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公开(公告)号：KR1019990024814A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970046180
申请日：1997-09-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/316
Abstract: 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법을 개시한다. 본 발명은, 반도체 기판 상에 친수성의 특성을 가지는 하지막을 형성한다. 이후에, 하지막을 대략 850℃ 내지 950℃의 온도 조건 및 NH
3 가스 분위기 조건으로 열처리하거나, NH
3 반응기를 가지는 에천트(etchant)를 이용하는 습식 에칭(etching) 방법으로 세정(cleaning)한다. 이와 같이 하지막이 개질된다. 이후에 개질된 하지막 상에 오존(O
3 ) 및 TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)를 소오스 가스(source gas) 이용하여 USG막(Undoped Silicate Glass layer)을 형성한다.-
公开(公告)号：KR1019990011468A
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR1019970034572
申请日：1997-07-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 금속배선의 표면에 플라즈마 처리를 실시하여 반사율을 개선한 금속 배선의 패터닝 방법에 관하여 개시한다. 이를 위하여 본 발명은, 하부층이 형성된 반도체 기판에 층간절연막을 기재하고 금속층을 적층하는 단계와, 금속층의 표면을 플라즈마 처리하여 표면의 반사율을 조절하는 단계와, 금속층 위에 사진 및 식각공정을 진행하여 금속 패턴을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반사율을 개선한 금속배선의 패터닝 방법을 제공한다. 여기서, 플라즈마 처리는 화학소스로 산소(O
2 ), 질소(N
2 ), 산화질소(N
2 O), 질소와 암모니아(NH
3 )의 혼합가스 및 실란(SiH
4 ) 중에서 하나를 사용하고, 이러한 화학소스를 챔버에 1000∼3000 sccm 공급한 상태에서, 챔버 압력을 1∼5 Torr, 챔버 온도를 200∼400℃의 범위에서 조절하고, RF 파워를 고주파인 경우 100∼1800 watt, 저주파인 경우 100∼600 watt의 범위 내에서 조절하여 플라즈마 처리를 진행하는 것이 적합하다. 이러한 플라즈마 처리는 20∼50초의 시간동안 진행한다.-
公开(公告)号：KR1019990008769A
公开(公告)日：1999-02-05
申请号：KR1019970030883
申请日：1997-07-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
Abstract: O
2 플라즈마를 이용한 층간 절연막 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법. 본 발명에 따른 층간 절연막 형성 방법에서는 보호막으로 덮인 게이트 전극이 형성된 반도체 기판상에 HDP(High Density Plasma) 산화막으로 이루어지는 층간 절연막을 형성한다. 이를 위하여, 상기 보호막을 O
2 플라즈마 처리한다. 상기 O
2 플라즈마 처리된 보호막 위에 HDP 산화막을 형성한다.-
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公开(公告)号：KR1020130102211A
公开(公告)日：2013-09-17
申请号：KR1020120023265
申请日：2012-03-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/14 , H01L33/44 , H01L2933/0008
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nitride-gallium-based semiconductor light emitting device is provided to improve electrical conductivity by increasing the mobility and the doping concentration of holes. CONSTITUTION: A light emitting structure (140) is formed on a substrate. The light emitting structure includes an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer (130). A first thermal process is performed on the p-type semiconductor layer. An organic cleaning process is performed on the p-type semiconductor layer. A mask pattern (160) is formed on the upper surface of the p-type semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造氮化镓 - 镓基半导体发光器件的方法，以通过增加孔的迁移率和掺杂浓度来改善导电性。 构成：在基板上形成发光结构（140）。 发光结构包括n型半导体层，有源层和p型半导体层（130）。 在p型半导体层上进行第一热处理。 对p型半导体层进行有机清洗处理。 掩模图案（160）形成在p型半导体层的上表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120026313A
公开(公告)日：2012-03-19
申请号：KR1020100088465
申请日：2010-09-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/764 , H01L27/11521 , H01L27/11568 , H01L21/67075 , H01L21/76224
Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory device and a method of fabricating the same are provided to improve the interference effect between channels by forming an air cap having low capacitance in an active region. CONSTITUTION: A liner oxide(109) is contacted to the bottom and side wall of a substrate. A silicon oxidation layer(110) including a carbon is formed in the bottom of an element isolation region(I). A gate insulating layer(120) comprises a tunneling insulation layer(102), a charge storage layer(104), and a blocking insulating layer(112). The charge storage layer stores the data of a non-volatile memory device. The blocking insulating layer suppresses the leakage of charge stored in the charge storage layer into a gate conductive layer.
