公开(公告)号：KR100344967B1

公开(公告)日：2002-10-25

申请号：KR1019950009309

申请日：1995-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도모야스마사유키 ,  고시시아키라 ,  니시가와히로시 ,  다케나카히로토 ,  사카모토요시오 ,  다하라가즈히로 ,  고미노미쯔아키 ,  이마후쿠고스케 ,  엔도쇼스코 ,  나이토유키오 ,  나가세키가즈야 ,  히로세게이죠

IPC: H01L21/306

Abstract: 플라즈마 처리방법은, 프로세스 챔버내를 감압이 되도록 배기하고, 웨이퍼를 서셉터 위에 얹어놓고, 샤워전극 쪽으로부터 웨이퍼를 향하여 처리가스를 공급하며, 처리가스 고유의 아래끝단 이온 천이주파수보다도 낮은 제 1 주파수 f
1 의 고주파전력을 서셉터에 인가하고, 처리가스 고유의 윗끝단 이온 천이주파수보다도 높은 제 2 주파수 f
2 의 고주파전력을 샤워전극에 인가한다.

公开(公告)号：KR1019950034496A

公开(公告)日：1995-12-28

申请号：KR1019950009309

申请日：1995-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도모야스마사유키 ,  고시시아키라 ,  니시가와히로시 ,  다케나카히로토 ,  사카모토요시오 ,  다하라가즈히로 ,  고미노미쯔아키 ,  이마후쿠고스케 ,  엔도쇼스코 ,  나이토유키오 ,  나가세키가즈야 ,  히로세게이죠

IPC: H01L21/306

Abstract: 플리즈마 처리방법은, 프로세스 챔버내를 감압이 되도록 배기하고, 웨이퍼를 서셉터 위에 얹어놓고, 샤워전극 쪽으로부터 웨이퍼를 향하여 처리가스를 공급하며, 처리가스 고유의 아래끝단 이온 천이주파수보다도 낮은 제1주파수 f
1 의 고주파전력을 서셉터에 인가하고, 처리가스 고유의 윗끝단 이온 천이주파수보다도 높은 제2주 파수 f
2 의 고주파전력을 샤워전극에 인가하다.

公开(公告)号：KR100302167B1

公开(公告)日：2001-11-22

申请号：KR1019940028969

申请日：1994-11-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사카모토다카오 ,  다하라가즈히로 ,  모모세켄지 ,  이마후쿠고스케 ,  엔도쇼스코 ,  나이토유키오 ,  나가세키가즈야 ,  히로세게이조

IPC: H01L21/263

Abstract: 플라즈마 처리장치는, 전기적으로 접지된 챔버와, 챔버 내부에 위치한 제 1 의 전극과, 챔버 내부에 위치하고, 제 1 의 전극과 대면하며, 플라즈마 처리되는 피처리체가 위치되는 표면을 가지는 제 2 의 전극과, 플라즈마 생성용 가스를 제 1 의 전극이 위치한 영역으로부터 챔버 내로 공급하는 가스공급수단과, 챔버로부터 가스를 배기하며, 상기 가스공급수단과 함께 10 내지 250mTorr 내의 내부 압력이 되도록 챔버를 제어하는 배기수단과, 제 1 과 제 2 의 전극사이의 고주파 전계를 발생하기 위한 플라즈마 생성회로를 포함하여 구성되며,
상기 플라즈마 생성회로는 제 1 의 주파수 f
1 를 가지는 고주파신호를 생성하는 전원과, 제 1의 주파수 f
1 과 제 2의 주파수 f
1 /n와의 차이가 한자리수이내가 되도록 n을 선택하는 제 1 의 주파수 f
1 의 고주파신호로부터 제 2 의 주파수 f
1 /n(n : 1보다 큰 정수)의 고주파 신호를 유도하기 위한 주파수 분배기와, 제 1 의 주파수 f
1 의 고주파 신호를 증폭하기 위한 제 1 의 증폭기와, 제 2 의 주파수 f
1 /n의 고주파신호를 증폭하기 위한 제 2 의 증폭기와, 제 1 의 주파수 f
1 의 증폭된 고주파신호를 제 1 의 전극에 인가하기 위한 제 1 의 회로와, 제 2 의 주파수 f
1 /n의 증폭된 고주파신호를 제 2 의 전극에 인가하기 위한 제 2 의 회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019950015563A

公开(公告)日：1995-06-17

申请号：KR1019940028969

申请日：1994-11-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사카모토다카오 ,  다하라가즈히로 ,  모모세켄지 ,  이마후쿠고스케 ,  엔도쇼스코 ,  나이토유키오 ,  나가세키가즈야 ,  히로세게이조

IPC: H01L21/263

Abstract: 플라즈마 처리장치는, 접지된 챔버와, 이 챔버내를 배기하는 진공펌프와, 웨이퍼가 얹어놓이는 서셉터와, 이 서셉터와 대면하도록 챔버내에 설치되는 샤워전극과, 이 샤워전극의 쪽으로부터 서셉터상의 웨이퍼체로 향하여 플라즈마 생성용 가스를 공급하는 가스 공급장치와, 서셉터 및 샤워전극의 양자에 대하여 제1의 주파수 f
l 의 고주파 전압을 각각 인가하는 제1의 고주파 전원과, 서셉터 및 샤워전극의 적어도 한쪽에 대하여 제1의 주과수 f
l 보다 높은 주파수인 제2의 주파수 f
2 를 가지는 고주과 전압을 인가하는 제2의 고주파 전원과, 그의 일차측이 제1의 고주파 전원에 접속되고, 그의 이차측은 제1 및 제2의 전극의 각각에 접속된 트랜스와, 이 트랜스의 이차측의 회로에 설치되고, 플라즈마 생성중에 있어서의 제1의 주파수 f
l 의 고주파 전류는 과시키지만 제2의 주파수 f
2 의 고주파 전류는 차단하는 로우패스 필터를 가진다.