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公开(公告)号：KR1020020027310A
公开(公告)日：2002-04-13
申请号：KR1020017014080
申请日：2000-04-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본 발명의 플라즈마 처리 장치는 챔버 내에 고주파 전원(40)을 접속하는 제 1 전극(21)에 대향하도록 제 2 전극(5)을 배치하고, 이들 전극 사이에 피처리 기판(W)을 배치한다. 제 2 전극(5)에 대향하는 제 1 전극(21)의 면의 단부 영역 또는 주면에 접촉하여 고주파 전원(40)의 고조파 전력 흡수가 가능한 고조파 흡수 부재(51)를 마련하고, 고주파 전원에 되돌아가기 전에 고주파 흡수 부재로 반사된 고조파를 흡수한다. 이로써, 고조파에 의한 정재파의 발생을 유효하게 방지하여, 그 결과 플라즈마 밀도를 균일화한다.
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公开(公告)号：KR1019990067744A
公开(公告)日：1999-08-25
申请号：KR1019990000113
申请日：1999-01-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명의 기판세정장치는, 실질적으로 수평으로 유지된 기판에 대하여 상대이동접촉되는 액투과성의 막스크럽부재와, 이 막스크럽부재를 지지하는 지지부와, 막스크럽부재를 통해서 기판에 세정액을 공급하기 위한 공급관과, 이 공급관에 세정액을 공급하는 세정액공급원과, 세정액의 공급에 의해 부풀려진 막스크럽부재를 기판에 밀어붙이는 실린더기구와, 세정액의 공급에 의해 부풀려진 막스크럽부와 기판을 상대적으로 수평이동시키는 스핀척을 구비한다.
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公开(公告)号：KR100349064B1
公开(公告)日：2003-01-24
申请号：KR1019940040232
申请日：1994-12-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 이마후쿠고스케 , 엔도쇼스케 , 다하라가즈히로 , 쓰치야히로시 , 도모야스마사유키 , 나이토유키오 , 나가세키가즈야 , 노나카료 , 히로세게이조 , 후카사와요시오 , 고시이시아키라 , 고바야시이사오
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32623
Abstract: A plasma processing apparatus comprises a chamber, and an upper electrode and a lower electrode, parallelly provided in the chamber to oppose each other at a predetermined interval, for defining a plasma generation region between the electrodes. An object to be processed is mounted on the lower electrode. RF powers are supplied to the electrodes, so that a plasma generates between the electrodes, thereby performing a plasma process with respect to the object to be processed. A cylindrical ground electrode is provided around the plasma generation region in the chamber, for enclosing the plasma in the plasma generation region, and has a plurality of through holes for passing a process gas.
Abstract translation: 等离子体处理装置包括腔室和平行地设置在腔室中以预定间隔彼此相对的上电极和下电极，用于限定电极之间的等离子体产生区域。 待处理物体安装在下电极上。 将RF功率提供给电极，使得在电极之间产生等离子体，由此对待处理的对象执行等离子体处理。 在腔室内的等离子体产生区域周围提供圆柱形接地电极，用于将等离子体封闭在等离子体产生区域中，并且具有用于使处理气体通过的多个通孔。
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公开(公告)号：KR100302167B1
公开(公告)日：2001-11-22
申请号：KR1019940028969
申请日：1994-11-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/263
Abstract: 플라즈마 처리장치는, 전기적으로 접지된 챔버와, 챔버 내부에 위치한 제 1 의 전극과, 챔버 내부에 위치하고, 제 1 의 전극과 대면하며, 플라즈마 처리되는 피처리체가 위치되는 표면을 가지는 제 2 의 전극과, 플라즈마 생성용 가스를 제 1 의 전극이 위치한 영역으로부터 챔버 내로 공급하는 가스공급수단과, 챔버로부터 가스를 배기하며, 상기 가스공급수단과 함께 10 내지 250mTorr 내의 내부 압력이 되도록 챔버를 제어하는 배기수단과, 제 1 과 제 2 의 전극사이의 고주파 전계를 발생하기 위한 플라즈마 생성회로를 포함하여 구성되며,
상기 플라즈마 생성회로는 제 1 의 주파수 f
1 를 가지는 고주파신호를 생성하는 전원과, 제 1의 주파수 f
1 과 제 2의 주파수 f
1 /n와의 차이가 한자리수이내가 되도록 n을 선택하는 제 1 의 주파수 f
1 의 고주파신호로부터 제 2 의 주파수 f
1 /n(n : 1보다 큰 정수)의 고주파 신호를 유도하기 위한 주파수 분배기와, 제 1 의 주파수 f
1 의 고주파 신호를 증폭하기 위한 제 1 의 증폭기와, 제 2 의 주파수 f
1 /n의 고주파신호를 증폭하기 위한 제 2 의 증폭기와, 제 1 의 주파수 f
1 의 증폭된 고주파신호를 제 1 의 전극에 인가하기 위한 제 1 의 회로와, 제 2 의 주파수 f
1 /n의 증폭된 고주파신호를 제 2 의 전극에 인가하기 위한 제 2 의 회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019950015563A
