에피-사이드 다운 마운팅된 히트싱크를 포함하는 고출력 레이저 다이오드 및 그 제조방법
    31.
    发明公开
    에피-사이드 다운 마운팅된 히트싱크를 포함하는 고출력 레이저 다이오드 및 그 제조방법 有权
    高功率激光二极管,包括外延侧向下安装的散热器及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020170054720A

    公开(公告)日:2017-05-18

    申请号:KR1020150157224

    申请日:2015-11-10

    Abstract: 실시예들은기판상에형성된에피층을포함하는레이저다이오드칩을준비하는단계, 솔더층이증착된금속블록을준비하는단계, 상기에피층과상기솔더층이서로향하도록정렬하는단계, 상기금속블록을가열하는단계및 상기가열에의해솔더층이액체상태가되면, 상기레이저다이오드칩과상기금속블록이접촉하도록상기레이저다이오드칩과상기금속블록을누르는단계를포함하는레이저다이오드제조방법및 이를이용하여제조된레이저다이오드에관한것이다.

    Abstract translation: 实例是制备激光二极管芯片,其包括在形成于基板上,其特征在于所述皮质的步骤:制备一个金属块沉积焊料层,对准皮层和焊料层,以便相互面对,所述金属块 当焊料层由步骤和用于加热液体的热量,和一个激光二极管的制造方法以及形成使用它们,包括压制激光二极管芯片和金属块这样的步骤,所述激光二极管芯片和所述金属块相接触的 并由此制造激光二极管。

    다색 양자점 패턴의 형성 방법 및 그 방법에 따라 형성된 다색 양자점 패턴, 양자점 발광소자
    32.
    发明公开
    다색 양자점 패턴의 형성 방법 및 그 방법에 따라 형성된 다색 양자점 패턴, 양자점 발광소자 有权
    方法量子点光发射装置制造多模量子模式和多光子量子点的方法

    公开(公告)号:KR1020160139354A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:KR1020150074016

    申请日:2015-05-27

    CPC classification number: H01L51/502 H01L51/0014

    Abstract: 다색양자점패턴의형성방법은, 기판상에제1 포토레지스트패턴을형성하는단계; 상기제1 포토레지스트패턴이형성된기판의표면을활성화시키는단계; 상기활성화된기판상에제1 양자점층을형성하는단계; 상기제1 포토레지스트패턴을제거하여제1 양자점패턴을생성하는단계; 및상기기판에생성된상기제1 양자점패턴과동일층상에제2 양자점패턴을생성하는단계를포함한다. 이에따라, 하나의기판에다양한양자점을용이하게구현할수 있다.

    Abstract translation: 公开了一种制造多色量子点图案的方法,其包括:在基底上形成第一光致抗蚀剂图案; 激活其上形成有第一光致抗蚀剂图案的基板的表面; 在激活的基板上形成第一量子点层; 通过去除第一光致抗蚀剂图案产生第一量子点图案; 以及在与所述基板上产生的所述第一量子点图案相同的层上产生第二量子点图案。 因此,可以容易地在单个基板上实现各种量子点。

    태양전지 및 이의 제조방법
    33.
    发明授权
    태양전지 및 이의 제조방법 有权
    太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR101541108B1

    公开(公告)日:2015-07-31

    申请号:KR1020140041802

    申请日:2014-04-08

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/042 H01L31/0224

    Abstract: 본발명의태양전지에따르면, 업컨버전입자를포함하는광변환층과다수의돌기형태의미세패턴을갖는후면전극층을구비함으로써입사된태양광중에서흡수되지못한장파장의빛을흡수가가능한단파장의빛으로변환할수 있고, 광변환층의전면과후면에버퍼층및 절연막층을더 포함하여광변환층의발광효율을증가시킬수 있다. 따라서, 이러한구조의태양전지는광 손실이낮아우수한광전변환효율을나타낸다.

