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公开(公告)号：KR100765208B1
公开(公告)日：2007-10-09
申请号：KR1020060032347
申请日：2006-04-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: A47L9/106 , A47L9/0063 , A47L9/2873 , A47L2201/022 , A47L2201/024
Abstract: A robot cleaner system having a robot cleaner and a docking station are provided to enhance sealing power of a connection path formed between a dust discharge outlet and a dust inlet by mounting a connection unit, inserted into a dust discharge outlet of the robot cleaner, to the docking system. A robot cleaner system having a robot cleaner and a docking station includes a connection unit(300). The connection unit functions as a connection path between a dust discharge outlet and a dust inlet(211). The connection unit includes a lever(310). The lever is installed to the docking station rotatably. When the robot cleaner docks with the docking system, a part of the lever rotates and enters the dust discharge outlet. The lever has a first arm(312) and a second arm(313). The first arm rotates the lever when the docking system docks with the robot cleaner docks. The second arm is inserted into the dust discharge outlet when the first lever rotates.
Abstract translation: 提供具有机器人清洁器和对接站的机器人清洁器系统，以通过将插入机器人清洁器的排尘口中的连接单元安装到灰尘排放口和灰尘入口之间形成的连接路径的密封功率到 对接系统。 具有机器人清洁器和坞站的机器人清洁器系统包括连接单元（300）。 连接单元用作灰尘排放口和灰尘入口（211）之间的连接路径。 连接单元包括杠杆（310）。 杠杆可旋转地安装到坞站。 当机器人清洁剂与对接系统对接时，杆的一部分旋转并进入灰尘排放口。 杠杆具有第一臂（312）和第二臂（313）。 当对接系统与机器人清洁基座停靠时，第一臂旋转杠杆。 当第一杆旋转时，第二臂插入灰尘排出口。
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公开(公告)号：KR100707354B1
公开(公告)日：2007-04-13
申请号：KR1020060031413
申请日：2006-04-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 로봇청소기가 도킹 스테이션에 도킹될 때 형성되는 먼지의 이동 경로 상에서 도킹 스테이션의 흡입력이 손실되는 것을 방지할 수 있는 로봇청소기 시스템을 개시한다. 본 발명에서 도킹 스테이션은 전자석을 구비하고, 로봇청소기는 전자석과 상호 작용하는 자력 작용 부재를 구비하는데, 이는 로봇청소기가 도킹 스테이션에 도킹될 때 전자석과 자력 작용 부재 사이의 인력에 의해 먼지 배출구와 먼지 흡입구 간의 밀봉성이 향상되도록 하기 위한 것이다. 이 때 전자석은 먼지 흡입구의 바깥쪽 둘레를 감싸도록 설치되고, 자력 작용 부재는 전자석에 대응하여 먼지 배출구의 바깥쪽 둘레를 감싸도록 설치될 수 있다. 또한 로봇청소기는 전자석에서 자력이 발생될 때 전자석 쪽으로 이동하며 먼지 흡입구와 연통되는 이동관을 더 구비할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种能够防止坞损失的抽吸力的当机器人清洁器停靠到所述停靠站时形成粉尘的移动路径上的机器人清洁器系统。 和对接站设置有在本发明中的电磁体，机器人清洁器是电磁体，相互在具有施加部件作用的磁力，这是由电磁铁和作用构件的磁力之间的吸引力当机器人清洁器停靠到停靠站，排尘口和灰尘 从而提高了吸气口之间的密封性能。 此时安装在电磁铁以包围灰尘吸入口的外周，也可以设置施加部件的磁力，以便对应于电磁铁包围粉尘排出口的外周。 机器人清洁器可以进一步包括移动管，该移动管在电磁体中产生磁力并且与灰尘入口连通时朝向电磁体移动。
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公开(公告)号：KR101977801B1
公开(公告)日：2019-08-28
申请号：KR1020110085039
申请日：2011-08-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 최진 , 정진하 , 블라디미르우라자에브 , 이혜연
IPC: H01L21/027 , G03F1/36 , G03F1/00 , G03F7/20
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公开(公告)号：KR1020140021104A
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：KR1020120086322
申请日：2012-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823468 , H01L21/823456 , H01L21/823462 , H01L29/401 , H01L29/4236 , H01L29/7834
Abstract: A semiconductor device and a method for fabricating the same are provided. The semiconductor device includes a device isolation region, a trench formed in the device isolation region, a ball connected to the trench in the device isolation region, a first mask pattern protruding from the inner side of the ball and formed along the side wall of the trench, a gate insulting layer formed along the side of the ball, and a gate electrode filling at least part of the trench and the ball.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括器件隔离区域，形成在器件隔离区域中的沟槽，与器件隔离区域中的沟槽连接的球体，从球体的内侧突出并沿着其的侧壁形成的第一掩模图案 沟槽，沿着球的侧面形成的栅极绝缘层，以及填充沟槽和球的至少一部分的栅电极。
