액정표시장치
    31.
    发明公开
    액정표시장치 无效
    液晶显示装置

    公开(公告)号:KR1020060127365A

    公开(公告)日:2006-12-12

    申请号:KR1020050048377

    申请日:2005-06-07

    CPC classification number: G02F1/133308 G02F1/133608 G02F1/133615 G02F1/1339

    Abstract: An LCD(Liquid Crystal Display) device is provided to prevent the transmission of the heat generated at a light source through a top chassis toward an LCD panel. An LCD device includes a display unit(100) having an LCD panel(110) for displaying an image. A back light assembly(200) provides the light to the display unit. A top chassis(400) fixes the display unit to the back light assembly. Data and gate PCB(Printed Circuit Board)s(120,130) provide the driving signals to the LCD panel. Data and gate TCP(Tape Carrier Package)s(140,150) electrically connect the data and gate PCBs to the LCD panel. The LCD panel includes a color filter substrate(114) and a TFT(Thin Film Transistor) substrate(112).

    Abstract translation: 提供LCD(液晶显示器)装置,以防止在光源处产生的热量通过顶部底盘向LCD面板传播。 LCD装置包括具有用于显示图像的LCD面板(110)的显示单元(100)。 背光组件(200)将光提供给显示单元。 顶部底盘(400)将显示单元固定到背光组件。 数据和门板PCB(印刷电路板)(120,130)向LCD面板提供驱动信号。 数据和门TCP(磁带载体封装)(140,150)将数据和栅极PCB电连接到LCD面板。 LCD面板包括滤色器基板(114)和TFT(薄膜晶体管)基板(112)。

    비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법
    32.
    发明授权
    비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 有权
    非易失性存储器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR100654341B1

    公开(公告)日:2006-12-08

    申请号:KR1020040103102

    申请日:2004-12-08

    Abstract: 고집적화를 이루면서 유효 채널 길이를 효과적으로 늘여 펀치 쓰루를 방지하고, 프로그램과 소거 동작의 효율을 증가시킬 수 있는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법이 제공된다. 비휘발성 메모리 소자의 제조방법은, (a) 기판 내에 트렌치를 형성하는 단계와, (b) 트렌치의 내벽을 따라 게이트 절연막을 형성하는 단계와, (c) 트렌치 내의 상기 게이트 절연막 상에 기판 상부로 일부 돌출되어 플로팅 게이트를 형성하는 단계와, (d) 플로팅 게이트 상에 게이트간 절연막을 형성하는 단계와, (e) 결과물 상면에 터널링 산화막을 형성하는 단계와, (f) 플로팅 게이트의 상부로부터 플로팅 게이트의 일측벽을 따라 컨트롤 게이트를 형성하는 단계와, (g) 플로팅 게이트의 타측벽에 정렬되는 소스 영역과 컨트롤 게이트의 일측벽에 정렬되는 드레인 영역을 기판 내에 형성하는 단계를 포함한다.
    비휘발성 메모리, flash, 트렌치, trench

    Abstract translation: 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法,该非易失性存储器件能够有效地增加有效沟道长度,同时防止穿通并提高编程和擦除操作的效率,同时实现高集成度。 一种制造非易失性存储器件的方法,包括以下步骤:(a)在衬底中形成沟槽;(b)沿着沟槽的内壁形成栅极绝缘膜;(c) (D)在所述浮置栅极上形成栅极间绝缘膜;(e)在所得到的表面上形成隧道氧化膜;(f)使所述浮置栅极从所述浮置栅极的顶部浮置; 形成根据一个侧壁的栅极和,(G),其被布置在所述源极区的一个侧壁与控制栅极的漏极的控制栅的步骤是在所述浮栅区的另一侧壁对准,并在衬底中形成。

    백라이트 유닛 및 액정 표시 장치
    33.
    发明公开
    백라이트 유닛 및 액정 표시 장치 无效
    背光单元和液晶显示

    公开(公告)号:KR1020060123872A

    公开(公告)日:2006-12-05

    申请号:KR1020050045503

    申请日:2005-05-30

    Abstract: A backlight unit and an LCD are provided to make the distribution of brightness uniform even while the thickness of the backlight unit is reduced, by forming a light mixing member between neighboring light sources. A backlight unit(70) comprises light sources(76) and light mixing members(77) formed between the light sources. Each of the light mixing members is formed of a reflective material. The light mixing member has a corn shape. The light mixing member has a larger height than the light sources. The light sources are arranged in rows and columns. An LCD comprises a display panel and the backlight unit. The backlight unit is positioned below the display panel.