    Abstract translation: 根据本发明的太阳能电池,在入射的太阳光中未被吸收的长波长的光被转换为短波长的光,该波长被包含具有多个具有突出形状的精细图案的后电极层吸收, 通过在光转换层的前侧和后侧进一步包括缓冲层和绝缘层,增加了包括上转换粒子的光转换层和光转换层的发光效率。 因此,具有上述结构的太阳能电池通过减少光损耗而显示出高的光转换效率。

    격자 부정합 해소층을 이용한 화합물 반도체 기판 및 그 제조방법
    35.
    发明授权
    격자 부정합 해소층을 이용한 화합물 반도체 기판 및 그 제조방법 有权
    复合半导体衬底使用厚度分层减少层及其制造方法

    公开(公告)号:KR101351987B1

    公开(公告)日:2014-01-17

    申请号:KR1020120118229

    申请日:2012-10-24

    Abstract: The present invention is a manufacturing method including a step of forming a first AlSb layer on a Si substrate and a compound semiconductor layer on the first AlSb layer. A compound semiconductor substrate is manufactured by using various lattice mismatch removal layers such as various kinds of AaGa sacrificial layer, AlSb/AlGaSb SPS, etc. The compound semiconductor substrate may be a GaSb layer.

    Abstract translation: 本发明是一种制造方法,包括在Si衬底上形成第一AlSb层和在第一AlSb层上形成化合物半导体层的步骤。 通过使用各种AaGa牺牲层,AlSb / AlGaSb SPS等的各种晶格失配去除层来制造化合物半导体衬底。化合物半导体衬底可以是GaSb层。

    수중 통신 장치 및 방법
    36.
    发明授权
    수중 통신 장치 및 방법 有权
    水下通信装置和方法

    公开(公告)号:KR101296744B1

    公开(公告)日:2013-08-20

    申请号:KR1020120005832

    申请日:2012-01-18

    CPC classification number: H04B10/80 H04B13/02

    Abstract: 수중에서 외부 장치와 광통신을 수행하는 수중 통신 장치에 있어서, 외부 장치로 송신할 제 1 데이터를 제 1 전류로 변조하는 전류 제어부; 및 변조된 제 1 전류에 대응하는 450 내지 500nm의 파장의 광을 외부 장치로 송신하는 광 송신부를 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 일 실시예에 따른 수중 통신 장치가 개시된다.

    광도파로 주변에 광손실 감소영역을 구비하는 광소자 및 그제조 방법
    37.
    发明授权
    광도파로 주변에 광손실 감소영역을 구비하는 광소자 및 그제조 방법 失效
    具有靠近波长的光功率减少区域的光学装置及其方法

    公开(公告)号:KR100880122B1

    公开(公告)日:2009-01-23

    申请号:KR1020070085316

    申请日:2007-08-24

    CPC classification number: H01S5/101 H01S5/1017 H01S5/5027

    Abstract: An optical device having optical power loss reducing region near optical waveguide and a manufacturing method thereof are provided to secure enough optical output in a device of identical length by reducing optical power loss generated by a bending of an optical waveguide. An optical device having optical power loss reducing region near optical waveguide comprises an optical waveguide(103) and one or more optical power loss reducing region(106). The optical waveguide has a curve region(II). The optical power loss reducing region is positioned near the optical wave guide, and is operated in order to prevent an optical power loss inside the optical waveguide.

    Abstract translation: 提供了一种具有光波导附近的光功率损耗减少区域的光学装置及其制造方法,用于通过降低由光波导的弯曲产生的光功率损失来确保在相同长度的器件中的足够的光输出。 具有光波导附近的光功率损耗减少区域的光学器件包括光波导(103)和一个或多个光功率损耗减少区域(106)。 光波导具有曲线区域(II)。 光功率损耗减少区域位于光波导附近,并且为了防止光波导内的光功率损耗而被操作。

    다양한 크기의 양자점으로 이루어진 활성층을 이용하는고휘도 발광소자 및 그 제조 방법
    38.
    发明授权
    다양한 크기의 양자점으로 이루어진 활성층을 이용하는고휘도 발광소자 및 그 제조 방법 有权
    利用各种尺寸的量子点构成的有源层的高亮度发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR100644967B1

