浦繁博

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/46 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供成膜装置和成膜方法。一边使旋转台旋转，一边重复进行向晶圆供给处理气体而形成反应层的步骤和利用等离子体来对该反应层进行改性的步骤，从而形成薄膜。并且，在形成该薄膜之后，停止处理气体的供给，并使用加热灯将晶圆加热到比成膜温度高的温度而进行薄膜的改性。

公开(公告)号：CN102737945A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210093432.2

申请日：2012-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大木达也 ,  小泽亘 ,  深泽公博 ,  金谷和博

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32926 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/3299

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体处理方法。在平行平板型的等离子体处理装置中，一边利用温度调整机构(47)将上部电极(40)调整至设定温度一边进行等离子体处理，以抑制由处理的环境气氛改变所引起的基板间的处理的均匀性的下降。包括：存储有用于进行等离子体处理的处理方案的方案存储部(56)；在输入画面中设定在开始使用新的第二电极之后的等离子体处理的累计时间或基板的处理个数和第二电极的设定温度的修正值的修正值设定部(54)；存储修正后的设定值的存储部(55)；和将写入处理方案的上部电极(40)的设定温度与上述存储部(55)内的修正值相加，基于修正后的设定温度控制温度调整机构(47)的程序。

公开(公告)号：CN106415876B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201580005179.2

申请日：2015-01-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 栗田真一 ,  J·库德拉 ,  J·M·怀特 ,  D·哈斯

IPC: H01L51/56 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45548 ,  C23C16/042 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/68742 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56

Abstract: 本公开涉及用于薄膜封装(TFE)的方法和设备。提供一种用于TFE的工艺配件。所述工艺配件是包括窗口、平行于窗口的掩模和框架的组件。所述工艺配件进一步包括用于使工艺气体流进所述窗口与所述掩模之间的容积的入口通道、用于将流出物气体泵送离开所述窗口与所述掩模之间的容积的出口通道，以及用于禁止工艺气体与流出物气体流动到不期望的位置的密封件。提供一种执行TFE的方法，所述方法包括将基板放置在上述工艺配件的掩模下方、使工艺气体流入所述工艺配件内，以及借助处理腔室内的能量源将工艺气体中的一些气体激活成反应物种。