公开(公告)号：KR102161260B1

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：KR1020130134933

申请日：2013-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조차제 ,  조태제 ,  정현수

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12

公开(公告)号：KR102136844B1

公开(公告)日：2020-07-22

申请号：KR1020130116458

申请日：2013-09-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 지상욱 ,  문형렬 ,  박영렬 ,  조태제

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/20

公开(公告)号：KR101896665B1

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：KR1020120003454

申请日：2012-01-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최윤석 ,  조태제

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/074 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/05552

Abstract: 반도체패키지가제공된다. 본발명의일 실시예에따른반도체패키지는, 기판; 기판상에위치하고, 복수의제1 반도체칩들을포함하는칩 적층부; 칩적층부상에위치하는적어도하나의제2 반도체칩; 및적어도하나의제2 반도체칩을기판과전기적으로연결하는신호전달매체를포함하고, 칩적층부는, 복수의제1 반도체칩들중 하나인쓰루실리콘비아(TSV)를포함하는제1 칩, 복수의제1 반도체칩들중 다른하나인 TSV를통해제1 칩과전기적으로연결되는제2 칩, 및제1 칩과제2 칩의사이를채우는내부밀봉재를포함하는육면체구조물이다.

公开(公告)号：KR1020160109321A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：KR1020150033505

申请日：2015-03-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박상천 ,  조차제 ,  조태제

IPC: H01L31/04 ,  H01B11/22 ,  H01L31/054

CPC classification number: G02B6/43 ,  G02B6/1226 ,  G02B6/428 ,  G02B6/4283 ,  G02B6/4295 ,  G02B6/4416 ,  Y02E10/52 ,  H01L31/04 ,  H01B11/22 ,  H01L31/0543

Abstract: 광전회로가제공된다. 상기광전회로는제1 및제2 면을연결하는관통홀을포함하는기판, 상기관통홀을통과하고, 제1 전기신호및 광신호를전송하는전송배선, 상기제1 면상에서, 상기전송배선과연결되고, 상기광 신호를제2 전기신호로변환하는컨버터및 상기제2 면상에서, 상기전송배선과연결되고, 상기제1 전기신호를수신하는전기단자를포함한다.

Abstract translation: 提供一种光电电路。 光电电路包括：基板，包括连接第一侧和第二侧的通孔; 通过所述通孔的传输线，并且发送第一电信号和光信号; 连接到第一侧的传输线并将光信号转换成第二电信号的转换器; 以及连接到第二侧的传输线并接收第一电信号的电端子。

公开(公告)号：KR1020160061236A

公开(公告)日：2016-05-31

申请号：KR1020140178256

申请日：2014-12-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유승관 ,  심종보 ,  안은철 ,  조태제

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L23/488 ,  H01L2924/00012

Abstract: 반도체장치는기판기판상의도전패드, 도전패드를노출시키는보호층및 범프구조를포함할수 있다. 범프구조는도전패드상에배치된제1 범프구조와보호층상에배치된제2 범프구조를포함할수 있다. 제1 범프구조는도전패드상에차례로적층되는기반범프막, 제1 필라범프막, 및제1 솔더범프막을포함할수 있다. 제2 범프구조는보호층상에차례로적층된제2 필라범프막및 제2 솔더범프막을포함할수 있다.

Abstract translation: 半导体器件及其制造方法技术领域本发明涉及半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：衬底; 衬底上的导电焊盘; 暴露导电垫的保护层; 和凸块结构。 凸块结构可以包括设置在导电焊盘上的第一凸块结构和设置在保护层上的第二凸块结构。 第一凸块结构可以包括依次堆叠在导电焊盘上的基底凸起膜，第一柱凸起膜和第一焊料凸块膜。 第二凸块结构可以包括依次堆叠在保护层上的第二柱状凸起膜和第二太阳凸块膜。 根据本发明的一个实施例，可以防止导电垫暴露时导致的导电焊盘的腐蚀。

公开(公告)号：KR1020160037582A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：KR1020140130335

申请日：2014-09-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조차제 ,  임윤혁 ,  조태제

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/36 ,  H01L23/427 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L25/0652 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16195

Abstract: 다른종류의반도체칩이포함되는반도체패키지내부로부터발열을효율적으로외부로방출할수 있는반도체패키지를제공한다. 본발명에따른반도체패키지는패키지베이스기판, 패키지베이스기판상에부착되는적어도하나의제1 반도체칩 및적어도하나의제1 반도체칩과인접하도록패키지베이스기판상에부착되며복수의제2 반도체칩이적층된적어도하나의적층반도체칩 구조체를포함하며, 적어도하나의제1 반도체칩과인접하는적어도하나의적층반도체칩 구조체의변에복수의관통전극이형성된관통전극영역이인접하도록배치된다.