    公开(公告)日:2006-11-15

    申请号:KR1020040086139

    申请日:2004-10-27

    CPC classification number: B82Y10/00 H01L33/0045

    Abstract: 파장대역폭이 넓고 광출력이 큰 고휘도 발광소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 이를 위해, 기판, 상기 기판 상에 형성되어 방출되는 광을 구속하는 제 1 클래딩층 및 제2 클래딩층, 상기 제1 클래딩층 및 제2 클래딩층 사이에 형성되어 사전설정된 적어도 두 파장의 광을 방출하는 CQD 양자점 구조의 활성층을 포함하는 고휘도 발광소자 및 그 제조 방법을 제공한다.
    고휘도 발광소자, 파장 대역폭, 광출력, CQD (Chirped Quantum Dots), 활성층

    Abstract translation: 具有宽波长带宽和大光输出的高亮度发光器件及其制造方法。 为此,所述衬底,所述第一包层和第二包层,第一包覆层和第二包层发射的光的至少两个波长用于限制发射的光预设的层之间所形成的基板上形成 CQD量子点结构及其制造方法。

    생체적합성 실리콘 나노입자의 제조 방법
    39.
    发明授权
    생체적합성 실리콘 나노입자의 제조 방법 失效
    생체적합성실리콘나노입자의제조방법

    公开(公告)号:KR100644968B1

    公开(公告)日:2006-11-14

    申请号:KR1020050102333

    申请日:2005-10-28

    Abstract: Provided is a preparation method of biocompatible silicon nano particles excellent in dispersion stability for use in fluorescent probe in biological studies that include cancer diagnosis and cell imaging. The preparation method of biocompatible silicon nano particles comprises the steps of: obtaining silicon nano particle colloid by treating Si-containing zintl salt with diethylene glycol diethyl ether(DGDE) under ultrasonic radiation; and mixing the silicon nano particle colloid with a hydrogen halide solution. In detail, Si-containing zintl salt and DGDE are used in a ratio of 1:10 to 1:100,000 by weight and are subjected to ultrasonic radiation for 1 minute to 10 hours under an inert gas atmosphere such as Ar, He, N and so on. Preferably, the hydrogen halide solution has a concentration of 1 to 35 wt%, and is mixed in an amount of 0.01 to 1 wt% with respect to the weight of silicon nano particle collide.

    Abstract translation: 本发明提供一种在生物学研究中用于荧光探针的分散稳定性优异的生物相容性硅纳米粒子的制备方法,其包括癌症诊断和细胞成像。 一种生物相容性硅纳米颗粒的制备方法,包括以下步骤:用超声辐射处理含二乙二醇二乙醚(DGDE)的含硅锌盐,得到硅纳米颗粒胶体; 并将硅纳米颗粒胶体与卤化氢溶液混合。 具体而言,含Si的锌盐和DGDE以1:10至1:100,000的重量比使用,并且在诸如Ar,He,N和N的惰性气体气氛下经受超声辐射1分钟至10小时 等等。 优选卤化氢溶液的浓度为1〜35重量%,相对于硅纳米粒子的重量碰撞而混合0.01〜1重量%。

    원자층 성장법을 이용한 반도체 양자점 성장 방법
    40.
    发明授权
    원자층 성장법을 이용한 반도체 양자점 성장 방법 有权
    使用原子层外延生长量子的方法

    公开(公告)号:KR100508850B1

    公开(公告)日:2005-08-18

    申请号:KR1020030074986

    申请日:2003-10-27

    Abstract: 본 발명은 ALE(Atomic Layer Epitaxy)를 사용하여 반도체 양자점들(semiconductor quantum dots)을 성장시키기 위한 방법에 관한 것이다. 이 방법은 a) 기판을 마련하는 단계와, b) 반도체 양자점을 성장시키기 위한 물질들을 적어도 하나의 시간 간격을 갖는 사전설정된 시퀀스(sequence)에 따라 상기 기판 상에 주입하는 단계와, c) 단계 b)를 사전설정된 횟수만큼 반복하여 반도체 양자점을 성장시키는 단계를 포함한다. 여기서, 단계 b)는 ALE(Atomin Layer Epitaxy) 법을 사용하여 수행되며, 주입 물질들은 금속 원자와 비금속 원자를 포함한다.

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