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公开(公告)号：KR101898679B1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：KR1020120146620
申请日：2012-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/08 , H01L27/156 , H01L33/24 , H01L33/387
Abstract: 나노구조발광소자가개시된다. 개시된발광소자는제1형반도체층; 상기제1형반도체층상에구비되는것으로, 나노코어, 상기나노코어의표면을둘러싸는활성층및 제2형반도체층을포함하는복수의나노구조체; 상기복수의나노구조체를둘러싸는전극층; 상기전극층상에구비되며, 상기복수의나노구조체각각에형성된복수의저항층;을포함한다.
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公开(公告)号：KR101901320B1
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：KR1020120054444
申请日：2012-05-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명의일 실시예에따르면, 하부층과, 상기하부층상에구비된복수의수직형발광구조체와, 상기복수의수직형발광구조체의적어도일부를둘러싸는전도성부재와, 상기복수의수직형발광구조체사이에배치되며상기수직형발광구조체의측방향으로방출되는빛을반사시키는복수의반사부재를포함함으로써, 수직형발광소자에서측방향으로방출되는빛이광흡수부재를통과하는횟수를최소화하여발광효율을향상시킬수 있는발광소자를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020170116296A
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：KR1020160043487
申请日：2016-04-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/15 , H01L33/62 , H01L33/38 , H01L33/54 , H01L25/075
CPC classification number: H01L27/156 , H01L25/0655 , H01L25/0753 , H01L33/0012 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L33/507 , H01L33/52 , H01L33/62 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
Abstract: 본발명의일 실시예는, 서로반대에위치한제1 면및 제2 면을가지며, 서로교차하는제1 방향및 제2 방향으로복수의행과복수의열로배열된복수의발광소자들(light emitting elements)을포함하고, 상기복수의발광소자들각각은적어도하나의발광셀을갖는발광부, 상기제1 방향및 상기제2 방향으로상기복수의발광소자들을분리시키는절연층, 상기적어도하나의발광셀에대응되어상기발광부의제1 면상에배치되는적어도하나의광투과부, 상기적어도하나의광투과부를수용하며, 상기발광부의제1 면에서상기절연층과접하는격벽구조, 상기발광부의제2 면에배치되며, 상기제1 방향및 제2 방향중 적어도하나의방향으로선형적으로배열된상기복수의발광소자들에공통으로접속된적어도하나의셀 전극을포함하는발광다이오드모듈을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明的一个实施例中，第一和第二表面具有，与第一方向交叉，并且所述多个第二被布置在多个行和在每个装置中的所述第二方向的光发射到彼此的多个列的，位于另一个（光 所述多个发光元件中的每一个具有至少一个发光单元;绝缘层，在所述第一方向和所述第二方向上分隔所述多个发光元件; 至少一个透光部分，对应于发光单元并且设置在发光部分的第一表面上;阻挡肋结构，容纳所述至少一个透光部分并与发光部分的第一表面上的绝缘层接触; 并且至少一个单元电极共同连接到在第一方向和第二方向中的至少一个方向上线性排列的多个发光元件，发光二极管模块包括： 。
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公开(公告)号：KR1020170100704A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：KR1020160022495
申请日：2016-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/505 , H01L27/153 , H01L33/504 , H01L33/60 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041
Abstract: 본발명의실시예에따른발광소자패키지의제조방법은, 적어도하나의광차단영역및 적어도하나의파장변환영역을포함하는필름스트랩(strap)을마련하는단계, 적어도하나의발광영역을갖는발광소자들을마련하는단계, 상기적어도하나의발광영역상에상기적어도하나의파장변환영역이배치되도록상기발광소자상에상기필름스트랩을부착하는단계, 및상기필름스트랩및 상기발광소자들을개별소자단위로절단하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的制造发光器件封装的方法包括以下步骤：提供包括至少一个遮光区域和至少一个波长转换区域的膜带， 将薄膜条带附接到发光元件，使得至少一个波长转换区域设置在至少一个发光区域上，并且将薄膜条带和发光元件切割成独立的元件单元 。“
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公开(公告)号：KR1020170064775A
公开(公告)日：2017-06-12
申请号：KR1020150170657
申请日：2015-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/10 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L33/06 , H01L33/385 , H01L33/46 , H01L33/504 , H01L33/60
Abstract: 발광소자는상면과제1 측면을구비하며, 상기상면의면적이상기제1 측면의면적보다큰 기판; 및상기기판의상기제1 측면상에배치되며, 제1 도전형반도체층, 제2 도전형반도체층, 및상기제1 도전형반도체층과상기제2 도전형반도체층 사이의활성층을포함하고, 제1 피크파장을갖는제1 광을방출하는발광구조물;을포함하고, 상기기판의상기상면을통해방출되는상기제1 광의방출면적이상기기판의상기제1 측면을통해방출되는상기제1 광의방출면적보다크다.
