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公开(公告)号：KR1020170109457A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：KR1020160033635
申请日：2016-03-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/792 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/788 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/861 , H01L29/42332 , H01L29/513 , H01L29/7881 , H01L29/7888
Abstract: 본발명의일 실시예에따른부성미분저항(negative differential resistance) 소자는기판; 기판상에형성되고, 제 1 극성을갖는축퇴된제 1 반도체층; 기판상에형성되고, 제 2 극성을갖는축퇴된제 2 반도체층; 제 1 반도체층의일측단부에결합된제 1 전극; 제 2 반도체층의일측단부에결합된제 2 전극; 및제 1 반도체층과제 2 반도체층의접촉영역사이에위치한트랩층을포함하되, 트랩층은산화물층이고, 부성미분저항소자의동작시캐리어가트랩층에트랩되도록한다.
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公开(公告)号：KR1020170051896A
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020150153559
申请日：2015-11-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은환원된산화그래핀의제조방법에관한것으로, 본발명의일 실시예에따른환원된산화그래핀의제조방법은산화그래핀수용액에감광입자를혼합하는단계; 및수용액속에포함된감광입자의흡수파장에대응하는빛을노광시켜, 산화그래핀을환원시키는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及生产还原氧化石墨烯的方法和生产还原氧化石墨烯的方法，其包括：在氧化石墨烯的水溶液中混合光刻胶颗粒; 并且曝光与包含在水溶液中的光敏颗粒的吸收波长相对应的光以还原氧化的石墨烯。
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公开(公告)号：KR1020170050316A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020150151713
申请日：2015-10-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/06 , H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/385 , H01L21/02568 , H01L21/0259 , H01L21/2255 , H01L21/268 , H01L21/428 , H01L21/477 , H01L29/0657 , H01L29/1606 , H01L29/24
Abstract: 본발명은 2차원반도체의도핑방법에관한것으로서, 본발명의일 실시예에따른발명은 2차원반도체의도핑방법은, 기판상에감광입자가포함된절연층을형성하는단계; 열처리공정을통해, 절연층에포함된감광입자를절연층의표면으로이동시키는단계; 절연층상에, 2차원반도체층을형성하는단계; 및절연층에포함된감광입자의흡수파장에대응하는빛을노광시켜, 2차원반도체층에포함된 2차원반도체물질을도핑시키는단계를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的掺杂二维半导体的方法和掺杂二维半导体的方法包括：在衬底上形成包含光敏颗粒的绝缘层; 通过热处理工艺将包含在绝缘层中的光敏颗粒移动到绝缘层的表面; 在绝缘层上形成二维半导体层; 并且使与包含在绝缘层中的光敏粒子的吸收波长对应的光曝光，从而掺杂包含在二维半导体层中的二维半导体材料。
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公开(公告)号：KR1020140010892A
公开(公告)日：2014-01-27
申请号：KR1020130082292
申请日：2013-07-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B32/186 , B41M5/10 , G03F7/00
Abstract: The present invention relates to a graphene patterning method which includes a step of forming a DNA pattern, and a step of forming graphene on the DNA pattern. The graphene patterning method includes a DNA pattern formation step, and a graphene formation step on the DNA pattern.
Abstract translation: 本发明涉及一种石墨烯图案化方法，其包括形成DNA图案的步骤和在DNA图案上形成石墨烯的步骤。 石墨烯图案化方法包括DNA图案形成步骤和DNA图案上的石墨烯形成步骤。
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公开(公告)号：KR102071232B1
公开(公告)日：2020-01-30
申请号：KR1020180081113
申请日：2018-07-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/06 , H01L29/165 , H01L29/47 , H01L21/324
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101751977B1
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：KR1020150151713
申请日：2015-10-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/06 , H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/385 , H01L21/02568 , H01L21/0259 , H01L21/2255 , H01L21/268 , H01L21/428 , H01L21/477 , H01L29/0657 , H01L29/1606 , H01L29/24
Abstract: 본발명은 2차원반도체의도핑방법에관한것으로서, 본발명의일 실시예에따른발명은 2차원반도체의도핑방법은, 기판상에감광입자가포함된절연층을형성하는단계; 열처리공정을통해, 절연층에포함된감광입자를절연층의표면으로이동시키는단계; 절연층상에, 2차원반도체층을형성하는단계; 및절연층에포함된감광입자의흡수파장에대응하는빛을노광시켜, 2차원반도체층에포함된 2차원반도체물질을도핑시키는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101419533B1
公开(公告)日：2014-07-14
申请号：KR1020120157977
申请日：2012-12-31
Applicant: (재)한국나노기술원 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/26 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/3221 , H01L21/26513 , H01L21/28512 , H01L21/28518 , H01L21/324 , H01L29/45
Abstract: 본 발명은 반도체 소자에서 접합 영역에서의 결함을 치유하기 위한 방법에 관한 것으로서, 기판 상에 p-Ge층을 성장시키고, 상기 p-Ge층 상층에 이온 임플란테이션을 통해 n+ Ge 영역을 형성하거나, p-Ge층 상층에 인시츄 도핑후 에칭하여 n+ Ge 영역을 형성하거나 또는 상기 p-Ge층 상층에 산화막을 증착시켜 패터닝 후 에칭하고 인시츄 도핑하여 n+ Ge층을 형성한 후, 캡핑용 산화막을 형성한 후 600℃~700℃에서 1시간 내지 3시간동안 열처리를 수행하여 전극을 증착시키는 공정을 포함하여 이루어지는 것으로, 열처리 공정을 통해 n+/p 졍션(junction)에서의 Ge 결함을 치유하고, 열처리를 통해 깊어진 졍션을 상대적으로 줄일 수 있어 누설 전류를 최소화하여 반도체 소자의 특성을 향상시키고, 반도체 소자의 고집적화 및 미세화 실현에 더욱 유용한 이점이 있다.
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公开(公告)号：KR1020200130015A
公开(公告)日：2020-11-18
申请号：KR1020190055291
申请日：2019-05-10
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 가천대학교 산학협력단
IPC: H01L45/00 , G06N3/063 , H01L29/772 , H01L21/8234
Abstract: 본발명은인간의뇌 신경망을모사하는시냅스소자및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른멀티비트시냅스소자는, 전계효과트랜지스터(FET) 및상기전계효과트랜지스터에직렬연결된가변저항메모리(CBRAM)를포함하며, 상기전계효과트랜지스터는, 반도체채널층; 상기반도체채널층의양 단부에각각배치되는제 1 소오스/드레인및 제 2 소오스/드레인; 상기제 1 및제 2 소오스/드레인사이의상기반도체채널층상에배치되는게이트절연막; 상기게이트절연막상에배치되는유전체막; 및상기유전체막상에배치되는게이트전극을포함하며, 상기가변저항메모리의일 전극이상기트랜지스터의상기제 1 및제 2 소오스/드레인중 어느하나에연결되고, 상기유전체막은생체복합유전물질을포함할수 있다.
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