Abstract:
본발명의태양전지에따르면, 업컨버전입자를포함하는광변환층과다수의돌기형태의미세패턴을갖는후면전극층을구비함으로써입사된태양광중에서흡수되지못한장파장의빛을흡수가가능한단파장의빛으로변환할수 있고, 광변환층의전면과후면에버퍼층및 절연막층을더 포함하여광변환층의발광효율을증가시킬수 있다. 따라서, 이러한구조의태양전지는광 손실이낮아우수한광전변환효율을나타낸다.
Abstract:
본 발명은 폴리실리잔으로부터 형성한 파장변환층을 구비하는 태양전지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 저온 소결이 가능하고, 파장변환제의 산화, 열화 및 백화 현상으로부터 보호하고, 이를 통해 태양전지의 효율을 향상시키기 위한 것이다. 본 발명은 태양전지 셀과, 태양전지 셀의 외측면 또는 내부에 용매, 폴리실라잔 및 파장변환제를 함유하는 코팅액을 도포한 후 경화하여 형성한 파장변환층을 포함하는 태양전지 및 그 제조 방법을 제공한다.
Abstract:
The present invention is a manufacturing method including a step of forming a first AlSb layer on a Si substrate and a compound semiconductor layer on the first AlSb layer. A compound semiconductor substrate is manufactured by using various lattice mismatch removal layers such as various kinds of AaGa sacrificial layer, AlSb/AlGaSb SPS, etc. The compound semiconductor substrate may be a GaSb layer.
Abstract:
수중에서 외부 장치와 광통신을 수행하는 수중 통신 장치에 있어서, 외부 장치로 송신할 제 1 데이터를 제 1 전류로 변조하는 전류 제어부; 및 변조된 제 1 전류에 대응하는 450 내지 500nm의 파장의 광을 외부 장치로 송신하는 광 송신부를 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 일 실시예에 따른 수중 통신 장치가 개시된다.
Abstract:
An optical device having optical power loss reducing region near optical waveguide and a manufacturing method thereof are provided to secure enough optical output in a device of identical length by reducing optical power loss generated by a bending of an optical waveguide. An optical device having optical power loss reducing region near optical waveguide comprises an optical waveguide(103) and one or more optical power loss reducing region(106). The optical waveguide has a curve region(II). The optical power loss reducing region is positioned near the optical wave guide, and is operated in order to prevent an optical power loss inside the optical waveguide.
Abstract:
파장대역폭이 넓고 광출력이 큰 고휘도 발광소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 이를 위해, 기판, 상기 기판 상에 형성되어 방출되는 광을 구속하는 제 1 클래딩층 및 제2 클래딩층, 상기 제1 클래딩층 및 제2 클래딩층 사이에 형성되어 사전설정된 적어도 두 파장의 광을 방출하는 CQD 양자점 구조의 활성층을 포함하는 고휘도 발광소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 고휘도 발광소자, 파장 대역폭, 광출력, CQD (Chirped Quantum Dots), 활성층
Abstract:
Provided is a preparation method of biocompatible silicon nano particles excellent in dispersion stability for use in fluorescent probe in biological studies that include cancer diagnosis and cell imaging. The preparation method of biocompatible silicon nano particles comprises the steps of: obtaining silicon nano particle colloid by treating Si-containing zintl salt with diethylene glycol diethyl ether(DGDE) under ultrasonic radiation; and mixing the silicon nano particle colloid with a hydrogen halide solution. In detail, Si-containing zintl salt and DGDE are used in a ratio of 1:10 to 1:100,000 by weight and are subjected to ultrasonic radiation for 1 minute to 10 hours under an inert gas atmosphere such as Ar, He, N and so on. Preferably, the hydrogen halide solution has a concentration of 1 to 35 wt%, and is mixed in an amount of 0.01 to 1 wt% with respect to the weight of silicon nano particle collide.
Abstract:
본 발명은 ALE(Atomic Layer Epitaxy)를 사용하여 반도체 양자점들(semiconductor quantum dots)을 성장시키기 위한 방법에 관한 것이다. 이 방법은 a) 기판을 마련하는 단계와, b) 반도체 양자점을 성장시키기 위한 물질들을 적어도 하나의 시간 간격을 갖는 사전설정된 시퀀스(sequence)에 따라 상기 기판 상에 주입하는 단계와, c) 단계 b)를 사전설정된 횟수만큼 반복하여 반도체 양자점을 성장시키는 단계를 포함한다. 여기서, 단계 b)는 ALE(Atomin Layer Epitaxy) 법을 사용하여 수행되며, 주입 물질들은 금속 원자와 비금속 원자를 포함한다.