公开(公告)号：KR100848818B1

公开(公告)日：2008-07-28

申请号：KR1020070006275

申请日：2007-01-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이재갑 ,  이욱성

IPC: C23C16/27

Abstract: 본 발명은 입자 형상의 모재 표면에 균일한 다이아몬드 막을 증착할 수 있는 CVD 다이아몬드 합성 장치에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명에서는 CVD 다이아몬드 합성용 진공용기를 기울일 수 있는 기구를 설치하고, 또한 이 진공용기 내에 모재 입자가 놓이는 기판을 고정하는 기판지지대를 회전시키는 기구를 설치한다. 이에 따라, 다이아몬드 합성 중에 진공용기를 일정 각도로 기울게 하고 기판지지대를 회전시켜 모재 입자를 움직이게 함으로써, 직경 50㎛ ∼ 5㎜의 모재 입자 상에 균일한 다이아몬드 증착을 가능하게 한다.
CVD, 다이아몬드 합성 장치, 기울임, 회전

公开(公告)号：KR100466406B1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：KR1020020039401

申请日：2002-07-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박종극 ,  백영준 ,  이욱성 ,  채기웅

IPC: C23C16/22

Abstract: PURPOSE: A method for refining particle size of deposited diamond film, particularly, particle size of the edge of the cutting tool by consistently applying negative bias to the cutting tool from the outside in the diamond film deposition process is provided, and a diamond film deposited cutting tool used in the method is provided. CONSTITUTION: The method comprises the process of depositing a diamond film on a cutting tool matrix using vapor chemical deposition and applying a negative bias to the cutting tool so that a bias lower than other electrodes is impressed to the surface of the cutting tool from the outside at the same time, thereby coating on the surface of the tool a diamond film which has fine particle size on the edge compared to the central part of the tool. In a cutting tool on the surface of which diamond film is deposited using vapor chemical deposition, the diamond film deposited cutting tool is characterized in that a diamond film which has a micro particle size of 0.1 to 5 μm and has finer particle size on the edge compared to the central part of the same surface of the tool is coated on the surface of the tool by impressing a negative bias to the cutting tool so that a bias lower than other electrodes is impressed to the surface of the cutting tool from the outside at the same time as the diamond film is being deposited on the cutting tool.

Abstract translation: 目的：提供一种通过在金刚石膜沉积过程中从外部一致地向切削工具施加负偏压来精炼沉积的金刚石膜的粒度，特别是切削刀具的边缘的粒度的方法，并且沉积金刚石膜 提供了在该方法中使用的切割工具。 构成：该方法包括使用蒸汽化学沉积在切割工具基体上沉积金刚石膜并向切割工具施加负偏压以使得比其他电极低的偏压从外部施加到切割工具表面的过程 同时在工具的表面上涂覆与工具的中心部分相比在边缘上具有精细粒度的金刚石膜。 在使用气相化学沉积法在其表面上沉积金刚石膜的切削工具中，金刚石膜沉积切削工具的特征在于具有0.1至5μm的微粒尺寸并具有更精细颗粒的金刚石膜 与刀具的相同表面的中心部分相比，边缘上的尺寸被涂覆在刀具的表面上，通过向切削刀具施加负偏压，使得比其他电极低的偏压被施加到切削刀具的表面 在钻石膜沉积在切割工具上的同时从外部进行。

公开(公告)号：KR1019970070236A

公开(公告)日：1997-11-07

申请号：KR1019960013138

申请日：1996-04-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이욱성 ,  백영준 ,  은광용

