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公开(公告)号：KR2019980005360U
公开(公告)日：1998-03-30
申请号：KR2019960017577
申请日：1996-06-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본고안은반도체장치의습식처리장치에관한것으로서, 본고안에따른습식처리장치는대기와차단된기밀(氣密)구조의습식처리챔버를포함하는습식처리시스템과, 상기습식처리챔버내에각종처리에필요한약액을공급하는약액공급부와, 상기습식처리챔버에건조공정에필요한유체를도입시키기위한건조용유체도입부와, 상기습식처리챔버로부터유체를배출시키는배출부를포함하는것을특징으로하는반도체장치의습식처리장치를제공한다. 본고안에의하면, 웨이퍼표면의액체와공기사이의인터페이스에서발생하기쉬운파티클소스를제거함으로써파티클억제효과및 수율향상효과를높일수 있다.
Abstract translation: 该湿式处理装置包括湿式处理室，该湿式处理室包括气密且封闭的气密结构的湿式处理室，该湿式处理室包括化学处理室 和代理用于从所述液体处理室中的半导体装置供电的湿式处理装置，包括：用于引入在湿式处理腔室中的干燥步骤所需的流体的干燥流体导入部的排出部，排出所述液体供给部 等等。 在本文中，通过去除在晶片表面上的液体和空气之间的界面处可能发生的粒子源，可以提高粒子抑制效果和产率改善效果。
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公开(公告)号：KR1019970052620A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950046110
申请日：1995-12-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 제조에 있어서 웨이퍼의 세정 후 그 웨이퍼를 건조하는 웨이퍼의 건조장치에 관한 것으로서, 그 구조는 계층적으로 형성된 복수의 단위수집판(26a-26n)을 구비한 수집판(22a)과; 상기 수집판(22a)에서 수집된 IPA혼합물을 배출하는 배출라인(24)을 포함하고, 상기 각 단위수집판(26a-26n)은 소정간격을 두고 계층적으로 설치되어 있어서, 상기 IPA증기가 각 단위수집판사이를 통하여 상기 웨이퍼의 저부 및 중앙부를 거쳐 상승하도록 한다. 상술한 구조를 갖는 응축증기수집부(22a)를 웨이퍼 건조장치에 적용할 경우, 챔버의 저면에서 기화된 IPA증기가 웨이퍼의 저부 및 중앙부를 거쳐서 상방향으로 이동될 수 있기 때문에, IPA의 증발영역에서 IPA증기가 균일하게 분포될 수 있다. 그 결과, 웨이퍼를 완전하고 빠르게 건조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970006256A
公开(公告)日：1997-02-19
申请号：KR1019950021391
申请日：1995-07-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C07C29/74
Abstract: 이소프로필 알콜(IPA) 재생 장치를 개시한다. 일측은 튜브를 통해 IPA 증기 드라이어에 연결되고 타측은 튜브를 통해 펌프에 연결된 벌크 IPA 집합 컨테이너, 상기 벌크 IPA 집합 컨테이너에 펌프를 통해 일측이 연결된 전제기, 상기 정제기 타측에 연결된 감압 증류 장치, 상기 강압 증류장치의 다른 일측에 연결된 고온 산화 칼슘(CaO)을 내재한 붐베(bombe:일종의 튜브), 상기 봄베 다른 일측에 연결된 순수 IPA 집합 컨테이너, 상시 순수 IPA 집합 컨테이너에 펌프를 통하여 연결된 이온 제거 필터, 상기 이온 제거 필터 다른 일측에 연결된 IPA 주 공급 시스템 및 상기 IPA 주 공급 시스템의 다른 일측에 연결된 IPA 증기 건조기로 이루어진 것을 특징으로 하는 IPA 재생 스테이션(recycling station)장치를 제공한다. 본 발명에 의하면 1회 사용된 IPA을 폐액으로 처리하는 종래의 IPA 재처리기(Reprocessor)와는 달리 감압증류 및 화학작용에 의한 복합적인 IPA 탈수과정(dehydration process)을 이용하여 설비의 단순화 및 유지 비용 절감 그리고 설비의 축소화를 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100515034B1
公开(公告)日：2005-12-09
申请号：KR1019980020003
申请日：1998-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
Abstract: 본 발명은 트렌치 격리 특성 저하를 방지하는 트렌치 격리 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 트렌치 식각 마스크가 형성된다. 트렌치 식각 마스크를 사용하여 반도체 기판이 식각 되어 트렌치가 형성된다. 트렌치 식각시 발생된 트렌치의 하부 및 양측벽의 손상층이 습식 식각으로 제거된다. 이와 같은 반도체 장치의 제조 방법에 의해서, 트렌치 식각시 발생된 트렌치 내벽의 손상층을 제거함으로써, 트렌치 하부 및 상부의 에지 부위를 포함하여 트렌치 내벽이 라운드 형태의 프로파일을 갖도록 형성할 수 있고, 따라서 후속 플라즈마 처리시 트렌치 내벽에 가해지는 어택(attack)을 최소화 할 수 있으며, 트렌치 격리 특성 저하를 방지할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100247930B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970018682
