公开(公告)号：KR1019950015563A

公开(公告)日：1995-06-17

申请号：KR1019940028969

申请日：1994-11-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사카모토다카오 ,  다하라가즈히로 ,  모모세켄지 ,  이마후쿠고스케 ,  엔도쇼스코 ,  나이토유키오 ,  나가세키가즈야 ,  히로세게이조

IPC: H01L21/263

Abstract: 플라즈마 처리장치는, 접지된 챔버와, 이 챔버내를 배기하는 진공펌프와, 웨이퍼가 얹어놓이는 서셉터와, 이 서셉터와 대면하도록 챔버내에 설치되는 샤워전극과, 이 샤워전극의 쪽으로부터 서셉터상의 웨이퍼체로 향하여 플라즈마 생성용 가스를 공급하는 가스 공급장치와, 서셉터 및 샤워전극의 양자에 대하여 제1의 주파수 f
l 의 고주파 전압을 각각 인가하는 제1의 고주파 전원과, 서셉터 및 샤워전극의 적어도 한쪽에 대하여 제1의 주과수 f
l 보다 높은 주파수인 제2의 주파수 f
2 를 가지는 고주과 전압을 인가하는 제2의 고주파 전원과, 그의 일차측이 제1의 고주파 전원에 접속되고, 그의 이차측은 제1 및 제2의 전극의 각각에 접속된 트랜스와, 이 트랜스의 이차측의 회로에 설치되고, 플라즈마 생성중에 있어서의 제1의 주파수 f
l 의 고주파 전류는 과시키지만 제2의 주파수 f
2 의 고주파 전류는 차단하는 로우패스 필터를 가진다.