IPC: C23C18/22

Abstract: 본 발명은 초경 공구의 다이아몬드막 피복방법에 관한 것으로, 다이아몬드막을 초경 공구의 표면에 중착하기전에 초경 공구 모재의 표면을 NaOH 혹은 KOH 수용액으로 전해 엣칭하거나, KMnO
4 +KOH 수용액으로 화학엣칭하여 다이아몬드막과 초경 모재와의 접착력을 향상시키도록 한 것이다.
이와 같은 본 발명에서는 전해 엣칭을 실시함으로써 종래 기술에서 사용되는 무라까미 용액 중의 페리시안화칼륨 성분이 그 용액 중의 다른 성분인 KOH와 반응을 거쳐 발생기 산소를 발생시키게 되므로 무라까미 용액중의 산화제 성분인 페리시안화칼륨을 제외시키는 대신에, 피엣칭재에 전기적 전압을 가해주는 전해 에칭 방법을 사용하여 동일한 효과를 얻도록 한 것이며, KMnO
4 +KOH 수용액을 사용하는 엣칭 방법은 페리시안화칼륨의 산화 작용을 KMnO
4 가 대신함으로써 KMnO
4 의 가격이 저렴하여 제조비용이 절감되는 효과가 있고, 산화 작용이 있는 것을 제외하고는 시안화물과 같은 독성이 없기 때문에 인체에 무해함과 아울러 폐기물처리가 훨씬 간단하다는 잇점이 있으며, 엣칭 효과가 무라까미 용액에 비하여 더 강력하게 이루어지는 장점이 있다.
또한, 상기 방법에 의해 초경 공구 표면을 화학 처리하면 초경 공구의 탄화물상이 불규칙하게 식각되어 초경 공구의 표면의 조도가 증가하게 되며, 이와 같이 조도가 증가한 초경 공구의 표면은 다이아몬드막과 기계적인 맞물림 효과를 발휘하여 그 상호간의 결합력이 증가하는 효과가 있는 것이다.

公开(公告)号：KR1019950007364B1

公开(公告)日：1995-07-10

申请号：KR1019930005997

申请日：1993-04-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이광열 ,  이욱성 ,  백영준 ,  은광용

IPC: B23K5/00

Abstract: manufacturing a number of diamond layers having slant edges on a substrate with a diamond chemical vapor deposition by using a slant mask; arranging the diamond layers on a substrate mount whose temperature is adjustable in a cross stripes form; and adding a reduction salt of an oxygen-acetylene torch to the borders of the diamond layers so as to unite the diamond layers.

Abstract translation: 通过使用倾斜掩模在具有金刚石化学气相沉积的基板上制造具有倾斜边缘的多个金刚石层; 将金刚石层布置在温度可以十字形形式调节的基片安装座上; 并向金刚石层的边界添加氧 - 乙炔炬的还原盐，以使金刚石层相互结合。

公开(公告)号：KR101932428B1

公开(公告)日：2018-12-26

申请号：KR1020170133834

申请日：2017-10-16

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 홍석원 ,  이욱성 ,  고영진 ,  최재우 ,  김희곤

IPC: C02F1/467

Abstract: 본 발명은 과산화수소의 생성 및 철 이온의 재생이 모두 가능한 환원전극 물질 및 그 제조방법 그리고 이를 이용한 전기펜톤장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 환원전극 물질은 전기펜톤장치의 환원전극에 적용되는 것으로서, 질소기능기 및 카르보닐기를 구비하는 탄소물질이며, 상기 탄소물질은 피리디닉-N(pyridinic-N) 및 그래피틱-N(graphitic-N)을 포함하며, 탄소물질 내의 피리디닉-N(pyridinic-N) 함량과 그래피틱-N(graphitic-N) 함량은 각각 피롤릭-N(pyrollic-N)를 비롯한 기타 질소기능기의 함량보다 클 수 있다.

公开(公告)号：KR101853727B1

公开(公告)日：2018-05-03

申请号：KR1020160025303

申请日：2016-03-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이욱성 ,  고영진 ,  이경석 ,  김인호 ,  정두석 ,  조정민

IPC: C01B31/04 ,  G01N1/40 ,  G01N27/22 ,  H01B1/04

Abstract: 양파모양탄소(Onion-Like Carbon; OLC)의제조방법은, 나노다이아몬드파우더(nanodiamond powder)를 1000℃내지 1400℃의온도로어닐링(annealing)하는단계를포함한다. 상기어닐링하는단계에의해, 탄소원자간에 sp결합을이루는다이아몬드코어, 및상기코어의바깥쪽에배치되며탄소원자간에 sp결합을이루되인장변형에의해탄소원자간의결합이손상된결함(defect)을포함하는그래핀(graphene) 쉘이형성된다. 어닐링온도를제어함으로써 OLC의최외곽쉘에인장변형에의한결함을생성할수 있으며, 생성된결함은 OLC의전기화학적특성을향상시킬수 있다. 그결과, OLC를전극재료로사용할경우종래와같은별도의후처리공정없이도전기화학적특성이우수한전극을얻을수 있으며, 전극제조공정이간소화될수 있다.

