公开(公告)号：KR1020150101875A

公开(公告)日：2015-09-04

申请号：KR1020140023715

申请日：2014-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정주 ,  김형희 ,  김경미 ,  백세경 ,  이수진 ,  김재호 ,  최정식

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/32139

Abstract: 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 양태에 따른 미세 패턴 형성 방법은 기판 상에 상분리 가이드층을 형성하는 단계와, 상기 상분리 가이드층 상에 중성층을 형성하는 단계와, 상기 중성층 상에 복수의 제1 개구부가 형성된 제1 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 패턴을 변화시켜, 상기 복수의 제1 개구부 각각의 폭보다 좁은 폭을 가지는 복수의 제2 개구부를 가지는 제2 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 중성층의 노출 부분을 식각하여, 상기 상분리 가이드층의 일부를 노출시키는 복수의 가이드 패턴이 형성된 중성 패턴을 형성하는 단계와, 상기 중성 패턴의 상면이 노출되도록 상기 제2 패턴을 제거하는 단계와, 상기 복수의 가이드 패턴을 통해 노출된 상기 상분리 가이드층과 상기 중성 패턴 위에 블록 공중합체를 포함하는 물질층을 형성하는 단계와, 상기 상분리 가이드층과 상기 중성 패턴 위에 상기 블록 공중합체의 상분리 결과물인 제1 블록 및 제2 블록을 포함하는 미세 패턴층을 형성하는 단계를 포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及根据本发明的技术思想的一个方面形成精细图案的方法，其包括：在基底上形成相分离引导层的步骤; 在相分离引导层上形成中性层的步骤; 形成在中性层上具有第一开口部的第一图案的步骤; 通过改变第一图案形成具有比第一开口部分窄的第二开口部分的第二图案的步骤; 通过使用第二图案作为蚀刻掩模来蚀刻中性层的曝光部分的步骤，以及形成具有引导图案的中性图案，该引导图案暴露一部分相分离引导层; 去除第二图案以暴露中性图案的上表面的步骤; 在由引导图案和中性图案露出的相分离层上形成包含嵌段共聚物的材料层的步骤; 在相分离层和中性图案上形成包含通过嵌段共聚物的相分离形成的第一和第二嵌段的微图案层的步骤。

公开(公告)号：KR1020150011207A

公开(公告)日：2015-01-30

申请号：KR1020130086211

申请日：2013-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경미 ,  김명선 ,  김재호 ,  김형희 ,  최남욱 ,  최정식

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/76879 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11575 ,  H01L2221/1021 ,  G03F1/38 ,  G03F1/80 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2004

Abstract: The present invention provides a method of fabricating a pattern of a semiconductor device. A method of fabricating a pattern of a semiconductor device according to the present invention comprises the steps of: forming an etch-target layer on a substrate; forming a photoresist layer on the etch-target layer; performing a first exposure process using a first photo mask to form a plurality of first-irradiated patterns in the photoresist layer, wherein the first photo mask includes a plurality of first transmission regions, each first transmission region having different optical transmittance; performing a second exposure process using a second photo mask to form a plurality of second-irradiated patterns in the photoresist layer, wherein the second photo mask includes a plurality of second transmission regions, each second transmission region having different optical transmittance; forming a photoresist pattern on the etch-target layer by removing the plurality of first-irradiated and second-irradiated patterns from the photoresist layer; and forming a lower structure from the etch-target layer by etching the etch-target layer using the photoresist pattern.

Abstract translation: 本发明提供一种制造半导体器件的图案的方法。 根据本发明的制造半导体器件的图案的方法包括以下步骤：在衬底上形成蚀刻目标层; 在蚀刻靶层上形成光致抗蚀剂层; 使用第一光掩模进行第一曝光处理以在光致抗蚀剂层中形成多个第一照射图案，其中第一光掩模包括多个第一透射区域，每个第一透射区域具有不同的光透射率; 使用第二光掩模进行第二曝光处理，以在所述光致抗蚀剂层中形成多个第二照射图案，其中所述第二光掩模包括多个第二透射区域，每个第二透射区域具有不同的透光率; 通过从光致抗蚀剂层去除多个第一次照射和第二次照射的图案，在蚀刻目标层上形成光致抗蚀剂图案; 以及通过使用光致抗蚀剂图案蚀刻蚀刻目标层，从蚀刻目标层形成下部结构。

公开(公告)号：KR1020130039124A

公开(公告)日：2013-04-19

申请号：KR1020110103601

申请日：2011-10-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정주 ,  김경미 ,  김민정 ,  이동준 ,  김부득

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/32139 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/095 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/203 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0273

