公开(公告)号：CN107267805B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201710206398.8

申请日：2017-03-31

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 高桥知亮 ,  中妻宗彦

IPC: C22C9/06 ,  C22F1/08

Abstract: 提供在强度提高的同时，蚀刻后的表面凹凸降低的Cu‑Ni‑Si系铜合金条及其制备方法。含有Ni：1.5~4.5质量%、Si：0.4~1.1质量%的Cu‑Ni‑Si系铜合金条，电导率为30%IACS以上，拉伸强度为800MPa以上，在将以与包含晶体的[001]取向和材料的ND方向的面垂直的方向为轴的旋转角标记为Φ，将以ND方向为轴的旋转角标记为φ1，将以[001]方向为轴的旋转角标记为φ2的情况下，对于作为通过以ND轴为旋转轴只旋转φ1后，为了使ND轴和z轴一致而只旋转Φ，最后围绕[001]轴只旋转φ2，由此材料的ND、TD、RD与晶体的[001]、[010]、[100]一致的角度的组的欧拉角(φ1，Φ，φ2)，所有欧拉角的晶体取向的极密度均为12以下。

公开(公告)号：CN108779514A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780017655.1

申请日：2017-03-15

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 伊藤顺一 ,  荒川淳一 ,  横田拓也 ,  樋口直树

IPC: C22B7/00 ,  B09B3/00 ,  C22B3/30 ,  C22B3/38 ,  C22B3/44 ,  C22B23/00 ,  C22B26/12 ,  H01M10/54

CPC classification number: B09B3/00 ,  C22B3/44 ,  C22B7/00 ,  C22B23/00 ,  C22B26/12 ,  H01M10/54 ,  Y02W30/84

Abstract: 本发明的锂离子电池废料的处理方法包括以下工序：浸出工序，对锂离子电池废料进行浸出，并对由此得到的浸出后液体进行固液分离，而得到第一分离后液体；脱铁工序，向第一分离后液体中添加氧化剂，将第一分离后液体的pH调整为3.0～4.0的范围内，其后进行固液分离，将第一分离后液体中的铁去除而得到第二分离后液体；及脱铝工序，将第二分离后液体中和至pH4.0～6.0的范围内之后，进行固液分离，将第二分离后液体中的铝去除而得到第三分离后液体。

公开(公告)号：CN105369204B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201510477273.X

申请日：2015-08-06

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 高村博 ,  铃木了

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明涉及溅射靶‑背衬板接合体。一种溅射靶‑背衬板接合体，其为使用焊接材料将溅射靶和背衬板接合而得到的溅射靶‑背衬板接合体，其特征在于，将溅射靶和背衬板之间的焊接材料的外周用熔点为600～3500℃且轴向截面形状为圆形、椭圆形或矩形的线状材料覆盖。本发明提供有效地抑制在使用焊接材料接合溅射靶和背衬板的情况下的由焊接材料在溅射靶和背衬板之间露出引起的电弧放电产生、粉粒产生的技术。

公开(公告)号：CN108699678A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780011770.8

申请日：2017-01-04

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 小庄孝志

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  G11B5/64 ,  G11B5/851 ,  H01F10/16 ,  H01F41/18

Abstract: 一种溅射靶或膜，其特征在于，选自Ca、K、Na、Pb、Zn中的任意一种以上元素的氧化物为0.1摩尔％～10摩尔％，Cr为45摩尔％以下，Pt为45摩尔％以下，剩余部分包含Co。本发明的课题在于提供能够大幅减少由氧化物引起的粉粒、并且能够显著地提高成膜时的成品率的溅射靶。由此，能够进行品质良好的磁记录层的成膜，并且能够改善磁记录介质的成品率等。

公开(公告)号：CN108026631A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680006176.5

