公开(公告)号：KR1020030057079A

公开(公告)日：2003-07-04

申请号：KR1020010087451

申请日：2001-12-28

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김원래 ,  이재석 ,  도원중 ,  노현수 ,  이길성

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: PURPOSE: Provided is a slurry composition suitable for CMP(Chemical Mechanical Polishing/Planarization) process of metal line, which has a uniform polishing ability, and shows excellent dispersion stability when stored for a long time, and does not damage a grinding machine. CONSTITUTION: The slurry composition for polishing a metal line, contains 1-30 wt% of metal oxide granules, 0.01-1.0 wt% of iodine-based compound, 0.01-1.0 wt% of vinyl polymer, 0.25-2 wt% of hydrogen peroxide, 0.01-0.05 wt% of phosphorus-based compound, 0.3-0.5 wt% of nitric acid, and the rest of deionized water. The metal oxide is at least one compound selected from the group consisting of silica(SiO2), alumina(Al2O3), zirconia, and ceria, the iodine-based compound is at least one compound selected from the group consisting of iodobenzene diacetate, iodobenzoic acid, and iodoaniline, the vinyl polymer is poly(vinyl alcohol) having average molecular weight of 9,000-50,000, and the phosphorus-based compound is trimethyl phosphite or triethyl phosphite.

Abstract translation: 目的：提供适用于具有均匀研磨能力的金属线的CMP（化学机械抛光/平面化）方法的浆料组合物，并且长期储存时显示优异的分散稳定性，并且不会损坏研磨机。 构成：用于研磨金属线的浆料组合物含有1-30重量％的金属氧化物颗粒，0.01-1.0重量％的碘基化合物，0.01-1.0重量％的乙烯基聚合物，0.25-2重量％的过氧化氢 ，0.01-0.05重量％的磷基化合物，0.3-0.5重量％的硝酸和其余的去离子水。 所述金属氧化物是选自二氧化硅（SiO 2），氧化铝（Al 2 O 3），氧化锆和二氧化铈中的至少一种化合物，所述碘系化合物为选自二苯乙酮，碘代苯甲酸 和碘苯胺，乙烯基聚合物是平均分子量为9,000-50,000的聚（乙烯醇），磷系化合物是亚磷酸三甲酯或亚磷酸三乙酯。

公开(公告)号：KR1020030047383A

公开(公告)日：2003-06-18

申请号：KR1020010077859

申请日：2001-12-10

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  김원래 ,  도원중 ,  노현수 ,  이길성

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: PURPOSE: A slurry composition for polishing the metal wire is provided, which is improved in polishing velocity, polishing uniformity and long-termed storage due to dispersion stability. CONSTITUTION: The slurry composition comprises 1-30 wt% of fine-powdered metal oxide; 0.01-0.5 wt% of an iodine-based compound; 0.25-2 wt% of hydrogen peroxide; 0.01-0.05 wt% of a phosphorus-based compound; 0.03-0.05 wt% of acetic acid; and the balance of deionized water. Preferably the metal oxide is silica (SiO2) and/or alumina (Al2O3); the iodine-based compound is at least one selected from the group consisting o-iodobenzoic acid, 4-iodobenzoic acid, o-iodoaniline, m-iodoaniline and p-iodoanisole; and the phosphorus-based compound is trimethyl phosphorous acid and/or triethyl phosphorous acid.

Abstract translation: 目的：提供用于抛光金属丝的浆料组合物，其由于分散稳定性而提高了抛光速度，抛光均匀性和长期储存。 构成：浆料组合物包含1-30重量％的细粉末金属氧化物; 0.01-0.5重量％的碘基化合物; 0.25-2重量％的过氧化氢; 0.01-0.05重量％的磷系化合物; 0.03-0.05重量％的乙酸; 和去离子水的平衡。 优选地，金属氧化物是二氧化硅（SiO 2）和/或氧化铝（Al 2 O 3）; 该碘系化合物为选自邻碘苯甲酸，4-碘苯甲酸，邻碘苯胺，间碘苯胺和对碘苯甲醚中的至少一种。 磷系化合物为三甲基亚磷酸和/或三乙基亚磷酸。

公开(公告)号：KR101178719B1

公开(公告)日：2012-08-31

申请号：KR1020080135781

申请日：2008-12-29

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 노종일 ,  츄호머 ,  김원래 ,  이태영 ,  이인경

