公开(公告)号：KR100144877B1

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019950022943

申请日：1995-07-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김동호 ,  안웅관 ,  고균희 ,  차훈

IPC: H01L21/263

Abstract: 자외선 조사장치가 개시되어 있다. 본 발명은 웨이퍼를 자외선 조사장치에 로딩(loading)시키거나 자외선 조사장치로부터 언로딩(unloading)시키기 위하여 수평이동시킬 수 있음은 물론, 웨이퍼의 중심과 웨이퍼를 회전시키기 위한 동력원의 중심축을 일치시키지 않음으로써 동력원을 동작시킬 때 웨이퍼의 중심이 원을 그리면서 선회시킬 수 있는 웨이퍼 전송수단을 제공한다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼에 자외선 조사시 웨이퍼를 선회시킴과 동시에 직진시킬 수 있어 자외선이 웨이퍼 표면 전체에 균일하게 조사된다. 이는, 접착제에 의해 보호용테이프가 앞면에 부착된 웨이퍼를 백그라인딩(back grinding)한 후, 보호용테이프를 제거하기 위한 자외선 조사시 접착제 전체가 균일한 화학반응을 일으키도록 한다. 따라서, 보호용테이프를 용이하게 제거할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020010009699A

公开(公告)日：2001-02-05

申请号：KR1019990028212

申请日：1999-07-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 차훈 ,  김민규 ,  김경대

IPC: H01L21/302

Abstract: PURPOSE: CMP device is provided to make a uniform air pressure generation for descending a wafer, and is contacted with a polishing pad under a horizontal maintenance state without slanting the semiconductor wafer, by forming many air supply connection tubes in both directions. CONSTITUTION: CMP device includes a polishing pad covered with slurry and a polishing head contacted with the polishing pad. The polishing head includes a wafer carrier, a cylindrical tube(424), and a connection tube. The semiconductor wafer(400) is mounted on the wafer carrier. The cylindrical tube descends a wafer carrier for mounting the semiconductor wafer, and makes the semiconductor wafer to be contacted with a surface of the polishing pad. The connection tube provides air-moving path to expand the cylindrical tube, and includes at least two connection tubes in order to move uniformly the air toward the both directions. Thereby, the CMP device makes a uniform air pressure generation for descending a wafer.

Abstract translation: 目的：通过在两个方向上形成多个空气供给连接管，能够使晶片的下降产生均匀的气压，并且在水平维持状态下与抛光垫接触而不使半导体晶片倾斜。 构成：CMP装置包括用浆料覆盖的抛光垫和与抛光垫接触的抛光头。 抛光头包括晶片载体，圆柱形管（424）和连接管。 半导体晶片（400）安装在晶片载体上。 圆柱形管子下降晶片载体以安装半导体晶片，并使半导体晶片与抛光垫的表面接触。 连接管提供空气移动路径以膨胀圆柱形管，并且包括至少两个连接管，以便朝向两个方向均匀地移动空气。 由此，CMP装置对于使晶片下降而产生均匀的空气压力。

公开(公告)号：KR1020010002399A

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019990022177

申请日：1999-06-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박희정 ,  박재구 ,  김진성 ,  차훈

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A chemical vapor deposition(CVD) apparatus is provided to reduce the quantity of byproducts generated by reaction with a shower head and to decrease the quantity of particles caused by the byproducts, by reducing a surface area exposed to plasma, and by eliminating an over-etched portion. CONSTITUTION: A chemical vapor deposition(CVD) apparatus comprises a plurality of spraying holes(142), a shower head(140) and a ceramic guide ring(150). The plurality of spraying holes spray depositing gas of etching gas injected through a gas line into a chamber(20) in which a wafer is settled. The shower head is made of aluminum, having a cooling line inside. The ceramic guide ring fixes the shower head to be isolated from the chamber. The CVD apparatus is electrically connected to a radio frequency power necessary for generating plasma. A bottom surface of the shower head has a plane surface, so as to have a uniform potential regarding the plasma generated from spray gas. An edge portion of an inner bottom surface is protruded lower than the bottom surface of the shower head, having a structure of a streamlined surface regarding exhaust gas.