公开(公告)号：KR101773951B1

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：KR1020160074557

申请日：2016-06-15

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  울산과학기술원

Inventor： 김인호 ,  김원목 ,  이택성 ,  이경석 ,  이욱성 ,  정두석 ,  이도권 ,  천시은 ,  최경진 ,  김주영

IPC: H01L31/0236 ,  H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0392

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02366 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67098 ,  H01L29/0665 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 본발명은텍스처링된반도체기판에있어서, 상기반도체기판이텍스쳐링된포물선형구조체와상기포물선형구조체의표면과상기반도체기판의표면을포함하는전체표면에는일정간격의나노홀구조를구비하되, 상기포물선형구조체의표면에는복수의나노홀구조가형성된것을특징으로하는텍스처링된반도체기판을제공한다.

Abstract translation: 但是，本发明设置有纹理化半导体衬底上的一个预定距离的纳米孔结构，所述整个表面包括表面和与该抛物面结构纹理化半导体衬底的抛物线状结构的所述半导体衬底的表面上，该抛物线 类型结构和多个纳米孔结构形成在基板的表面上。

公开(公告)号：KR101743019B1

公开(公告)日：2017-06-05

申请号：KR1020150015353

申请日：2015-01-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  박종극 ,  이욱성

IPC: B23B27/14 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  B23C5/16

CPC classification number: B24D18/00 ,  C01B31/36 ,  C01B32/956

Abstract: 고온내산화성이우수한초경도탄화붕소박막은, 탄화붕소층과탄화규소층이교대로반복적으로적층된구조를갖는다. 이에따라, 탄화붕소박막의고온내산화성이향상되어절삭공구등 내마모공구의코팅재료로사용가능하다.

Abstract translation: 高温下的耐氧化性优异的碳化硼碳化物薄膜具有交替反复层叠碳化硼层和碳化硅层的结构。 结果，碳化硼薄膜在高温下具有改善的抗氧化性，并且可以用作用于诸如切削工具的耐磨工具的涂层材料。

公开(公告)号：KR101731497B1

公开(公告)日：2017-04-28

申请号：KR1020150082816

申请日：2015-06-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김인호 ,  김원목 ,  김준곤 ,  송종한 ,  정두석 ,  이택성 ,  이경석 ,  이욱성 ,  최준희

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0392 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본발명은반도체기판상에저융점금속을증착하는단계, 상기저융점금속이증착된기판을건식에칭하는단계및 상기건식에칭된기판으로부터상기금속을제거하는단계를포함하는반도체기판의텍스쳐링방법, 이방법에따라제조된반도체기판및 이를포함하는태양전지를제공한다. 본발명에따르면경제적이고, 풀웨이퍼(full wafer) 스케일의대면적응용이가능한반도체기판의텍스쳐링방법을제공할수 있고, 이렇게제조된반도체기판의경우광흡수율이우수하며초박형태양전지에적용이가능하다.

公开(公告)号：KR1020160004131A

公开(公告)日：2016-01-12

申请号：KR1020140082635

申请日：2014-07-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이욱성 ,  고영진 ,  이경석 ,  이택성 ,  김인호 ,  정두석

IPC: G01N27/30 ,  G01N33/50 ,  B82B3/00

CPC classification number: G01N27/30 ,  B82B3/00 ,  G01N33/50

Abstract: 센싱전극의제조방법은, 나노다이아몬드파우더를열처리함으로써, 탄소원자간에 sp3 결합을이루는제1 부분및 상기제1 부분의바깥쪽에배치되며탄소원자간에 sp2 결합을이루는제2 부분을포함하는버키(bucky) 다이아몬드를형성하는단계; 및상기버키다이아몬드를재료로센싱전극을형성하는단계를포함할수 있다. 상기센싱전극은산 또는암모니아에의한처리등의파괴공법을거치치않는단순한열처리공정을통해제조되어결함(defect)이적고, 저분자(small molecule)의고 선택도(high selectivity) 및고 감도(sensitivity) 동시센싱(simultaneous sensing)이가능한이점이있다.

Abstract translation: 感应电极的制造方法可以包括：在第一部分的外侧形成包含在碳原子之间形成sp3键的第一部分和形成碳原子之间的sp2键的第二部分的负极金刚石的步骤，通过退火 纳米金刚石粉; 以及使用该金刚石作为材料形成感测电极的步骤。 传感电极通过简单的热处理工艺制造而不经过诸如酸或氨处理的拆除方法，因此具有小分子选择性高，灵敏度高，同时感测少的缺点。