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公开(公告)号：CN101997011B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201010266753.9
申请日：2010-08-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/0216 , G02F1/133 , H01L27/32
CPC classification number: G01J1/02 , G01J1/0209 , G01J1/0214 , G01J1/04 , G01J1/0411 , G01J1/0488 , G01J3/506 , G01J3/51 , G01J3/513
Abstract: 本发明涉及光电检测器和显示器件，入射到光电转换元件的光量在防止来自光透射基板下方的背光的杂散光入射到光电转换元件的同时得到了增加。光阻挡层由在相对光传播方向的一侧相互重叠的覆盖在光透射基板之上的光电转换元件的彩色滤光片与覆盖在相邻像素内的光电转换元件的彩色滤光片来形成。另外，通过在彩色滤光片之上提供微透镜，按常规不被检测到的光被聚集于光电转换元件，并且因此入射到光电转换元件的光量得以增加。
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公开(公告)号：CN102792678A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180012776.X
申请日：2011-02-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/374 , G01J1/44 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , G01J1/44 , H01L27/14609 , H04N5/378
Abstract: 一种半导体装置，其包括光电二极管、第一晶体管、第二晶体管、以及第三晶体管。第二晶体管和第三晶体管具有保持累积在第一晶体管的栅极中的电荷的功能。在第二晶体管和第三晶体管处于截止的期间中，将施加到第二晶体管的栅极的电压的电压电平设定为比第二晶体管的源极的电压电平和第二晶体管的漏极的电压电平低，并将施加到第三晶体管的栅极的电压的电压电平设定为比第三晶体管的源极的电压电平和第三晶体管的漏极的电压电平低。
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公开(公告)号：CN101197009B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200710198928.5
申请日：2007-12-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , G06K17/00
CPC classification number: H01M10/46 , H01M10/425 , H01M10/44
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置。其中通过在装有CPU的无线标签中安装带RF蓄电池的SRAM，使CPU系统高速化，来提高通信功能。另外，能够进行装有CPU的无线标签的存储中的数据重写。RF蓄电池包括天线电路、电源部、以及蓄电装置。通过组合SRAM和RF蓄电池，使SRAM具有作为非易失性存储器的功能。
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公开(公告)号：CN101140796A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710149734.6
申请日：2007-09-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G11C17/12 , G11C7/12 , G11C16/0416 , H01L27/112 , H01L27/12 , H01L27/1214
Abstract: 谋求如无线芯片那样具有CPU和存储器的半导体装置的低功耗化。存储电路包括多个字线、多个位线、以及多个存储单元。根据存储于存储单元的数据(“高电平”或“低电平”)决定多个存储单元的结构。预先分析存储于存储电路中的程序等的数据排列。当数据包含较多的“高电平”时，通过使用不形成半导体元件的空单元来形成存储“高电平”的存储单元。
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公开(公告)号：CN112868127B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201980068261.8
申请日：2019-10-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/60 , B60L58/24 , H01M10/44 , H01M10/48 , H01M10/613 , H01M10/615 , H01M10/633 , H01M10/637 , H02J7/00 , H02J7/10
Abstract: 通过二次电池的异常检测系统检测二次电池的异常，例如早期检测降低二次电池的安全性的现象，向使用者发出警告或者停止二次电池的使用，来确保安全性。二次电池的异常检测系统根据温度传感器所取得的温度信息检测二次电池的温度是否为能够进行正常工作的温度范围内。在二次电池的温度高时，通过二次电池的异常检测系统的控制信号驱动冷却装置。二次电池的异常检测系统至少包括存储单元，并且存储单元具有保持模拟信号的功能且包括作为半导体层使用氧化物半导体的晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118355431A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202280080380.7
申请日：2022-11-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G5/00 , G09F9/30 , G09G3/20 , G09G3/3233 , G09G5/10 , G09G5/18 , G09G5/37 , G09G5/373 , G09G5/377
Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖结构的电子设备。该电子设备包括显示装置、视线检测部及运算部。显示装置包括分割为多个副显示部的显示部及具有亮度转换电路的功能电路。视线检测部具有检测用户的视线的功能。运算部具有使用视线检测部的检测结果将多个副显示部的每一个分配于第一区域或第二区域的功能。功能电路具有以第一驱动频率进行第一区域所包括的副显示部的显示并以低于第一驱动频率的第二驱动频率进行第二区域所包括的副显示部的显示的功能。亮度转换电路具有将显示在第二区域上的图像数据转换为在副显示部中进行显示时降低亮度的图像数据的功能。
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公开(公告)号：CN118076993A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202280067630.3
申请日：2022-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/3233 , G02B27/02 , G06F3/01 , G06F3/0346 , G06F3/04845 , G09F9/00 , G09F9/30 , G09F9/33 , G09G3/20 , G09G3/32 , G09G3/3225
Abstract: 提供一种新颖电子设备。该电子设备包括显示装置、运算部及视线检测部，显示装置包括功能电路及被分割为多个副显示部的显示部。视线检测部具有检测用户的视线的功能。运算部具有利用视线检测部的检测结果将多个副显示部的每一个分配到第一区域或第二区域的功能。第一区域具有与注视点重叠的区。功能电路具有使第二区域的驱动频率低于第一区域的驱动频率的功能。功能电路具有使显示在第二区域中的副显示部上的图像的分辨率低于显示在第一区域中的副显示部上的图像的分辨率的功能。
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公开(公告)号：CN117813578A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202280054779.8
申请日：2022-07-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种具有新颖结构的显示装置。该显示装置包括：包括第一子像素、第二子像素、被供应扫描第一子像素的第一选择信号的第一栅极线及被供应扫描第二子像素的第二选择信号的第二栅极线的显示部；以及驱动控制电路，该驱动控制电路包括栅极线驱动电路、将栅极线驱动电路所输出的第一选择信号或第二选择信号分配给第一栅极线或第二栅极线而输出的切换部以及控制切换部的时序控制电路。时序控制电路在第一工作模式中使栅极线驱动电路输出具有第一帧频的第一选择信号以及选择期间比第一选择信号长的第二选择信号。时序控制电路在第二工作模式中输出具有比第一帧频低的第二帧频的第一选择信号及第二选择信号。
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公开(公告)号：CN117581289A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202280046663.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/3233
Abstract: 提供一种新颖电子设备。该电子设备包括显示装置、运算部以及视线检测部，显示装置包括功能电路及被分割为多个副显示部的显示部。视线检测部具有检测用户的视线的功能。运算部具有利用视线检测部的检测结果将多个副显示部的每一个分配为第一区域或第二区域的功能。第一区域具有与注视点重叠的区。功能电路具有使第二区域的驱动频率低于第一区域的驱动频率的功能。
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公开(公告)号：CN117377999A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280037156.X
申请日：2022-05-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/3275
Abstract: 本发明的一个方式提供一种具有冗余性的半导体装置。半导体装置包括第一驱动电路、第二驱动电路、第一选择电路、第二选择电路及切换电路，第一驱动电路的输出端子与第一选择电路的输入端子及切换电路的第一端子电连接，第二驱动电路的输出端子与第二选择电路的输入端子及切换电路的第二端子电连接。
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