Abstract: PURPOSE: A method for forming a pattern of a semiconductor device is provided to use positive photoresist and a basic developing solution, and to perform a double patterning process by using a simple method. CONSTITUTION: A photoresist layer(102) including a photoacid generator and a photo base generator is formed on a substrate(100). A first exposure process is performed on the photoresist layer to generate acid(108) from the photoacid generator in a first exposure part(E1). A second exposure process is performed on a part of the first exposure part to generate base(114) from the photo base generator in a first exposure part(E2). The photoresist layer processed by the first and the second exposure process is baked to deblock the photoresist layer(102b) in which the acid is generated in the first exposure part. The deblocked photoresist pattern is removed by using a developing solution to form a photoresist pattern.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的图案的方法以使用正性光致抗蚀剂和基本显影液，并且通过使用简单的方法进行双重图案化处理。 构成：在基板（100）上形成包括光致酸发生器和光源发生器的光致抗蚀剂层（102）。 在光致抗蚀剂层上进行第一曝光处理，以在第一曝光部分（E1）中从光致酸发生器产生酸（108）。 在第一曝光部分的一部分上执行第二曝光处理，以在第一曝光部分（E2）中从光源产生器产生基部（114）。 通过第一曝光处理和第二曝光工序处理的光致抗蚀剂层进行烘烤，使在第一曝光部中产生酸的光致抗蚀剂层（102b）去块。 通过使用显影溶液去除解封的光致抗蚀剂图案以形成光致抗蚀剂图案。

公开(公告)号：KR1020120027989A

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：KR1020100089920

申请日：2010-09-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이보희 ,  김경미 ,  박정주 ,  박미라 ,  김재호 ,  김영호

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139 ,  G03F7/2022 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: A method for forming a pattern of a semiconductor device is provided to perform a double patterning process using a spin coating method, thereby reducing costs and processing time in forming micro patterns of the semiconductor device. CONSTITUTION: A mask pattern is formed on a substrate(100). A CAP(Chemical Attach Process) material layer covers the mask pattern. A part of the CAP material layer is bonded with the mask pattern by a first bake process and a first developing process to form a CAP bonding layer. A medium material layer covers the mask pattern and the CAP bonding layer. The CAP bonding layer is left through a second bake process and a second developing process and the mask pattern and the medium material layer are eliminated.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的图案的方法，以使用旋涂法进行双重图案化处理，从而降低了形成半导体器件的微图形的成本和处理时间。 构成：在基板（100）上形成掩模图案。 CAP（化学附着工艺）材料层覆盖掩模图案。 CAP材料层的一部分通过第一烘烤工艺和第一显影工艺与掩模图案结合以形成CAP结合层。 中间材料层覆盖掩模图案和CAP粘合层。 CAP结合层通过第二烘烤工艺和第二显影处理，并且掩模图案和介质材料层被去除。

公开(公告)号：KR100839360B1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：KR1020060129346

申请日：2006-12-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경미 ,  김영호 ,  김명선 ,  김재호 ,  이창호 ,  한석

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01G13/00 ,  H01G4/33 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

Abstract: A pattern forming method and a capacitor forming method using the same are provided to remove a buffer film pattern with an oxide film pattern by performing a wet-etching process after a conductive film pattern is formed. An oxide film pattern with an aperture is formed on a substrate. A conductive film with a uniform thickness is formed on the oxide film pattern having the aperture. A buffer film pattern(266) is buried in the aperture of the oxide film pattern, where the conductive film is formed. The buffer film pattern contains a siloxane polymer with a predetermined structural expression. The conductive film is removed from the oxide film pattern by using the buffer film pattern as an etching mask.

Abstract translation: 提供了一种图案形成方法和使用该图案形成方法的电容器形成方法，以在形成导电膜图案之后执行湿法蚀刻工艺来去除具有氧化膜图案的缓冲膜图案。 在基板上形成具有孔的氧化膜图案。 在具有孔径的氧化膜图案上形成具有均匀厚度的导电膜。 缓冲膜图案（266）被埋在形成导电膜的氧化膜图案的孔中。 缓冲膜图案含有具有预定结构表达的硅氧烷聚合物。 通过使用缓冲膜图案作为蚀刻掩模，从氧化膜图案除去导电膜。

公开(公告)号：KR1020070029409A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：KR1020050084172

申请日：2005-09-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정훈 ,  김경미 ,  최남욱 ,  윤상웅 ,  이창호

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05B1/005 ,  B05C11/10 ,  G03F7/70916 ,  H01L21/67098 ,  H05B1/0233

Abstract: A photoresist solution supplier is provided to prevent the coagulation of photoresist residues by restraining the photoresist residues from being vaporized from an end portion of a nozzle using a thinner composition stored in a thinner storing unit. A photoresist solution supplier includes a nozzle for supplying a photoresist solution onto a substrate, an inner space and a heater. The inner space(122) is used for storing the nozzle. The inner space includes a thinner storing unit(150) for storing a thinner composition capable of preventing the vaporization of photoresist residues at an end portion of the nozzle. The heater(180) is used for vaporize the thinner composition.