申请日：2016-02-15

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 森下雄斗

IPC: C23C14/34 ,  C22C19/07 ,  C22C32/00 ,  G11B5/851 ,  B22F1/00

Abstract: 本发明涉及一种溅射靶，其包含含有Co的合金以及硼和/或硼的氧化物，其特征在于，溶解到水中的氧化硼(B2O3)中的金属硼为7000μg/m2以下。本发明的课题在于提供一种能够抑制溅射时由B2O3的熔化引起的粉粒产生的适合于形成磁记录膜的溅射靶。

公开(公告)号：CN107923932A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680049373.5

申请日：2016-10-07

Applicant: 捷客斯金属株式会社 ,  品川满

Inventor： 品川满 ,  朝日聪明

IPC: G01R29/08

Abstract: 在能够通过具有产生电光效应的性质的化合物半导体单晶来调制入射的激光(L)的光调制元件中，在不降低化合物半导体的载体浓度的情况下防止低频带中的信号强度的衰减。光调制元件(23)具备：入射限制单元(25)，设于化合物半导体单晶(24)的能够供激光(L)入射的入射面(24a)或者其附近，限制激光(L)以外的光向入射面(24a)入射；及遮挡件(26)，由具有遮光性并且介电常数低的材料形成，并覆盖化合物半导体单晶(24)的沿着入射到该上述化合物半导体单晶(24)的上述激光(L)的行进方向延伸设置的面(24c)。

公开(公告)号：CN107432102A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201580078484.4

申请日：2015-06-18

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 田中幸一郎

IPC: H05K9/00 ,  B32B15/08 ,  C23C8/10

CPC classification number: B32B15/08 ,  B32B2307/206 ,  B32B2457/00 ,  C23C22/50 ,  C23C22/52 ,  C23C22/56 ,  H05K9/0073 ,  H05K9/0088

Abstract: 本发明提供电磁波屏蔽特性得到改善的电磁波屏蔽材料。一种电磁波屏蔽材料，其是具有使至少2片金属箔夹着绝缘层层叠而得的结构的电磁波屏蔽材料，各金属箔的与绝缘层相接的界面的金属氧化物层的厚度分别为1～30nm。

公开(公告)号：CN107406271A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680019645.7

申请日：2016-03-30

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 河村寿文

IPC: C01G41/02 ,  C01G31/02 ,  C01G39/02 ,  C25B1/00

Abstract: 提供一种新的金属聚酸和金属聚酸的制造方法。一种金属聚酸，其特征在于，由组成式：MxOy表示(式中，M为钨、钼或钒，4≤x≤1000，2.5≤y/x≤7)。

公开(公告)号：CN107254669A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710312099.2

申请日：2013-12-24

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 奈良淳史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C04B35/453 ,  C04B35/00 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/453 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/34 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3407 ,  C04B35/00 ,  C04B35/64 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明涉及烧结体和非晶膜。本发明的课题在于提供能够得到能够保持良好的可见光透射率和导电性的透明导电膜、尤其是低折射率的非晶膜的烧结体。这种薄膜的透射率高且机械特性优良，因此可用于显示器的透明导电膜、光盘的保护膜。本发明的目的在于由此提高光器件的特性、降低设备成本、大幅改善成膜的特性。

公开(公告)号：CN107241856A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710192763.4

申请日：2017-03-28

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 坂东慎介

IPC: H05K1/09 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C9/06 ,  C25D3/38 ,  C25D7/06 ,  C22F1/08

Abstract: 本发明的课题是提供蚀刻性优异的柔性印刷基板用铜箔。解决手段为一种柔性印刷基板用铜箔，其为包含99.0质量%以上的Cu、余量为不可避免的杂质的铜箔，其中，平均晶体粒径为0.6~4.3μm，并且MD方向的拉伸强度为230~287MPa，对在过硫酸钠浓度为100g/L且过氧化氢浓度为35g/L的水溶液(液温为25℃)中浸渍420秒后的表面的基于JIS B 0601‑2001的偏度Rsk，在MD方向和CD方向分别测定16次，将各次的测定值的绝对值进行平均得到的值为0.05以下。