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公开(公告)号：KR1019970077281A
公开(公告)日：1997-12-12
申请号：KR1019960018236
申请日：1996-05-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체 제조 장치의 화학 약제 공급 시스템에 관한 것으로, 본 발명에 의한 화학 약제 공급 시스템은 화학 약제 공급부에서 공급되는 2종류 이상의 화학 약제로 이루어진 화학 약제 혼합물을 저장하는 적어도 1개의 탱크와, 상기 화학 약제 공급부와 상기 탱크 사이에 설치되고, 상기 탱크로 공급되는 각 화학 약제의 양을 원하는 양으로 되도록 조절하는 공급량 조절부와, 상기 탱크로부터 공급된 화학 약제 혼합물을 소정의 온도로 조절한 후 공급 밸브를 통해 공정 처리조로 공급하는 온도 조절 탱크를 포함한다. 본 발명에 의하면, 화학 약제의 공급량을 정확하게 조절할 수 있고, 혼합 비율도 정확하게 제어할 수 있으며, 화학 약제의 공급단계에서 화학 약제의 오염 가능성을 최소화할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970030346A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950041690
申请日：1995-11-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남재우
IPC: H01L21/28
Abstract: 접촉기등을 통하여 상하부금속층이 전기적으로 접속되어 있는 다층배선구조를 갖는 반도체장치의 제조방법에 관한 기술을 개시하고 있고, 이 방법은 상기 하부금속박으로 사용되는 제1금속층(20)을 준비하는 공정과; 상기 제1금속층(20)상에 제2금속층(22)을 형성하는 공정과; 상기 제2금속층(22)상에 상기 접촉기등이 형성될 위치에 대응하여 패턴화된 감광막(24)을 형성하는 공정과; 상기 패턴화된 감광막(24)을 마스크로 사용하여 상기 제2금속층(22)을 건식식각법에 의해 선택적으로 제거하여 상기 접촉기등을 형성하는 공정과; 상기 감광막(24)의 제거한 다음 상기 접촉기등 및 상기 제1금속층(20)상에 층간절연막(26)을 형성하는 공정과; 상기 접촉기등의 상부표면이 노출될 때까지 상기 층간절연막(22)을 제거하여 평탄화하는 공정과; 상기 층간절연막(22)과 상기 접촉기등상에 상기 상부금속층으로 사용되는 제3금속층(28)을 형성하는 공정을 포함한다. 상술한 방법에 의하면, 층간절연막의 형성후 접촉층을 일부로 형성하지않고, 종래의 접촉창형성용 마스크를 사용하는 포토리소그라피기술에 의해 하부금속층상에 직접 접촉기등을 형성하고 그리고 이 접촉기등주위에 층간절연막을 형성하기 때문에 다층배선의 공정을 단순화시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 방법은 종래의 접촉창형성용 마스크를 그대로 사용하여 접촉기등을 형성하기 때문에 추가로 포토마스크를 제작할 필요가 없어 그 제조공정들을 단순화시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019960035857A
公开(公告)日：1996-10-28
申请号：KR1019950007592
申请日：1995-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 금속 배선층 형성시 발생되는 유기물 및 다중합체 부산물과 파티클을 금속 배선층의 손상없이 제거할 수 있는 반도체 기판 세정방법 및 이에 사용되는 세정액에 관한 것이다. 본 발명은 암모니아 수용액, 메탄올 또는 이소프로필 알콜 및 물을 혼합한 세정액으로 반도체 기판을 세정하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 암모니아 수용액, 메탄올 또는 이소프로필 알콜 및 물을 혼합한 것을 특징으로 하는 세정액을 제공한다. 본 발명에 의하면, 금속 배선층의 형성시 발생되는 유기물, 다중합체 및 파티클을 금속 배선층의 손상없이 제거할 수 있어 고집적화된 디바이스의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR102233575B1
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020140017578
申请日：2014-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 미세패턴형성방법에있어서, 기판상에리세스를포함하는가이드패턴을형성한다. 가이드패턴상에중성막을형성한다. 중성막상에블록공중합체를사용하여자기정렬패턴들을형성한다. 자기정렬패턴들중 일부를제거한다. 중성막상에알코올계용매에용해된포토레지스트물질을사용하여잔류하는자기정렬패턴을부분적으로커버하는포토레지스트패턴을형성한다. 포토레지스트패턴및 자기정렬패턴을식각마스크로사용하여중성막및 가이드패턴을부분적으로식각한다. 포토레지스트패턴형성을위해알코올계용매를사용하므로, 자기정렬패턴의손상을방지할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160027653A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：KR1020140115954