Abstract translation: 一种发光器件，设置有上表面项目的第一侧，比基板1侧比基体的上表面的面积更大; 并且包括之间被布置在所述衬底的所述第一侧上的有源层，第一导电类型半导体层，第二导电类型半导体层，以及第一导电类型半导体层和第二导电型半导体层， 发射具有第一峰值波长的第一光的发光结构，通过衬底的上表面发射的第一光的发射区域， 它比面积大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170033493A
公开(公告)日：2017-03-27
申请号：KR1020150131150
申请日：2015-09-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/44 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명의실시형태에따른반도체발광소자는, 기판, 상기기판상에적층되는제1 도전형반도체층, 활성층, 및제2 도전형반도체층을갖는발광구조물, 상기제1 도전형반도체층및 상기제2 도전형반도체층각각에전기적으로연결되는제1 및제2 컨택전극, 상기발광구조물상에배치되어상기제1 및제2 컨택전극을덮으며, 상기발광구조물에인접하도록배치되는자성층(Magnetic Layer)을갖는절연층, 및상기제1 및제2 컨택전극에각각연결되며, 서로공면(co-planar)을형성하는상면을갖는제1 및제2 패드전극을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的半导体发光器件包括衬底，第一导电半导体层，有源层，具有半导体层，所述第一导电类型半导体层和所述第一mitje第二导电型半导体层在衬底上沉积 设置在第一mitje第二接触电极，所述发光结构，其电连接到第二导电类型半导体层，分别覆盖所述第一mitje第二接触电极，其邻近于所述发光结构到设置在磁性层（磁性层） 它们分别连接到在绝缘层，并具有2 mitje，共面的第一接触电极彼此包括具有上表面上形成（共面）的第一mitje第二焊盘电极。
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公开(公告)号：KR1020150091805A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：KR1020140012463
申请日：2014-02-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/382 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자는, 기판, 기판 상에 배치되는 제1 도전형 반도체 베이스층, 제1 도전형 반도체 베이스층 상에 서로 이격되어 배치되며, 각각 제1 도전형 반도체 코어, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 복수의 나노 발광구조물들, 제2 도전형 반도체층 상에서 복수의 나노 발광구조물들 사이에 연결되어 배치되는 투명전극층, 및 기판을 관통하여 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극을 포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的半导体发光器件包括：衬底，布置在衬底上的第一导电半导体基底层，分别设置在第一导电半导体基底层上的多个纳米发光结构， 第一导电半导体芯，有源层和第二导电半导体层，分别连接在第二导电半导体层上的纳米发光结构之间的透明电极层和与第二导电半导体层电连接的第一电极 导电半导体层通过基板。
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公开(公告)号：KR1020140093433A
公开(公告)日：2014-07-28
申请号：KR1020130005769
申请日：2013-01-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/005 , H01L33/08 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00014
Abstract: The present invention relates to a semiconductor light emitting device which includes: a substrate; a base layer which is composed of a first conductive semiconductor formed on the substrate; a plurality of nano light emitting units which are formed on one region of the upper side of the base layer, and includes a first conductive nano semiconductor layer, a nano active layer, and a second conductive nano semiconductor layer which are successively stacked on the surface of the first conductive nano semiconductor layer, with each protrusion structure from the upper side of the base layer; and a light emitting stack body which is formed on the other region of the upper side of the base layer and includes a stack active layer.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体发光器件，其包括：衬底; 由形成在基板上的第一导电半导体构成的基极层; 多个纳米发光单元，其形成在所述基底层的上侧的一个区域上，并且包括依次层叠在所述表面上的第一导电纳米半导体层，纳米活性层和第二导电纳米半导体层 的第一导电纳米半导体层，其中每个突起结构从基层的上侧开始; 以及形成在所述基底层的上侧的另一区域上并且包括层叠活性层的发光层叠体。
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公开(公告)号：KR1020130139113A
公开(公告)日：2013-12-20
申请号：KR1020120062873
申请日：2012-06-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/52 , H01L2924/12041 , H01L2933/0058
Abstract: The present invention relates to a semiconductor light emitting device which includes: a plurality of light emitting units which are separately formed with a rod shape and include a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer which are successively formed; and a filling layer which is made of conductive organic matter, covers the second conductive semiconductor layer, and fills a gap between the light emitting units.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体发光器件，其包括：多个单独形成为棒状的发光单元，包括依次形成的第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层; 以及由导电性有机物质构成的填充层，覆盖第二导电性半导体层，填充发光单元之间的间隙。
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公开(公告)号：KR1020130131217A
公开(公告)日：2013-12-03
申请号：KR1020130008121
申请日：2013-01-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2924/12041
Abstract: The present invention relates to a semiconductor light-emitting device, comprising: a substrate; multiple nanostructures, each of which includes a first conduction-type semiconductor layer core, an activation layer, and a second conduction-type semiconductor layer, spaced out on the substrate, a filler filling the gap between the multiple nanostructures and formed lower than the nanostructures; and a semiconductor light-emitting device, which includes an electrode covering the upper part and part of the sides of the nanostructures and electrically-connected to the second conduction-type semiconductor layer.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体发光器件，包括：衬底; 多个纳米结构，每个纳米结构包括在衬底上间隔开的第一导电型半导体层芯，激活层和第二导电型半导体层，填充多个纳米结构之间的间隙并形成为低于纳米结构的填料 ; 以及半导体发光器件，其包括覆盖所述纳米结构的上部和一部分侧边并电连接到所述第二导电型半导体层的电极。
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