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公开(公告)号：KR1019950034496A
公开(公告)日：1995-12-28
申请号：KR1019950009309
申请日：1995-04-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 도모야스마사유키 , 고시시아키라 , 니시가와히로시 , 다케나카히로토 , 사카모토요시오 , 다하라가즈히로 , 고미노미쯔아키 , 이마후쿠고스케 , 엔도쇼스코 , 나이토유키오 , 나가세키가즈야 , 히로세게이죠
IPC: H01L21/306
Abstract: 플리즈마 처리방법은, 프로세스 챔버내를 감압이 되도록 배기하고, 웨이퍼를 서셉터 위에 얹어놓고, 샤워전극 쪽으로부터 웨이퍼를 향하여 처리가스를 공급하며, 처리가스 고유의 아래끝단 이온 천이주파수보다도 낮은 제1주파수 f
1 의 고주파전력을 서셉터에 인가하고, 처리가스 고유의 윗끝단 이온 천이주파수보다도 높은 제2주 파수 f
2 의 고주파전력을 샤워전극에 인가하다.-
Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR100349064B1
公开(公告)日：2003-01-24
申请号：KR1019940040232
申请日：1994-12-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 이마후쿠고스케 , 엔도쇼스케 , 다하라가즈히로 , 쓰치야히로시 , 도모야스마사유키 , 나이토유키오 , 나가세키가즈야 , 노나카료 , 히로세게이조 , 후카사와요시오 , 고시이시아키라 , 고바야시이사오
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32623
Abstract: A plasma processing apparatus comprises a chamber, and an upper electrode and a lower electrode, parallelly provided in the chamber to oppose each other at a predetermined interval, for defining a plasma generation region between the electrodes. An object to be processed is mounted on the lower electrode. RF powers are supplied to the electrodes, so that a plasma generates between the electrodes, thereby performing a plasma process with respect to the object to be processed. A cylindrical ground electrode is provided around the plasma generation region in the chamber, for enclosing the plasma in the plasma generation region, and has a plurality of through holes for passing a process gas.
Abstract translation: 等离子体处理装置包括腔室和平行地设置在腔室中以预定间隔彼此相对的上电极和下电极，用于限定电极之间的等离子体产生区域。 待处理物体安装在下电极上。 将RF功率提供给电极，使得在电极之间产生等离子体，由此对待处理的对象执行等离子体处理。 在腔室内的等离子体产生区域周围提供圆柱形接地电极，用于将等离子体封闭在等离子体产生区域中，并且具有用于使处理气体通过的多个通孔。
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公开(公告)号：KR100302167B1
公开(公告)日：2001-11-22
申请号：KR1019940028969
申请日：1994-11-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/263
Abstract: 플라즈마 처리장치는, 전기적으로 접지된 챔버와, 챔버 내부에 위치한 제 1 의 전극과, 챔버 내부에 위치하고, 제 1 의 전극과 대면하며, 플라즈마 처리되는 피처리체가 위치되는 표면을 가지는 제 2 의 전극과, 플라즈마 생성용 가스를 제 1 의 전극이 위치한 영역으로부터 챔버 내로 공급하는 가스공급수단과, 챔버로부터 가스를 배기하며, 상기 가스공급수단과 함께 10 내지 250mTorr 내의 내부 압력이 되도록 챔버를 제어하는 배기수단과, 제 1 과 제 2 의 전극사이의 고주파 전계를 발생하기 위한 플라즈마 생성회로를 포함하여 구성되며,
상기 플라즈마 생성회로는 제 1 의 주파수 f
1 를 가지는 고주파신호를 생성하는 전원과, 제 1의 주파수 f
1 과 제 2의 주파수 f
1 /n와의 차이가 한자리수이내가 되도록 n을 선택하는 제 1 의 주파수 f
1 의 고주파신호로부터 제 2 의 주파수 f
1 /n(n : 1보다 큰 정수)의 고주파 신호를 유도하기 위한 주파수 분배기와, 제 1 의 주파수 f
1 의 고주파 신호를 증폭하기 위한 제 1 의 증폭기와, 제 2 의 주파수 f
1 /n의 고주파신호를 증폭하기 위한 제 2 의 증폭기와, 제 1 의 주파수 f
1 의 증폭된 고주파신호를 제 1 의 전극에 인가하기 위한 제 1 의 회로와, 제 2 의 주파수 f
1 /n의 증폭된 고주파신호를 제 2 의 전극에 인가하기 위한 제 2 의 회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1019950015563A
公开(公告)日：1995-06-17
申请号：KR1019940028969
申请日：1994-11-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/263
Abstract: 플라즈마 처리장치는, 접지된 챔버와, 이 챔버내를 배기하는 진공펌프와, 웨이퍼가 얹어놓이는 서셉터와, 이 서셉터와 대면하도록 챔버내에 설치되는 샤워전극과, 이 샤워전극의 쪽으로부터 서셉터상의 웨이퍼체로 향하여 플라즈마 생성용 가스를 공급하는 가스 공급장치와, 서셉터 및 샤워전극의 양자에 대하여 제1의 주파수 f
l 의 고주파 전압을 각각 인가하는 제1의 고주파 전원과, 서셉터 및 샤워전극의 적어도 한쪽에 대하여 제1의 주과수 f
l 보다 높은 주파수인 제2의 주파수 f
2 를 가지는 고주과 전압을 인가하는 제2의 고주파 전원과, 그의 일차측이 제1의 고주파 전원에 접속되고, 그의 이차측은 제1 및 제2의 전극의 각각에 접속된 트랜스와, 이 트랜스의 이차측의 회로에 설치되고, 플라즈마 생성중에 있어서의 제1의 주파수 f
l 의 고주파 전류는 과시키지만 제2의 주파수 f
2 의 고주파 전류는 차단하는 로우패스 필터를 가진다.-
公开(公告)号：KR100344967B1
公开(公告)日：2002-10-25
申请号：KR1019950009309
申请日：1995-04-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 도모야스마사유키 , 고시시아키라 , 니시가와히로시 , 다케나카히로토 , 사카모토요시오 , 다하라가즈히로 , 고미노미쯔아키 , 이마후쿠고스케 , 엔도쇼스코 , 나이토유키오 , 나가세키가즈야 , 히로세게이죠
IPC: H01L21/306
Abstract: 플라즈마 처리방법은, 프로세스 챔버내를 감압이 되도록 배기하고, 웨이퍼를 서셉터 위에 얹어놓고, 샤워전극 쪽으로부터 웨이퍼를 향하여 처리가스를 공급하며, 처리가스 고유의 아래끝단 이온 천이주파수보다도 낮은 제 1 주파수 f
1 의 고주파전력을 서셉터에 인가하고, 처리가스 고유의 윗끝단 이온 천이주파수보다도 높은 제 2 주파수 f
2 의 고주파전력을 샤워전극에 인가한다.
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