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公开(公告)号：KR1020130101306A
公开(公告)日：2013-09-13
申请号：KR1020120022340
申请日：2012-03-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정용상 , 정진하 , 우라자에브블라디미르
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66621 , H01L21/308 , H01L29/4236
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to form gate electrodes with the same height by forming the gate electrodes within a third trench and a fourth trench. CONSTITUTION: A mask pattern (107a) is formed on a semiconductor substrate. An anisotropic wet etching process is performed on the semiconductor substrate. A first trench and a second trench are formed by the etching process. A gate insulating layer covers a third trench (114a) and the inner wall of a fourth trench (114b). A gate electrode is formed in the third trench and the fourth trench.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，通过在第三沟槽和第四沟槽内形成栅电极来形成具有相同高度的栅电极。 构成：在半导体衬底上形成掩模图案（107a）。 在半导体衬底上进行各向异性湿蚀刻工艺。 通过蚀刻工艺形成第一沟槽和第二沟槽。 栅极绝缘层覆盖第三沟槽（114a）和第四沟槽（114b）的内壁。 在第三沟槽和第四沟槽中形成栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130027609A
公开(公告)日：2013-03-18
申请号：KR1020110046577
申请日：2011-05-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 최진 , 정진하 , 블라디미르우라자에브 , 이혜연
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F1/78 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/09 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , H01J2237/0455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31776 , H01L21/0274 , G03F7/2063 , H01L21/0337
Abstract: PURPOSE: An exposure system, a photomask, and a wafer manufactured by the same are provided to form a desirable pattern without a limit by combining various types of shots even through a linewidth of a photomask pattern is not constant. CONSTITUTION: A beam generator(200) provides a source beam(110a). An exposure stage(300) includes a base(310) including photosensitive materials for an exposure process and a base stage(360) mounting the base. A beam forming unit(400) forms the source beam with a preset shape and a preset size. The beam forming unit includes a first beam shaper(410), a first deflector(420), a second beam shaper(435), and a second deflector(440). The first beam shaper changes the source beam to a first forming beam(110b). The second beam shaper changes the first forming beam into a second forming beam(110c).
Abstract translation: 目的：即使通过光掩模图案的线宽不均匀地组合各种类型的镜头，也提供曝光系统，光掩模和由其制造的晶片以形成期望的图案而不受限制。 构成：光束发生器（200）提供源光束（110a）。 曝光台（300）包括包括用于曝光处理的感光材料的底座（310）和安装底座的底座（360）。 光束形成单元（400）以预设的形状和预设的尺寸形成源光束。 光束形成单元包括第一光束整形器（410），第一偏转器（420），第二光束整形器（435）和第二偏转器（440）。 第一光束整形器将源光束改变为第一成形光束（110b）。 第二光束整形器将第一成形光束改变成第二成形光束（110c）。
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公开(公告)号：KR101227854B1
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：KR1020070049218
申请日：2007-05-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 전기 흡탈착식 연수기에 관한 것으로, 본 발명의 목적은 가전제품에 이용될 수 있도록 가전제품에서 요구되는 경도를 가지며 가전제품에서 요구되는 양의 공급수를 제공할 수 있는 전기 흡탈착식 연수기 및 그제어 방법을 제공함에 있다.