    Abstract translation: 通过在相邻的光源之间形成光混合构件,设置背光单元和LCD,以使即使在降低背光单元的厚度的同时也能够使亮度分布均匀。 背光单元(70)包括形成在光源之间的光源(76)和光混合构件(77)。 每个光混合构件由反射材料形成。 光混合构件具有玉米形状。 光混合构件具有比光源更大的高度。 光源以行和列排列。 LCD包括显示面板和背光单元。 背光单元位于显示面板下方。

    유기금속 전구체 및 이를 이용한 박막 제조방법
    34.
    发明授权
    유기금속 전구체 및 이를 이용한 박막 제조방법 有权
    如果您有任何问题,

    公开(公告)号:KR100636023B1

    公开(公告)日:2006-10-18

    申请号:KR1020050070798

    申请日:2005-08-02

    Abstract: Provided are a novel organometallic precursor which is improved in volatility and is excellent in the reactivity with an oxidant, and a method for preparing a thin film by using the organometallic precursor. The organometallic precursor comprises a metal; and a ligand represented by the formula 1, wherein R1 and R2 are identical or different each other and are H or a C1-C5 alkyl group. Preferably the metal of the organometallic precursor is any one selected from the group consisting of strontium (Sr), barium (Ba), calcium (Ca), magnesium (Mg) and beryllium (Be). The method comprises the steps of providing a reaction material which comprises a first organometallic precursor represented by the formula 1 and a second organometallic precursor containing a metal different from that of the organometallic precursor, and an oxidant to the upper part of a substrate; and reacting the provided one to form a thin film.

    Abstract translation: 本发明提供一种挥发性得到改善并且与氧化剂的反应性优异的新型有机金属前体,以及使用该有机金属前体制备薄膜的方法。 有机金属前体包含金属; 和由式1表示的配体,其中R 1和R 2彼此相同或不同,并且是H或C 1 -C 5烷基。 优选有机金属前体的金属是选自锶(Sr),钡(Ba),钙(Ca),镁(Mg)和铍(Be)中的任何一种。 所述方法包括以下步骤:提供反应材料,其包含由式1表示的第一有机金属前体和含有与有机金属前体不同的金属的第二有机金属前体和氧化剂到基底的上部; 并使所提供的反应形成薄膜。

    광학 렌즈, 이를 갖는 광학 모듈, 이를 갖는 백라이트어셈블리 및 이를 갖는 표시 장치
    35.
    发明公开
    광학 렌즈, 이를 갖는 광학 모듈, 이를 갖는 백라이트어셈블리 및 이를 갖는 표시 장치 有权
    光学透镜,具有光学透镜的光学模块,具有光学模块的背光组件和具有背光组件的显示装置

    公开(公告)号:KR1020060106172A

    公开(公告)日:2006-10-12

    申请号:KR1020050028630

    申请日:2005-04-06

    CPC classification number: G02B3/04

    Abstract: 광학 렌즈, 이를 갖는 광학 모듈, 이를 갖는 백라이트 어셈블리 및 이를 갖는 표시 장치가 개시되어 있다. 광학 렌즈는 점광원으로부터 발생된 광이 입사되는 내부곡면 및 외부와 접하는 외부곡면을 갖는다. 점광원으로부터 발생된 광이 입사되는 내부곡면은 장축이 수직 방향으로 형성되는 제1 타원면 형태를 가지며, 외부와 접하는 외부곡면은 장축이 수평 방형으로 형성되는 제2 타원면 형태를 갖는다. 제1 타원면은 장축에 대응되는 제1 정점의 곡률 반경이 5㎜ 이하이다. 제1 타원면은 원추 상수가 -1보다 크고 0보다 작다. 제2 타원면은 단축에 대응되는 제2 정점의 곡률 반경이 15㎜ 이하이다. 제2 타원면은 원추 상수가 0보다 크고 1보다 작다. 따라서, 광학 모듈의 유효발광거리을 증가시키고, 광학 모듈의 개수를 감소시켜 제조 원가를 절감할 수 있다.

