公开(公告)号：KR102071232B1

公开(公告)日：2020-01-30

申请号：KR1020180081113

申请日：2018-07-12

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이성주 ,  전재호 ,  박진홍 ,  최승혁

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/165 ,  H01L29/47 ,  H01L21/324

公开(公告)号：KR101966582B1

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：KR1020180013584

申请日：2018-02-02

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이성주 ,  최승혁 ,  장성규 ,  라이센 ,  양야지에

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/28

公开(公告)号：KR101884977B1

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：KR1020160025335

申请日：2016-03-02

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이성주 ,  가정원 ,  장성규 ,  전재호

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/10 ,  H01L21/67 ,  H05H1/46 ,  H01J49/10 ,  H01L21/78

Abstract: 2차원박막표면처리방법및 이를이용한전자소자의제조방법에서, 2차원박막표면처리방법은흑린벌크(black phosphorous bulk)를이용하여베이스기판상에흑린박막을형성하는단계및 흑린박막의표면을유도결합플라즈마(inductively coupled plasma) 처리하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR1020170056390A

公开(公告)日：2017-05-23

申请号：KR1020150160006

申请日：2015-11-13

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이성주 ,  서교 ,  가정원 ,  전재호

IPC: H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786

Abstract: 밴드갭을갖는그래핀박막제조방법이개시된다. 밴드갭을갖는그래핀박막을제조하기위하여그래핀박막을플라즈마에노출시켜상기그래핀박막에탄소공공을형성하고, 형성된탄소공공에붕소및 질소를도핑시킬수 있다.

Abstract translation: 公开了一种制造具有带隙的石墨烯薄膜的方法。 具有带隙是暴露所述石墨烯薄膜，以产生薄的销在血浆中是肯定sikilsu形成碳薄膜和公共到销，硼和氮中的形成的碳公共的掺杂。

公开(公告)号：KR1020160099385A

公开(公告)日：2016-08-22

申请号：KR1020150021777

申请日：2015-02-12

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 서환수 ,  송영재 ,  우친커 ,  이성주 ,  김민우 ,  박상우

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455

CPC classification number: C01B21/064 ,  C23C16/02 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/342 ,  C23C16/45525

Abstract: 이음매없는육방정계질화붕소(h-BN) 원자모노층박막및 그제조방법이개시된다. 개시된 h-BN 원자모노층박막은복수의 h-BN 그레인들이이음매없이병합되어단결정과유사하게작용한다. 각 h-BN 그레인은대략 10~1000㎛크기를가진다. 상기 h-BN 원자모노층박막은대략 1~30 cm 크기로형성될수 있다.

Abstract translation: 公开了无缝六方氮化硼（h-BN）原子单层薄膜及其制造方法。 所公开的h-BN原子单层薄膜具有无缝合并的多个h-BN晶粒的假单晶结构。 每个h-BN颗粒的尺寸在约10μm至约1000μm的范围内。 h-BN原子单层薄膜可以形成为1至30cm的尺寸。

公开(公告)号：KR1020150130256A

公开(公告)日：2015-11-23

申请号：KR1020150153256

申请日：2015-11-02

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 이성주 ,  송영재 ,  왕민 ,  장성규 ,  최재영

IPC: H01L29/267 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L29/778

Abstract: 육방정계질화붕소시트(h-BN) 및그래핀시트의이종적층구조체, 이를채용한전기소자, 및이의제조방법이개시된다. 상기이종적층구조체는, 금속기판상에기상법으로대면적의 h-BN 시트를성장시킨후 순차적으로그래핀시트를기상법으로형성함으로써, 그래핀시트와 h-BN 시트사이에불순물이거의남아있지않는고품질의계면상태를가질수 있다. 이러한고품질의계면상태및 대면적을갖는 h-BN 및그래핀의이종적층구조체는 FET를포함하는다양한전기소자에활용할수 있다.

Abstract translation: 公开了石墨烯片和h-BN片的异质堆叠结构，采用其的电子装置及其制造方法。 通过在金属上形成大面积的h-BN片材之后，通过气相沉积法连续地形成石墨烯片，通过除去石墨烯片和h-BN片之间的杂质，具有高质量的界面状态 基板采用气相沉积法。 在包括FET的各种电气设备中使用具有大面积的石墨烯和h-BN的高质量的界面状态的异质堆叠结构。

公开(公告)号：KR101532312B1

公开(公告)日：2015-06-29

申请号：KR1020120006412

申请日：2012-01-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 유원종 ,  라창호 ,  이대영 ,  이성주

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 그래핀을이용한논리소자와그 제조및 동작방법에관해개시되어있다. 본발명의일 실시예에의한논리소자는그래핀을채널로구비하는그래핀트랜지스터와, 상기그래핀을사이에두고상기그래핀트랜지스터의게이트전극과마주하는광 밸브층를포함한다. 상기그래핀트랜지스터는게이트전극이상기채널위에있는탑(top) 구조이거나상기게이트전극이상기채널아래에있는바텀(bottom) 구조일수 있다. 상기광 밸브층은상기그래핀층상에형성된상변화층과, 상기상변화층상에형성된투광성게이트전극을포함할수 있다.