Abstract translation: 提供了能够从包括不同种类的半导体芯片的半导体封装的内部有效地向外部发热的半导体封装。 根据本发明的半导体通道包括封装基底基板; 至少一个第一半导体芯片，其附接到所述封装基底基板; 以及至少一个层叠的半导体芯片结构，其以与所述至少一个第一半导体芯片相邻的方式附接到所述封装基底基板，并且其中堆叠多个第二半导体芯片。 布置多个穿透电极的穿透电极区域设置成与邻近于至少一个第一半导体芯片的层叠半导体芯片结构的边缘相邻。

公开(公告)号：KR1020160008053A

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：KR1020140087676

申请日：2014-07-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한상욱 ,  박승원 ,  강운병 ,  조태제

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3128 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 본발명은반도체패키지및 그제조방법을제공한다. 반도체패키지제조방법은그루브를형성하여, 제1 반도체칩들을분리시키는것을포함할수 있다. 그루브를형성하는것은상기반도체기판의하면으로부터상기반도체기판및 상기몰드막의일부를상기하면에경사진방향으로자르는제1 쏘잉공정; 및상기몰드막을상기반도체기판의상기하면에수직한방향으로자르는제2 쏘잉공정을포함하고, 상기반도체기판내에형성된상기그루브의최소너비는상기몰드막내에형성된상기그루브의최대너비보다넓을수 있다.

Abstract translation: 本发明提供一种半导体封装及其制造方法。 制造半导体封装的方法包括形成沟槽以将第一半导体芯片彼此分开的步骤。 形成凹槽的步骤包括：第一锯切工艺，以在底面上相对于半导体衬底的底表面倾斜的方向切割半导体衬底和模具层的一部分; 以及第二锯切工艺，以在与半导体衬底的底表面垂直的方向上切割模具层。 形成在半导体衬底中的槽的最小宽度可以比形成在模具层中的槽的最大宽度宽。

公开(公告)号：KR1020150070749A

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：KR1020130157323

申请日：2013-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조차제 ,  조태제 ,  임윤혁

IPC: H01L23/28

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/36 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 본발명은반도체패키지및 이의제조방법을제공한다. 이반도체패키지에서는, 반도체칩의핫 스팟영역에인접한영역이몰드막으로덮이지않고노출되되반도체칩의다른영역들은몰드막으로덮인다.

Abstract translation: 本发明提供一种半导体封装及其制造方法。 在半导体封装中，与半导体芯片的热点区域相邻的区域不被模具膜覆盖，并且在其他区域被模具膜覆盖的同时露出。 半导体封装包括：安装在封装的衬底上的至少一个半导体芯片; 以及其上表面的一部分覆盖半导体芯片的模具膜。

公开(公告)号：KR1020150058940A

公开(公告)日：2015-05-29

申请号：KR1020130142305

申请日：2013-11-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최은경 ,  한상욱 ,  조태제

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/04 ,  H01L23/367 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49816 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 기판과기판상의제1 반도체칩 및상기제1 반도체칩 상의제2 반도체칩을갖는다. 상기제1 반도체칩 상에히트스프레더가형성될수 있다. 상기제1 반도체칩 및상기히트스프레더에접촉되고, 상기제2 반도체칩의측면들을덮는열전달물질막이형성될수 있다. 제 1 반도체칩에서발생된열은열전달물질막과히트스프레더를통해서배출될수 있다. 상기기판과상기제1 반도체칩 사이의열팽창계수의차이에따른열응력을분산하여구조적안정성을확보할수 있다.

Abstract translation: 本发明包括基板，基板上的第一半导体芯片和第一半导体芯片上的第二半导体芯片。 散热器可以形成在第一半导体芯片上。 可以形成接触第一半导体芯片和散热器并覆盖第二半导体芯片的侧面的传热材料层。 从第一半导体芯片产生的热量可以通过传热材料层和散热器排出。 可以通过基于衬底和第一半导体芯片之间的热膨胀系数的差分散热应力来确保结构稳定性。

公开(公告)号：KR1020150042090A

公开(公告)日：2015-04-20

申请号：KR1020130120864

申请日：2013-10-10

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 강운병 ,  백경욱 ,  조태제 ,  서선경 ,  지영근 ,  신지원 ,  최용원

IPC: H01L23/485

CPC classification number: C08K3/08 ,  C08K2003/0893 ,  C08K2201/011 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/8211

Abstract: 본발명은비전도성폴리머막, 비전도성폴리머페이스트및 이들을포함하는반도체패키지에관한것이다. 본발명은막 형태의비전도성폴리머기재내에평균입경이약 1 nm 내지약 200 nm인아연(Zn) 입자를함유하는비전도성폴리머막 및이를포함하는반도체패키지를제공한다. 본발명의비전도성폴리머막 및비전도성폴리머페이스트를이용하면전기적접속특성이우수하고신뢰성이높은반도체패키지를간단한공정을통하여저렴하게제조할수 있는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及非导电聚合物膜，非导电聚合物膏和包含该非导电聚合物的半导体封装。 本发明提供了一种非导电聚合物膜，其包含平均粒径为约1nm至200nm的Zn颗粒，在非导电聚合物基材中为薄膜型，其半导体封装包括该非导电聚合物膜。 如果使用根据本发明的非导电聚合物膜和非导电聚合物膏，则通过简单的工艺以低成本制造具有高电连接性和高可靠性的半导体封装。