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 구리 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초순수, 연마제, 산화제, 부식 억제제, 및 유기산을 포함하는 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 상기 부식 억제제로 무기계 부식 억제제를 사용하는 것을 특징으로 하는 구리 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 에칭 속도가 낮고, 구리에 대한 부식이 발생하지 않으며, 피연마물에 유기 잔류물이 발생하지 않으므로, 구리 배선 연마 공정에 유용하다.
구리, 연마, CMP, 슬러리, 무기계 부식 억제제, 에칭 속도, 부식, 유기 잔류물

公开(公告)号：KR1020120077908A

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：KR1020100140038

申请日：2010-12-31

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 노종일 ,  전종선 ,  홍창기 ,  박용순 ,  김원래 ,  김동진

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A chemical mechanical polishing composition is provided to use two or more kinds of organic acids as a complex agent chelating metal oxide oxidized by an oxidizer, thereby improving chemical mechanical polishing flatness. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing composition comprises 0.01-20.0 weight% of abrasive, 0.01-10.0 weight% of oxidizer, 0.001-10.0 weight% of corrosion inhibitor, 0.1-10.0 weight% of complex agent in which two or kinds of dicarboxylic acids are mixed, and 50-99 weight% of de-ionized water. The complex agent comprises two kinds of dicarboxylic acid of which dissociation constant(pKa) is 4 or less. The complex agent is added by mixing malic acid and malonic acid with the weight ratio of 1:1-0.7:0.3. The composition has pH of 2-6.

Abstract translation: 目的：提供化学机械抛光组合物，使用两种或多种有机酸作为由氧化剂氧化的螯合金属氧化物的复合剂，从而改善化学机械抛光平整度。 构成：化学机械抛光组合物包含0.01-20.0重量％的研磨剂，0.01-10.0重量％的氧化剂，0.001-10.0重量％的缓蚀剂，0.1-10.0重量％的二种或两种二羧酸为 混合，50-99重量％的去离子水。 复合剂包含解离常数（pKa）为4以下的二种二羧酸。 通过以1:1-0.7:0.3的重量比混合苹果酸和丙二酸来加入络合剂。 组合物的pH为2-6。

公开(公告)号：KR1020110034196A

公开(公告)日：2011-04-05

申请号：KR1020090091641

申请日：2009-09-28

Applicant: 제일모직주식회사 ,  에스케이하이닉스 주식회사

Inventor： 박형순 ,  홍권 ,  유춘근 ,  김성준 ,  김원래

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1409 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/7684

Abstract: PURPOSE: A slurry and a method for manufacturing a metal wiring of a semiconductor device using the same are provided to prevent corrosion on a copper film due to an additive included in the slurry by adding azole compounds to the slurry. CONSTITUTION: An insulation layer(208) with a wiring formation area(D) is formed on a semiconductor substrate(200). A barrier layer(210) is formed on the insulation layer including the surface of the wiring formation area. A wiring metal layer(212) is formed on the barrier layer to fill the wiring formation area. A first CMP(Chemical Mechanical Polishing) process(214) is performed on the wiring metal layer. A second CMP process is performed on the wiring metal layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造使用其的半导体器件的金属布线的浆料和方法，以通过向该浆料中添加唑化合物来防止由于浆料中包含的添加剂而导致的铜膜的腐蚀。 构成：在半导体衬底（200）上形成具有布线形成区域（D）的绝缘层（208）。 在包括布线形成区域的表面的绝缘层上形成阻挡层（210）。 在阻挡层上形成布线金属层（212）以填充布线形成区域。 在布线金属层上进行第一CMP（化学机械抛光）工艺（214）。 在布线金属层上进行第二CMP处理。

公开(公告)号：KR1020100072813A

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：KR1020080131333

申请日：2008-12-22

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김원래 ,  노종일 ,  이태영 ,  츄호머 ,  이인경

IPC: C09K3/14

Abstract: PURPOSE: A CMP slurry composition and a polishing method using thereof are provided to improve the polishing speed of the composition for a copper wiring and to reduce a dishing phenomenon on the surface of an object by using a slow etching speed. CONSTITUTION: A CMP slurry composition for a copper wiring contains ultrapure water, an abrasive, an oxidizer, a corrosion inhibitor, and organic acid. The organic acid contains a thiophene group as a corrosion-inhibitory functional group and a carboxyl group as a chelating functional group. The organic acid is selected from the group consisting of thiophene carboxylic acid, thiophene dicarboxylic acid, thiophene tetracarboxylic acid, and their salt forms.