公开(公告)日：1995-06-17
申请号：KR1019940028969
申请日：1994-11-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/263
Abstract: 플라즈마 처리장치는, 접지된 챔버와, 이 챔버내를 배기하는 진공펌프와, 웨이퍼가 얹어놓이는 서셉터와, 이 서셉터와 대면하도록 챔버내에 설치되는 샤워전극과, 이 샤워전극의 쪽으로부터 서셉터상의 웨이퍼체로 향하여 플라즈마 생성용 가스를 공급하는 가스 공급장치와, 서셉터 및 샤워전극의 양자에 대하여 제1의 주파수 f
l 의 고주파 전압을 각각 인가하는 제1의 고주파 전원과, 서셉터 및 샤워전극의 적어도 한쪽에 대하여 제1의 주과수 f
l 보다 높은 주파수인 제2의 주파수 f
2 를 가지는 고주과 전압을 인가하는 제2의 고주파 전원과, 그의 일차측이 제1의 고주파 전원에 접속되고, 그의 이차측은 제1 및 제2의 전극의 각각에 접속된 트랜스와, 이 트랜스의 이차측의 회로에 설치되고, 플라즈마 생성중에 있어서의 제1의 주파수 f
l 의 고주파 전류는 과시키지만 제2의 주파수 f
2 의 고주파 전류는 차단하는 로우패스 필터를 가진다.-
公开(公告)号：KR1020160018411A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：KR1020150110982
申请日：2015-08-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/18
Abstract: 기판끼리를접합할때 기판을적절히보유지지하여당해기판끼리의접합처리를적절히행한다. 접합장치(41)는, 하면에상측웨이퍼 W를진공배기하여흡착보유지지하는상측척(140)과, 상측척(140)의하방에설치되고상면에하측웨이퍼 W을진공배기하여흡착보유지지하는하측척(141)을갖는다. 하측척(141)은, 하측웨이퍼 W을진공배기하는본체부(190)와, 본체부(190) 상에설치되고하측웨이퍼 W의이면에접촉하는복수의핀(191)과, 본체부(190)의외주부에있어서동심원형상으로환형으로설치되고핀(191)보다낮은높이의복수의비접촉리브(193 내지 196)를갖는다. 인접하는비접촉리브(193 내지 196) 사이에는복수의핀(191)이설치되어있다.
Abstract translation: 本发明可以通过适当地支撑基板来适当地进行相应的基板的接合。 接合装置（41）包括：上卡盘（140），用于真空排出上晶片（W_U），以将其吸附并支撑在接合装置的下表面上; 以及用于对下部晶片（W_L）进行真空排气以在接合装置的上表面上吸附和支撑的下部卡盘（141），并安装在上部卡盘（140）的下侧。 下卡盘（141）包括：用于真空排出下晶片（W_L）的主体（190）; 多个针（191）接触下晶片（W_L）的另一表面，并安装在主体（190）上; 以及安装在主体（190）的外周部上的同心圆中的多个非接触肋（193至196），并且其高度低于销（191）的高度。 多个销（191）安装在相邻的非接触肋（193至196）之间。
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公开(公告)号：KR100880767B1
公开(公告)日：2009-02-02
申请号：KR1020017014080
申请日：2000-04-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3255 , H01J37/32082 , H01J37/321 , H01J37/32165 , H01J2237/3323
Abstract: 본 발명의 플라즈마 처리 장치는 챔버 내에 고주파 전원(40)을 접속하는 제 1 전극(21)에 대향하도록 제 2 전극(5)을 배치하고, 이들 전극 사이에 피처리 기판(W)을 배치한다. 제 2 전극(5)에 대향하는 제 1 전극(21)의 면의 단부 영역 또는 주면에 접촉하여 고주파 전원(40)의 고조파 전력 흡수가 가능한 고조파 흡수 부재(51)를 마련하고, 고주파 전원에 되돌아가기 전에 고주파 흡수 부재로 반사된 고조파를 흡수한다. 이로써, 고조파에 의한 정재파의 발생을 유효하게 방지하여, 그 결과 플라즈마 밀도를 균일화한다.
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公开(公告)号：KR100613919B1
公开(公告)日：2006-08-18
申请号：KR1020000042704
申请日：2000-07-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67046 , B08B1/04 , B08B3/04 , B08B2203/0288 , Y10S134/902
Abstract: 반도체 웨이퍼와 같은 기판의 세정장치에 있어서, 그 세정구(24)의 헤드(66)에, 순수(純水)공급로(60)로부터 순수가 공급되는 투액성의 합성수지제 코어재 (68)가 설치된다. 코어재(68)의 아래면에는 평면부(72)가 형성되고, 코어재(68)의 바깥면을 피복하도록 다공성 수지시트(69)가 접합된다. 세정구(24)를, 스핀회전중인 기판(W)의 면에 대하여 누르는 로드(31)에 대해 상하방향으로 추력(推力)을 부여하는 에어베어링 실린더(30)가 설치되고, 로드(31)의 내부에 순수공급로 (60)가 마련된다. 순수공급로(60)로부터 공급된 순수는, 코어재(68)와 다공성 수지시트(69)를 투과하여 헤드(66) 밖으로 보내지고, 헤드(66)와 기판(W)의 면 사이에 순수의 유동막이 형성된다. 따라서 기판의 오염이나 손상이 방지되고, 헤드의 형상이 흐트러지지 않는다.
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公开(公告)号：KR100493132B1
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：KR1019980051267
申请日：1998-11-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 레지스트막의 형성방법은, (a) 기판상에 레지스트막을 형성하는 공정과, (b) 상기 공정(a)에서 형성된 레지스트막의 표층부를 제거하여, 레지스트막의 막두께를 상기 공정(a)의 그것보다도 얇게 하는 공정을 구비한다.
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