申请日：2014-09-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , G03F1/76
CPC classification number: H01L21/0271 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , H01L21/0273
Abstract: 홀형성방법에있어서, 식각대상막상에제1 개구부를포함하는링 형상을가지며서로물리적으로이격된복수의가이드패턴들을형성한다. 식각대상막및 가이드패턴상에제1 개구부를채우는자기정렬막을형성한다. 자기정렬막중 제1 개구부의내부및 이웃하는가이드패턴들사이에자기조립된부분을일부제거하여예비홀을형성한다. 예비홀을통해식각대상막을부분적으로식각한다. 홀이형성될지점에미리가이드패턴을형성하여홀 형성의오차를방지할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种形成孔的方法。 形成孔的方法包括以下步骤：在要蚀刻的膜上彼此物理间隔地形成具有环形的多个具有第一孔部分的引导图案; 形成填充待蚀刻的膜上的第一孔部分和引导图案的自阵列膜; 通过部分去除第一开口部分内部和相邻引导图案之间的自阵列膜的自组装部分而形成准备孔; 并通过预备孔部分蚀刻待蚀刻的膜。 引导图案形成在预先形成孔的点处，从而防止孔的形成错误。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150096816A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020140017578
申请日：2014-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0274
Abstract: 미세 패턴 형성 방법에 있어서, 기판 상에 리세스를 포함하는 가이드 패턴을 형성한다. 가이드 패턴 상에 중성막을 형성한다. 중성막 상에 블록 공중합체를 사용하여 자기정렬 패턴들을 형성한다. 자기정렬 패턴들 중 일부를 제거한다. 중성막 상에 알코올계 용매에 용해된 포토레지스트 물질을 사용하여 잔류하는 자기정렬 패턴을 부분적으로 커버하는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 포토레지스트 패턴 및 자기정렬 패턴을 식각 마스크로 사용하여 중성막 및 가이드 패턴을 부분적으로 식각한다. 포토레지스트 패턴 형성을 위해 알코올계 용매를 사용하므로, 자기정렬 패턴의 손상을 방지할 수 있다.
Abstract translation: 为了形成精细图案，形成具有凹槽的引导图案; 在引导图案上形成中性层; 在中性层上使用嵌段共聚物形成自组装图案; 自组装图案的一部分被去除; 在中性层上形成光致抗蚀剂图案，其中图案部分地使用在基于醇的溶剂中熔化的光致抗蚀剂材料覆盖剩余的自组装图案; 并且使用光致抗蚀剂图案和自组装图案作为蚀刻掩模来部分蚀刻中性层和引导图案。 可以通过使用醇类溶剂形成光致抗蚀剂图案来防止自组装图案的损伤。
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公开(公告)号：KR1020130120586A
公开(公告)日：2013-11-05
申请号：KR1020120043595
申请日：2012-04-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L21/0273 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/32139
Abstract: With a method of forming patterns, photoresist patterns are formed on a substrate in which an etching film is formed. Guide patterns having a higher heat resistance than the photoresist patterns are formed by surface- treating the photoresist patterns. A material layer including a block copolymer including at least two polymer blocks is coated on the substrate which is exposed by the guide patterns. Minute pattern layers in which mutually different polymer blocks are repeatedly arranged are formed by separating the material layer upon minute phases. A minute pattern mask is formed by removing minute patterns including at least one polymer block from the minute pattern layers. Also, patterns are formed by etching the etching film with the minute pattern mask. With the method, minute patterns are formed in simple processes.