Abstract translation: 目的：提供CMP浆料组合物和使用其的抛光方法，以提高铜布线用组合物的抛光速度，并通过缓慢蚀刻速度减少物体表面上的凹陷现象。 构成：用于铜布线的CMP浆料组合物包含超纯水，研磨剂，氧化剂，缓蚀剂和有机酸。 有机酸含有作为腐蚀抑制性官能团的噻吩基和作为螯合官能团的羧基。 有机酸选自噻吩羧酸，噻吩二羧酸，噻吩四羧酸及其盐形式。

公开(公告)号：KR1020100071392A

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：KR1020080130089

申请日：2008-12-19

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김원래 ,  김태완 ,  강동헌 ,  임건자 ,  최원영 ,  이인경

IPC: C09K3/14

Abstract: PURPOSE: A chemical mechanical polishing(CMP)slurry composition is provided to apply the composition for polishing metal wiring with the excellent polishing speed. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing(CMP)slurry composition contains ultrapure water, an abrasive, an oxidizer, a chelating agent, a polishing speed improving agent, and a pH adjusting agent. The oxidizer is a peroxide compound and an inorganic acid. The chelating agent is carboxylic acid. The polishing speed improving agent is an iron compound selected from the group consisting of iron citrate, iron chloride, iron p-toluenesulfonic acid, iron acetate, ammonium iron citrate, iron sulfate, iron d-gluconate, and iron perchlorate. The pH adjusting agent is a basic compound.

Abstract translation: 目的：提供化学机械抛光（CMP）浆料组合物，以优良的抛光速度应用抛光金属布线的组合物。 构成：化学机械抛光（CMP）浆料组合物含有超纯水，研磨剂，氧化剂，螯合剂，抛光速度改进剂和pH调节剂。 氧化剂是过氧化物和无机酸。 螯合剂是羧酸。 抛光速度改进剂是选自柠檬酸铁，氯化铁，对甲苯磺酸铁，乙酸铁，柠檬酸铁铵，硫酸铁，d-葡萄糖酸铁和高氯酸铁的铁化合物。 pH调节剂是碱性化合物。

公开(公告)号：KR100791493B1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：KR1020060003409

申请日：2006-01-12

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 임건자 ,  이인경 ,  강동헌 ,  김원래

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 연마압력이 감소하여도 연마율의 감소가 급격하지 않은 CMP 연마 슬러리 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 의하여 연마 시의 압력 감소에 따라 연마율이 급격하게 저하되는 금속이온 혹은 금속 착물을 배제하고, 유기 활성화제를 첨가함으로써, 저압에서 연마율의 향상을 이룰 수 있고, 평탄화 공정 후 불순물의 잔류를 최소화하여 반도체 소자의 신뢰성을 높일 수 있다.
활성화제, 연마율, 신뢰성

公开(公告)号：KR100637772B1

公开(公告)日：2006-10-23

申请号：KR1020040048390

申请日：2004-06-25

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 오창일 ,  이길성 ,  김태규 ,  김원래

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 본 발명은 당류를 포함하는 고선택비 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속산화물, 계면활성제, 당류, pH 조절제, 방부제, 안정제 및 탈이온수를 포함하는 반도체 STI 공정용 고선택비 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 슬러리 조성물은 실리콘 나이트라이드(SiN)에 대한 실리콘 옥사이드(SiO
2 ) 제거속도의 고선택비를 제공하고, 높은 제어특성으로 CMP 공정에 매우 바람직하게 사용될 수 있으며, 연마 후 발생하는 스크래치가 적어 연마품질을 우수하게 관리할 수 있고, 디싱 등의 현상이 억제되며, 넓은 pH 영역에서 효과적일 뿐 아니라, 저장안정성 면에서도 우수한 CMP 슬러리 조성물을 제공하는데 있다.
당류, 고선택비, CMP, 슬러리, 금속산화물, 계면활성제, pH 조절제, 방부제, 안정제

公开(公告)号：KR1020060084612A

公开(公告)日：2006-07-25

申请号：KR1020050005363

申请日：2005-01-20

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김태규 ,  김원래 ,  한지영 ,  오창일 ,  성현후 ,  이길성

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 탈이온수, 연마제, 산화제, 및 포스포닉산계 킬레이트화제(chelating agent)를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 반도체 디바이스의 금속배선을 연마하는 슬러리(slurry)의 제조에 관한 것이다. 본 발명에 의해 기존의 연마용 슬러리에 비해 연마속도 및 선택비가 우수한 CMP 슬러리 조성물을 제공할 수 있다.
연마용 슬러리 조성물, 금속배선, 포스포닉산계 킬레이트화제, 연마제, 산화제.