    발광 다이오드용 렌즈, 발광 다이오드, 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 및 액정 표시 장치
    36.
    发明公开
    발광 다이오드용 렌즈, 발광 다이오드, 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 및 액정 표시 장치 有权
    用于发光二极管,发光镜,背光组件和液晶显示器的镜头

    公开(公告)号:KR1020060097968A

    公开(公告)日:2006-09-18

    申请号:KR1020050018987

    申请日:2005-03-08

    CPC classification number: G02B17/0856 G02B3/02 G02F1/133603 H01L33/58

    Abstract: 본 발명은 제1 가변 곡률을 가지는 제1 곡면과 제2 가변 곡률을 가지는 제2 곡면을 포함하는 발광 다이오드용 렌즈를 형성하며, 상기 제2 곡면은 상기 발광 다이오드용 렌즈의 중심축에서 측면 분산 돌기를 형성하는 발광 다이오드용 렌즈에 대한 것이다.
    이와 같은 발광 다이오드용 렌즈를 형성함으로써, 상면 발광의 특성과 측면 발광의 특성을 모두 가지며, 광 손실이 적고, 광 분포 면에서 균일성을 가진다. 또한, 렌즈의 중심 방향뿐만 아니라 측면 방향으로 광을 고르게 퍼트려 줄 수 있으며, 모니터와 TV 등에 두루 적용 가능하다.
    발광 다이오드용 렌즈, 측면 분산 돌기, 가변 곡률

    비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법

    公开(公告)号:KR100609067B1

    公开(公告)日:2006-08-09

    申请号:KR1020040108429

    申请日:2004-12-18

    Abstract: 비대칭 채널 구조를 가진 비휘발성 메모리 소자가 제공된다. 비휘발성 메모리 소자는 반도체 기판, 반도체 기판에 형성되며 n형 불순물로 도핑된 소오스/드레인 영역, 반도체 기판 상의 소정의 영역에 배치되며 전하들이 터널링 되는 터널링막, 및 터널링막 상에 형성되며 터널링되는 전하들이 트랩되는 전하 트랩층을 포함하는 트랩 구조물, 트랩 구조물과 노출된 반도체 기판 상에 형성된 게이트 절연막, 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 전극, 및 소오스/드레인 영역 사이의 채널 영역으로, 트랩 구조물 하부의 제1 채널 영역 및 게이트 절연막 하부의 제2 채널 영역을 포함하고, 제1 채널 영역의 문턱전압이 제2 채널 영역의 문턱 전압보다 낮은 채널 영역을 포함한다. 또한, 비대칭 채널 구조형 반도체 소자를 이용한 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법도 제공된다.
    비대칭 채널, 반도체 소자, 비휘발성 메모리, 로컬 오엔오, 문턱전압

    질소를 포함하는 씨앗층을 구비하는 금속-절연체-금속캐패시터 및 그 제조방법
    38.
    发明授权
    질소를 포함하는 씨앗층을 구비하는 금속-절연체-금속캐패시터 및 그 제조방법 有权
    金属绝缘体 - 具有氮绝缘层的金属电容器及其制造方法

    公开(公告)号:KR100604845B1

    公开(公告)日:2006-07-26

    申请号:KR1020040024888

    申请日:2004-04-12

    CPC classification number: H01L21/31122

    Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 백 엔드 공정시 발생되는 캐패시터의 누설 전류를 방지할 수 있는 MIM 캐패시터 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 MIM 캐패시터는 제 1 금속 성분을 포함하는 하부 전극을 포함한다. 상기 하부 전극 표면에 제 2 금속 성분, 산소 및 질소를 포함하는 유전막 씨앗층이 형성되어 있고, 상기 씨앗층 상부에 제 2 금속 성분 및 산소를 포함하는 유전막 메인층이 형성되어 있다. 그리고, 상기 유전막의 메인층 상부에 제 3 금속 성분을 포함하는 상부 전극이 형성되어 있다.
    씨앗층, 금속 질산화막, TiN, HfON, HfO2

    발광 소자 패키지 및 이를 갖는 액정 표시 장치
    39.
    发明公开
    발광 소자 패키지 및 이를 갖는 액정 표시 장치 无效
    发光元件包装和液晶显示装置

    公开(公告)号:KR1020060074329A

    公开(公告)日:2006-07-03

    申请号:KR1020040113045

    申请日:2004-12-27

    Abstract: 크기가 작고 제작이 간단하며 휘도의 균일성이 높은 발광 소자 패키지 및 이를 갖는 액정 표시 장치가 개시된다. 발광 소자 패키지는 광을 출사하는 발광부 및 발광부를 둘러싸면서 보호하되, 출사된 광을 분산시키는 기능을 하는 보호 렌즈를 포함한다. 이에 따라, 보호 부재와 렌즈를 동일한 재질로써 하나의 보호 렌즈로 제작하여 제품 크기를 줄이고 제작이 간단하며 휘도의 균일성이 증대된다.
    발광 소자 패키지, 보호 렌즈, 보호 부재, 접착 부재, 방열 부재.

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