Abstract translation: 通过形成图案的方法，在其中形成蚀刻膜的基板上形成光致抗蚀剂图案。 通过对光致抗蚀剂图案进行表面处理，形成具有比光致抗蚀剂图案更高的耐热性的引导图案。 包含至少两个聚合物嵌段的嵌段共聚物的材料层被涂覆在被引导图案暴露的基板上。 通过在分相上分离材料层来形成其中重复排列相互不同的聚合物嵌段的分钟图案层。 通过从微图案层去除包括至少一个聚合物嵌段的微小图案来形成微图案掩模。 此外，通过用微图案掩模蚀刻蚀刻膜形成图案。 使用该方法，在简单的过程中形成微小图案。
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公开(公告)号：KR100611229B1
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：KR1020000052610
申请日：2000-09-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/321
Abstract: 프로파일이 향상된 반도체 소자의 금속 패턴 형성 방법이 개시되어 있다. 먼저, 기판이나 절연막의 상부에 금속막을 형성하고, 금속막의 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하도록 한다. 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 금속막을 식각하여 금속 패턴을 형성한다. 그 후 식각된 금속 패턴을 유기 용제를 사용하여 세정하고, 상기 유기 용제로 세정된 금속 패턴을 0∼15℃ 온도 범위의 냉각수로 세정하도록 한다. 이러한 방법에 의해 형성된 금속 패턴은 금속층의 식각후 잔류되는 활성 이온과 탈이온수의 반응에 의한 금속의 부식을 감소시켜 양호한 프로파일을 갖게 된다.
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公开(公告)号：KR100386113B1
公开(公告)日：2003-06-02
申请号：KR1020010007063
申请日：2001-02-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: An ashing method of semiconductor wafers is provided to completely remove a photoresist deposited on a wafer by using an IPA(Iso Propyl Alcohol). CONSTITUTION: A wafer coated a photoresist is dipped into a DI(De-Ionized) water(S1). Then, an IPA is heated by a desired temperature(S2). The heated IPA is sprayed on the upper portion of DI water dipped in the wafer(S3). The DI water dipped in the wafer and the IPA sprayed on the upper portion of the DI water are drained(S4). The photoresist deposited on the wafer is then entirely removed by flowing the DI water and the IPA down from the upper portion to the lower portion of the wafer according to the drain of the DI and IPA to the outer(S5).
Abstract translation: 目的：提供半导体晶片的灰化方法以通过使用IPA（异丙醇）完全去除沉积在晶片上的光致抗蚀剂。 构成：将涂有光刻胶的晶片浸入DI（去离子）水（S1）中。 然后，将IPA加热到期望的温度（S2）。 加热的IPA喷洒在浸在晶片中的去离子水的上部（S3）。 浸入晶片中的去离子水和喷射在去离子水上部的IPA被排出（S4）。 然后根据DI和IPA的漏至外部（S5），通过使去离子水和IPA从晶圆的上部流向晶圆的下部，将沉积在晶圆上的光刻胶完全去除。
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公开(公告)号：KR100360394B1
公开(公告)日：2003-01-24
申请号：KR1019950052704
申请日：1995-12-20
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남재우
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A method for cleaning a semiconductor substrate and a cleaning solution used for the same are provided to improve the fidelity of a highly integrated device by removing organic compounds, polymers, and particles without the damage of a metal interconnection. CONSTITUTION: A cleaning solution is obtained by mixing a TMAH(Tetra Methyl Ammonium Hydroxide) solution, acetic acid, and deionized water at the volume rate of 1: 1-50: 1-50, respectively. Then, a semiconductor substrate is cleaned by using the cleaning solution. At this time, the semiconductor substrate is formed with a metal interconnection. The metal interconnection is formed by using one selected from group consisting of aluminum, aluminum alloy, titanium, molybdenum, titanium nitride and metal silicide.
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