Abstract translation: 目的：提供化学气相沉积（CVD）装置，以减少与淋浴头反应产生的副产物的量，并通过减少暴露于等离子体的表面积，减少由副产物引起的颗粒的量，并通过消除 过蚀刻部分。 构成：化学气相沉积（CVD）装置包括多个喷射孔（142），喷淋头（140）和陶瓷导向环（150）。 多个喷射孔将通过气体管线注入的蚀刻气体的气体喷射到晶片沉积的室（20）中。 淋浴头由铝制成，内部有冷却线。 陶瓷导向环固定淋浴头与腔室隔离。 CVD装置电连接到产生等离子体所需的射频功率。 淋浴喷头的底面具有平面，从而对于由喷雾气体产生的等离子体具有均匀的电位。 内底表面的边缘部分比淋浴头的底表面突出，具有关于废气的流线型表面的结构。

公开(公告)号：KR100271766B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019980015200

申请日：1998-04-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송재관 ,  차훈 ,  원유근 ,  김동철

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67276

Abstract: PURPOSE: A diagnosis system for a manufacturing equipment of a semiconductor device is provided to monitor a state of the manufacturing equipment to control the same by analyzing various operational signals applied from the equipment to diagnosing the same. CONSTITUTION: A diagnosis system comprises a manufacturing equipment(10) of a semiconductor device, a control system(12) and a diagnosis system(14). The manufacturing equipment implements manufacturing process of semiconductor device and outputs state signals of the process and equipment. The control system is connected to the equipment through a communication line for interface from the equipment and controls the equipment. The diagnosis system is detachably connected with a certain connector formed in the communication line to analyze various operational signals from the equipment to diagnose the same.

Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体器件的制造设备的诊断系统，用于通过分析从设备施加的各种操作信号来诊断制造设备的状态来控制该设备的状态来进行控制。 构成：诊断系统包括半导体器件的制造设备（10），控制系统（12）和诊断系统（14）。 制造设备实施半导体器件的制造工艺，并输出工艺和设备的状态信号。 控制系统通过通信线与设备连接，用于从设备接口并控制设备。 诊断系统与形成在通信线路中的某个连接器可拆卸地连接，以分析来自设备的各种操作信号以进行诊断。

公开(公告)号：KR1020000066722A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：KR1019990014021

申请日：1999-04-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이광명 ,  차훈

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A lower electrode part of a chemical vapor deposition apparatus is provided to improve thermal transfer efficiency to a semiconductor wafer so as for a thin film of a good quality to be formed. CONSTITUTION: A lower electrode part of a chemical vapor deposition apparatus comprises a susceptor(210), a heater(212) and a base(214). The heater(212) applies heat to a semiconductor wafer(215), and the base(214) supports the susceptor(210). The lower electrode part includes a gas supply line(216), which is extended from an opening(215) of the base(214) to a portion between the heater(212) and the base(214). The gas supply line(216) has an outlet(216a), which penetrates the heater(212) so as to be located at the lower center of the susceptor(210). Gas from the exterior flows into the lower center of the susceptor(210).

Abstract translation: 目的：提供化学气相沉积设备的下电极部分，以提高对半导体晶片的热传递效率，从而形成质量好的薄膜。 构成：化学气相沉积设备的下电极部分包括基座（210），加热器（212）和基座（214）。 加热器（212）向半导体晶片（215）施加热量，并且基座（214）支撑基座（210）。 下电极部分包括从基座（214）的开口（215）延伸到加热器（212）和基座（214）之间的部分的气体供应管线（216）。 气体供给管线216具有穿过加热器212以便位于基座210的下部中心的出口216a。 来自外部的气体流入基座（210）的下部中心。

公开(公告)号：KR1020000050752A

公开(公告)日：2000-08-05

申请号：KR1019990000829

申请日：1999-01-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김진만 ,  차훈

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: An electrostatic chuck of a plasma etching apparatus is provided to prevent scratch in cleaning and handling by intensifying physical property of an insulation layer, and to prevent an edge of an aspiratory plate from being damaged by arc generated from a plasma etching process by establishing a protection ring. CONSTITUTION: An electrostatic chuck of a plasma etching apparatus comprises: a base plate(24); an aspiratory plate; an electrical insulation layer; and a circular protection ring(22). The aspiratory plate positioned on the base plate supports the wafer aspirated by static electricity. The circular protection ring is coupled to the base plate to establish the aspiratory plate inside.