Abstract translation: 目的：提供一种非易失性存储器件及其制造方法，以通过在活性区域中形成具有低电容的空气帽来改善通道之间的干扰效应。 构成：衬底氧化物（109）与衬底的底壁和侧壁接触。 在元件隔离区域（I）的底部形成包含碳的硅氧化层（110）。 栅极绝缘层（120）包括隧道绝缘层（102），电荷存储层（104）和阻挡绝缘层（112）。 电荷存储层存储非易失性存储器件的数据。 阻挡绝缘层抑制存储在电荷存储层中的电荷泄漏到栅极导电层中。
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公开(公告)号：KR100763506B1
公开(公告)日：2007-10-05
申请号：KR1020050055765
申请日：2005-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/91 , H01L21/28562 , H01L27/10817 , H01L27/10852
Abstract: 반도체 장치의 커패시터를 제조하는 방법에서, 표면 반응에 의한 증착율이 물질 전달에 의한 증착율보다 큰 제1 유량비로 금속을 포함하는 제1 소스 가스와 상기 금속과 결합 가능한 물질을 포함하는 제2 소스 가스를 공급하여 기판 상에 제1 금속 화합물을 증착한다. 이어서, 상기 제1 소스 가스와 제2 소스 가스를 상기 제1 유량비와 다른 제2 유량비로 공급하여 상기 제1 금속 화합물 상에 제2 금속 화합물을 증착함과 동시에 상기 제1 금속 화합물 및 상기 제2 금속 화합물로부터 원치않는 물질(unwanted material)을 제거한다. 계속해서, 상기 제1 금속 화합물과 제2 금속 화합물을 번갈아 반복적으로 증착하여 상기 기판 상에 하부 전극을 완성한다. 상기 하부 전극을 완성한 후, 상기 하부 전극 상에 유전막 및 상부 전극을 순차적으로 형성함으로써 상기 커패시터를 완성한다. 따라서, 후속하는 식각 공정에서 상기 하부 전극을 통한 식각액 또는 식각 가스의 침투를 억제할 수 있다.
Abstract translation: 在用于制造半导体器件的电容器的方法中，第二源气体与表面反应的沉积速率包括第一源气体和接合材料和所述金属包括具有大的第一流动速率大于沉积速率的金属由于质量传递 将第一金属化合物沉积在基底上。 以不同于第一流速的第二流速比提供第一源气体和第二源气体，以在第一金属化合物上沉积第二金属化合物并沉积第一金属化合物和第二金属化合物 从金属化合物中去除不需要的材料。 随后，交替重复沉积第一金属化合物和第二金属化合物以完成衬底上的下电极。 在完成下电极之后，在下电极上顺序地形成电介质膜和上电极以完成电容器。 因此，在随后的蚀刻工艺中可以抑制蚀刻剂或蚀刻气体穿过下电极的渗透。
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公开(公告)号：KR1020070046349A
公开(公告)日：2007-05-03
申请号：KR1020050102949
申请日：2005-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76841 , C23C16/4405 , C23C16/45508 , H01L21/28556
Abstract: 막 형성 방법은 제1 웨이퍼에 티타늄 막 및 티타늄 질화막을 순차적으로 형성한다. 상기 티타늄 질화막 형성시 챔버의 내부에 흡착된 반응 부산물을 제거한다. 이후 제2 웨이퍼에 대해 티타늄 막 형성, 티타늄 질화막 형성 및 반응 부산물 제거를 반복하여 수행한다. 따라서 막 형성시 티타늄 질화막 형성에 따른 반응 부산물의 리프팅을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100697691B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020050068296
申请日：2005-07-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4482
Abstract: 화학 기상 증착 공정을 위한 소스 가스 공급 유닛은 액체 소스를 수용하는 밀폐 용기를 구비한다. 제1 가스 공급관이 상기 밀폐 용기를 관통하여 상기 액체 소스에 잠기도록 구비되어 상기 액체소스를 버블링시켜 기체 소스를 생성하기 위해 불활성 가스를 공급하고, 제2 가스 공급관이 상기 밀폐 용기와 연결되도록 구비되어 상기 기체 소스를 반도체 제조 공정이 수행되는 공정 챔버로 공급한다. 차단부는 상기 밀폐 용기의 내부에 구비되고, 상기 버블링에 의해 상기 제2 가스 공급관으로 튀는 상기 액체 소스를 차단하여 상기 액체 소스가 상기 제2 가스 공급관에 들러붙는 것을 방지한다.
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公开(公告)号：KR100683110B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050050168
申请日：2005-06-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/5096 , C23C16/14 , C23C16/34 , H01L21/28556 , H01L21/76841 , H01L21/76856
Abstract: 반도체 소자 제조 공정에 사용되는 플라즈마 형성 방법은 제1원자량의 제1물질을 포함하는 제1가스를 밀폐 공간으로 공급하여 상기 밀폐 공간 내에서 플라즈마 영역을 형성한다. 상기 밀폐 공간으로 상기 제1원자량보다 작은 제2원자량의 제2물질을 포함하는 제2가스를 공급하여 상기 플라즈마 영역을 유지시킨다. 상기 제1 가스 및 제2 가스는 불활성 가스이다. 따라서 플라즈마에 의한 데미지를 줄일 수 있다.
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