Abstract translation: 提供光致抗蚀剂溶液供应者以通过使用更薄的组合物存储在更薄的存储单元中来限制光致抗蚀剂残留物从喷嘴的端部蒸发而防止光致抗蚀剂残留物的凝结。 光致抗蚀剂溶液供应商包括用于将光致抗蚀剂溶液供应到基底，内部空间和加热器上的喷嘴。 内部空间（122）用于存储喷嘴。 内部空间包括较薄的存储单元（150），用于存储能够防止喷嘴端部处的光致抗蚀剂残留物蒸发的较薄组合物。 加热器（180）用于蒸发较薄的组合物。

公开(公告)号：KR100620439B1

公开(公告)日：2006-09-11

申请号：KR1020050004099

申请日：2005-01-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류진아 ,  김부득 ,  김재호 ,  김영호 ,  김경미 ,  윤상웅

IPC: G03F7/027

CPC classification number: G03F7/0392

Abstract: 감광성 폴리머, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 제조 방법에서, 감광성 폴리머는 하기 일반식 (1)의 반복 단위로 이루어지며 1000 내지 100000의 분자량을 갖는다. 노광된 부위 및 노광되지 않은 부위의 포토레지스트막의 현상액에 대한 용해도 차이를 극대화할 수 있으며, 이에 따라, 보다 미세한 패턴을 정확하게 형성함과 동시에, 라인 에지 러프니스를 최소화할 수 있다.
......(1)
(상기 일반식 (1)에 있어서, R은 1 내지 20의 탄소수를 갖는 산 분해성 탄화수소기이다.)

公开(公告)号：KR1020060083615A

公开(公告)日：2006-07-21

申请号：KR1020050004494

申请日：2005-01-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김부득 ,  류진아 ,  김재호 ,  김영호 ,  김경미

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/118

Abstract: 고해상도를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성 방법에서, 포토레지스트 조성물은 산(H
+ )을 분산시키기 위한 유기분산제를 포함한다. 포토레지스트 조성물에 포함된 감광성 폴리머 사이의 공간을 확보하여 노광 시 산(H
+ )의 확산이 용이해진다. 이에 따라 디포커스 영역에서의 패턴 구현을 용이하게 함으로써 사진 식각 공정 마진을 확보할 수 있다.

Abstract translation: 在用于形成具有高分辨率的光致抗蚀剂图案的光致抗蚀剂组合物中以及使用其形成光致抗蚀剂图案的方法中，

公开(公告)号：KR1020060022145A

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：KR1020040070945

申请日：2004-09-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤여영 ,  김경미 ,  김영호 ,  김재현

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/7075 ,  G03F7/70933 ,  H01L21/6773

Abstract: 본 발명은 포토레지스트에 미치는 아민의 영향을 억제하기 위하여 포토리소그래피 공정 설비에 이용될 수 있는 웨이퍼 보관 장치에 관한 것으로, 웨이퍼를 수용하는 공간을 제공하는 저장부; 상기 저장부에의 웨이퍼의 반입 및 반출을 허용하는 개폐 수단; 상기 개폐 수단을 사이에 두고 상기 저장부와 인접하는 버퍼부; 상기 저장부와 상기 버퍼부로 퍼징 가스의 공급 경로를 제공하는 가스 공급관; 및 상기 저장부와 상기 버퍼부로부터 퍼징되는 가스의 경로를 제공하는 가스 배출관을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 코팅이나 노광이 진행된 웨이퍼를 보관하는 동안 PCD와 PED의 근본 원인인 외부의 아민과 접촉하지 않도록 할 수 있다. 따라서, 본 발명의 웨이퍼 보관 장치는 아민과의 접촉을 억제시킴으로써 임계치수 산포를 감소시키고 궁극적으로는 반도체 소자의 수율의 향상과 공정의 안정화를 이룩할 수 있는 효과가 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020050113792A

公开(公告)日：2005-12-05

申请号：KR1020040038900

申请日：2004-05-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경미 ,  윤여영 ,  왕윤경 ,  김재호 ,  김영호 ,  김부득

IPC: G03F7/027

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/0395

Abstract: 포토레지스트 패턴의 현상 결함을 방지할 수 있는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 상기 조성물은 70 내지 130의 분자량을 갖는 차단 그룹을 포함하는 감광성 수지 2 내지 10중량%, 광산 발생제 0.1 내지 0.5중량% 및 여분의 용매를 포함한다. 상술한 조성을 갖는 포토레지스트 조성물은 수직 프로파일을 갖고, 베이킹 공정시 온도에 민감하지 않으며, 저면에 푸팅이 발생하지 않는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.