申请日：1997-05-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체 소자 또는 액정표시소자용 세정용액 및 이를 이용한 세정방법에 관한 것으로서, 본 발명의 세정용액은 0.01-20부피%의 플루오르화수소, 50-99.8부피%의 이소프로필알콜 및 0.01-19.9부피%의 탈이온수를 포함한다. 본 발명에 따른 세정용액은 폴리실리콘층의 세정 및 폴리실리콘층과 절연층이 공존할 경우의 세정에 바람직하게 적용될 수 있는데, 유기 및 무기성 오염물질에 대한 세정 효과 및 세정후의 재부착 방지 효과가 우수하여 콘택홀 형성후, 확산 공정 이전 또는 사진식각 공정 이전의 세정 공정시에 바람직하게 사용될 수 있으며, 특히 세정후에도 균일한 콘택홀 프로파일을 제공함으로써 반도체 소자 또는 액정표시소자의 성능 및 수율 향상에 기여할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100238232B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019970009546
申请日：1997-03-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 습식 처리조 내에 오염물이 잔류하지 않는 구조를 가지는 웨이퍼 습식 처리 장치 및 그 세정 방법에 관하여 개시한다. 웨이퍼 습식 처리 장치는 습식 처리조 내에 액체를 분사하는 공급 노즐 본체와, 상기 공급 노즐 본체를 통하여 상기 습식 처리조에 각각 서로 다른 유체를 선택적으로 공급할 수 있도록 상기 공급 노즐 본체에 연결된 제1 유입구 및 제2 유입구와, 상기 제1 유입구 및 제2 유입구에서 각각 유체의 유입을 개폐할 수 있도록 설치된 제1 제어 밸브 및 제2 제어 밸브를 포함하고, 상기 제1 제어 밸브 및 제2 제어 밸브는 이들중 어느 하나가 개방되면 다른 하나는 폐쇄되도록 구성된다. 웨이퍼 습식 처리 장치를 세정하기 위하여, 습식 처리조 내부를 알콜을 함유하는 유기 용제를 사용하여 세척한 후, 상기 습식 처리조 내부를 40 ∼ 70℃의 순수를 사용하여 세척하고, 다시 상온의 순수를 사용하여 세척한다.
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公开(公告)号：KR1019990086185A
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019980019046
申请日：1998-05-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 다양한 크기의 분출구가 형성된 순수 공급관을 갖춘 웨이퍼 세정조에 관하여 개시한다. 본 발명은 습식 세정액으로 세정된 웨이퍼를 오버플로우 방식에 의하여 린스하는 데 사용되고, 순수를 공급하기 위한 순수 공급관을 갖춘 웨이퍼 세정조에 있어서, 상기 순수 공급관은 순수가 유입되는 유입 단부와, 끝이 막혀 있는 다른 단부와, 상기 유입 단부와 다른 단부 사이에서 상기 세정조 내로 순수를 분출시키도록 형성된 복수의 분출구를 포함하고, 상기 복수의 분출구는 상기 유입 단부로부터 상기 다른 단부에 걸쳐서 각각 다양한 크기를 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정조를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1019990085621A
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019980018169
申请日：1998-05-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명의 반도체 디바이스 제조 방법은 밀폐된 환경에서 IPA VAPOR를 사용하여 건조된 웨이퍼 상에 반도체 소자들을 형성한다. 반도체 디바이스를 제조하는 방법은 세정 장치의 챔버 내로 반도체 웨이퍼를 로딩하고, 챔버를 밀폐하는 단계와, 챔버 내로 탈이온수를 공급해서 웨이퍼를 세정하는 단계와, 탈이온수를 외부로 배출시키면서 이소프로필 알코올 증기를 공급해서 웨이퍼를 건조시키는 단계, 그리고 건조된 웨이퍼 상에 반도체 소자들을 형성하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR100213243B1
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：KR1019960034296
申请日：1996-08-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 웨이퍼 세정 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 세정 방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 세정액이 유입되는 세정액 입구를 포함하고 외기(外氣)와 차단 상태로 세정 가능한 세정 챔버와, 상기 세정 챔버를 외기와 차단시킬 수 있도록 상기 세정 챔버 상부에 개폐 가능하게 설치된 챔버 커버와, 내부에 불활성 가스 버블러가 설치되어 있고, 웨이퍼 세정액을 저장하는 세정액 저장 탱크와, 상기 세정액 저장 탱크로부터 세정액을 상기 세정액 입구를 통해 상기 세정 챔버 내로 공급하는 펌프를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치를 사용하여, 용존 산소가 제거된 세정액으로 불활성 분위기에서 세정을 행한다. 본 발명에 의하면, 웨이퍼의 최종 린스에 사용되는 순수 내의 용존 산소를 최소화함으로써, 세정 공정에서 웨이퍼가 역오염되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
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