Abstract translation: 目的：提供等离子体蚀刻装置的静电卡盘，以通过增强绝缘层的物理性能来防止清洁和处理中的划痕，并且通过建立等离子体蚀刻工艺产生的电弧来防止吸气板的边缘受到损坏 保护环。 构成：等离子体蚀刻装置的静电卡盘包括：基板（24）; 吸气板; 电绝缘层; 和圆形保护环（22）。 位于基板上的吸气板支撑静电吸引的晶片。 圆形保护环联接到底板上以在其内部建立吸气板。

公开(公告)号：KR1019990079611A

公开(公告)日：1999-11-05

申请号：KR1019980012285

申请日：1998-04-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종호 ,  차훈 ,  김진만 ,  김대년

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 지지판과, 상기 지지판의 표면에 형성된 유전막과, 상기 유전막 상에 정전기장을 이용하여 웨이퍼를 부착하는 반도체 제조 장치의 정전척에 있어서, 상기 지지판의 엣지부는 라운드(round)되게 구성한다. 상기 지지판의 엣지부의 곡률반경은 1∼2mm로 구성하며, 상기 유전막은 상기 지지판을 양극산화하여 형성된 막으로 한다. 본 발명의 정전척은 지지판의 엣지부를 라운드되게 하여 엣지부에서 균일한 두께의 양극 산화막을 적층시킬 수 있다. 이에 따라 웨이퍼의 전면적에서 균일한 힘으로 웨이퍼를 지지판에 부착시킬 수 있어서 열전달 효율과 온도 균일도가 증가하는 효과를 거둘 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990065344A

公开(公告)日：1999-08-05

申请号：KR1019980000589

申请日：1998-01-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박인협 ,  차훈 ,  홍수희

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 반도체장치의 제조를 위하여 가공되는 웨이퍼를 냉각시키기 위한 열전소자를 갖는 반도체 웨이퍼 냉각장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 열전소자를 갖는 반도체 웨이퍼 냉각장치는, 웨이퍼(7)가 놓여지는 리드(41), 상기 리드(41)를 냉각시키기 위한 냉각판(42) 및 상기 냉각판(42)을 재냉각시키기 위한 열전소자(8)로 구성됨을 특징으로 한다.
따라서, 냉각가스의 순환에 의하여 리드(41)를 냉각시키는 1차냉각장치와 보조냉각수단으로서의 냉각수순환장치(43)를 포함하는 3차냉각장치를 필요로 하는 종래의 인쿨러모듈(4)에서 냉각판(42)의 재냉각을 전류의 흐름 만으로 냉각을 수행할 수 있는 열전소자(8)로 냉각시킬 수 있도록 하여 인쿨러모듈(4)을 구성토록 하므로써 인쿨러모듈(4) 자체의 크기는 물론 이를 포함하는 반도체장치 제조장치의 부피를 크게 줄일 수 있도록 하는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019990011929A

公开(公告)日：1999-02-18

申请号：KR1019970035184

申请日：1997-07-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김성경 ,  차훈

IPC: H01L21/30

Abstract: 본 발명은 미세한 패턴을 요구하는 최근의 반도체장치의 제조를 위한 반도체장치의 금속막 식각방법에 관한 것이다.
본 발명은 반도체 기판 상에 형성되는 금속막을 식각하는 반도체장치의 금속막 식각방법에 있어서, 유도결합형의 나선형공명기를 이용하여 형성시킨 플라즈마를 이용한 식각공정의 수행으로 상기 금속막을 식각시킴을 특징으로 한다.
따라서, 최근의 반도체소자의 스펙을 만족시킬 수 있는 금속막의 식각공정의 수행으로 반도체소자의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100073567B1

公开(公告)日：1994-05-12

申请号：KR1019910003919

申请日：1991-03-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이영우 ,  박진호 ,  문대식 ,  차훈

IPC: H01L21/302