이를 위해 본 발명에 따른 전기 흡탈착식 연수기는원수와 연수의 혼합비를 조절하여 가전제품에서 요구되는 경도를 가지는 공급수를 생성하고, 상기 공급수를 상기 가전제품에 공급하는 공급수제공부를 포함한다.
연수기, 전기 흡탈착식 연수기, 공급수 제공부-
公开(公告)号：KR101227853B1
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：KR1020070049217
申请日：2007-05-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 환경오염은 줄일 수 있으면서도 처리 용량은 증가시킬 수 있는 연수장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 연수장치는 물이 통과하는 유로가 형성되어 있는 챔버를 포함한 것으로, 챔버는 이온교환수지가 수용되어 있는 이온 교환부와, 이온 교환부의 일측에 이온 교환부와 구획되게 마련되어 이온 교환부로부터 음이온 상태의 물질을 흡착하는 음이온 흡착부와, 이온 교환부의 타측에 이온 교환부와 구획되게 마련되어 이온 교환부로부터 양이온 상태의 물질을 흡착하는 양이온 흡착부를 포함하여, 이온 상태인 경수 성분 물질이 이온교환수지에 흡착되는 과정에서 발생하는 Na
+ 이온이 양이온 흡착부에 흡착되므로 이온교환수지를 통해 많은 양의 물을 연수화 할 수 있으면서도 Na
+ 이온에 의한 환경오염은 방지할 수 있게 되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020120121714A
公开(公告)日：2012-11-06
申请号：KR1020110039683
申请日：2011-04-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 임진수 , 우라자에브블라디미르 , 정진하 , 김한수 , 이혜연
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/0688 , H01L27/11582 , H01L29/7926 , H01L21/28282 , H01L21/823487 , H01L27/11578
Abstract: PURPOSE: A three-dimensional semiconductor memory device and a manufacturing method thereof are provided to minimize inclination of a laminate structure by supporting a sidewall of the laminate structure with a vertical active pattern. CONSTITUTION: Electrode patterns and insulating patterns are repetitively laminated on a substrate(100). An electrode structure(130) includes the electrode patterns and the insulating patterns. A vertical active pattern(125) is arranged within a vertical groove. The vertical groove is defined in one sidewall of an electrode structure. An information storage film is interposed between the sidewall of the vertical active pattern and each electrode pattern.
Abstract translation: 目的：提供三维半导体存储器件及其制造方法，以通过以垂直有源图案支撑层叠结构的侧壁来最小化层压结构的倾斜度。 构成：将电极图案和绝缘图案重复层叠在基板（100）上。 电极结构（130）包括电极图案和绝缘图案。 垂直活动图案（125）布置在垂直凹槽内。 垂直槽限定在电极结构的一个侧壁中。 在垂直有源图案的侧壁和每个电极图案之间插入信息存储膜。
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公开(公告)号：KR101195882B1
公开(公告)日：2012-10-30
申请号：KR1020070047614
申请日：2007-05-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 연수화 성능을 향상시키고, 연수 유량을 증대시킬 수 있는 구조를 구비한 연수장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
이를 위해 본 발명은 자성을 가지는 물질로 형성된 임펠러와, 상기 임펠러를 회전가능하게 수용하며 내부에 영구자석이 배치되는 케이싱과, 상기 임펠러를 구동하는 구동장치를 포함하고, 상기 임펠러와 상기 영구자석의 상호 작용에 의해 유체를 자화시키는 것을 특징으로 하여 연수유량을 증가시킬 수 있는 동시에 연수성능을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
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