公开(公告)号：KR100155565B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019910015524

申请日：1991-09-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후카사와요시오 ,  모모세켄지

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J37/32321

Abstract: 본 발명은 프라즈마 처리방법에 관한 것이다.
서로 평행하게 간격을 갖고 배치된 제1 및 제2의 전극이 설치된 챔버를 제공하고, 원하는 플라즈마 발생용 가스를 이 플라즈마 발생 영역내에 도입하며, 이 플라즈마 발생용가스로부터의 플라즈마 발생을 촉진하기 위하여, 이 플라즈마 발생 영역내의 가스에, 436㎚이하의 파장인 자외선을 가지는 빛을 미리 정한 기간 조사하고, 이 빛의 조사 후, 이 제1 및 제2의 전극 사이에 고주파 전압을 인가하며, 이것에 의하여 이 플라즈마 발생용 가스로부터 플라즈마를 발생시키고, 및 이 플라즈마로 이 소재를 처리하는 에칭 및 플라즈마 처리방법이 제공된다.
본 발명의 방법에 의하면, 파장이 486㎚ 이하의 자외선을 가지는 빛을 조사할 때에, 플라즈마 여기 어시스트작용을 실현할 수 있고, 플라즈마 발생이 곤란한 조건에 있는 저압력, 저 RF파워의 처리조건에도 RF인가 후, 플라즈마가 안정할 때까지의 매칭시간을 단축할 수 있으며, 재현성이 좋은 플라즈마를 발생할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019920007101A

公开(公告)日：1992-04-28

申请号：KR1019910015524

申请日：1991-09-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후카사와요시오 ,  모모세켄지

IPC: H01L21/30

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR100302167B1

公开(公告)日：2001-11-22

申请号：KR1019940028969

申请日：1994-11-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사카모토다카오 ,  다하라가즈히로 ,  모모세켄지 ,  이마후쿠고스케 ,  엔도쇼스코 ,  나이토유키오 ,  나가세키가즈야 ,  히로세게이조

IPC: H01L21/263

Abstract: 플라즈마 처리장치는, 전기적으로 접지된 챔버와, 챔버 내부에 위치한 제 1 의 전극과, 챔버 내부에 위치하고, 제 1 의 전극과 대면하며, 플라즈마 처리되는 피처리체가 위치되는 표면을 가지는 제 2 의 전극과, 플라즈마 생성용 가스를 제 1 의 전극이 위치한 영역으로부터 챔버 내로 공급하는 가스공급수단과, 챔버로부터 가스를 배기하며, 상기 가스공급수단과 함께 10 내지 250mTorr 내의 내부 압력이 되도록 챔버를 제어하는 배기수단과, 제 1 과 제 2 의 전극사이의 고주파 전계를 발생하기 위한 플라즈마 생성회로를 포함하여 구성되며,
상기 플라즈마 생성회로는 제 1 의 주파수 f
1 를 가지는 고주파신호를 생성하는 전원과, 제 1의 주파수 f
1 과 제 2의 주파수 f
1 /n와의 차이가 한자리수이내가 되도록 n을 선택하는 제 1 의 주파수 f
1 의 고주파신호로부터 제 2 의 주파수 f
1 /n(n : 1보다 큰 정수)의 고주파 신호를 유도하기 위한 주파수 분배기와, 제 1 의 주파수 f
1 의 고주파 신호를 증폭하기 위한 제 1 의 증폭기와, 제 2 의 주파수 f
1 /n의 고주파신호를 증폭하기 위한 제 2 의 증폭기와, 제 1 의 주파수 f
1 의 증폭된 고주파신호를 제 1 의 전극에 인가하기 위한 제 1 의 회로와, 제 2 의 주파수 f
1 /n의 증폭된 고주파신호를 제 2 의 전극에 인가하기 위한 제 2 의 회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019950015563A

公开(公告)日：1995-06-17

申请号：KR1019940028969

申请日：1994-11-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사카모토다카오 ,  다하라가즈히로 ,  모모세켄지 ,  이마후쿠고스케 ,  엔도쇼스코 ,  나이토유키오 ,  나가세키가즈야 ,  히로세게이조

IPC: H01L21/263

Abstract: 플라즈마 처리장치는, 접지된 챔버와, 이 챔버내를 배기하는 진공펌프와, 웨이퍼가 얹어놓이는 서셉터와, 이 서셉터와 대면하도록 챔버내에 설치되는 샤워전극과, 이 샤워전극의 쪽으로부터 서셉터상의 웨이퍼체로 향하여 플라즈마 생성용 가스를 공급하는 가스 공급장치와, 서셉터 및 샤워전극의 양자에 대하여 제1의 주파수 f
l 의 고주파 전압을 각각 인가하는 제1의 고주파 전원과, 서셉터 및 샤워전극의 적어도 한쪽에 대하여 제1의 주과수 f
l 보다 높은 주파수인 제2의 주파수 f
2 를 가지는 고주과 전압을 인가하는 제2의 고주파 전원과, 그의 일차측이 제1의 고주파 전원에 접속되고, 그의 이차측은 제1 및 제2의 전극의 각각에 접속된 트랜스와, 이 트랜스의 이차측의 회로에 설치되고, 플라즈마 생성중에 있어서의 제1의 주파수 f
l 의 고주파 전류는 과시키지만 제2의 주파수 f
2 의 고주파 전류는 차단하는 로우패스 필터를 가진다.