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公开(公告)号：KR1020170044440A
公开(公告)日：2017-04-25
申请号：KR1020150144144
申请日：2015-10-15
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/30 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L27/115
Abstract: 섬유기판을이용하는착용가능한메모리및 그제작방법이제시된다. 본발명에서제안하는섬유기판을이용하는착용가능한메모리는섬유물질로형성되는기판, 상기기판의상부에형성되는하부전극, 상기하부전극의상부에형성되는상부전극, 상기하부전극및 상기상부전극사이에배치되어, 상기하부전극및 상기상부전극사이에인가되는전계에따라전기적통로가생성또는소멸되는절연막을포함하고, 섬유물질로형성된상기기판에금속을도금하여격자형태로배열함으로써상기격자가메모리소자로서동작한다.
Abstract translation: 公开了一种使用纤维基底的可佩戴存储器及其制造方法。 所述上部电极之间，下部电极和上部电极是使用本发明中提出的纤维基材的可穿戴存储器包括在衬底上形成的下电极，所述基板由纤维材料形成，形成在下部电极的顶 布置，所述下电极和所述网格，通过在网格排列到板衬底上的金属和包括绝缘膜产生或破坏的上部电极，纤维材料的形成之间施加根据电场电通路的存储器装置 它作为一个。
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公开(公告)号：KR101720171B1
公开(公告)日：2017-03-27
申请号：KR1020150099650
申请日：2015-07-14
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H02N1/04
Abstract: 본발명에따르면, 분말접촉대전발전기에서, 하우징내부와접촉할 시대전되는분말을위치시키고대전된유체가움직이면서하우징위아래에위치한전극간에비대칭적인전위차를생성하여유도전류를생성하도록함으로써외부의물리적에너지를보다용이하게전기적에너지로변환할수 있다. 또한, 접촉대전에필요한두 대전체중 하나를고체평면구조가아닌분말을사용함으로써접촉대전발전기의내구력을증가시키고, 외부물리적자극에상대적으로더 움직이기쉬운유체를사용함으로써작은물리적자극에도높은효율을낼 수있다. 또한, 분말접촉대전발전기에서하우징에통풍이가능한통풍구를형성함으로써하우징내부의접촉대전발생용분말이바람등의외부물리적자극에의해하우징내벽과접촉, 분리가용이해짐에따라소형소자로풍력발전이가능하게된다.
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33.发明公开부유 진동자를 이용하는 마찰 대전/전자기 유도 혼성 발전기 및 그 동작 방법 无效/使用浮动振荡器的TRIBOELECTRIC / ELECTROMAGNETIC HYBRID ENERGY HARVESTER AND OPERTATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：KR1020160148755A
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：KR1020150084934
申请日：2015-06-16
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 부유진동자를이용하는마찰대전/전자기유도혼성발전기(triboelectric/electromagnetic hybrid energy harvester)는케이스; 및상기케이스내부에삽입되어상하진동을하는부유진동자를포함하고, 상기케이스는상기부유진동자와접촉하도록상기케이스측벽표면에형성되는적어도하나의케이스전극; 및상기케이스측벽외부에형성되는적어도하나의코일을포함하며, 상기부유진동자는진동자자석; 및상기케이스와접촉하도록상기부유진동자의표면에형성되는대전물질을포함한다.
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公开(公告)号：KR101627294B1
公开(公告)日：2016-06-07
申请号：KR1020140116336
申请日：2014-09-02
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H02N1/04 , H01L41/083 , F04B1/04
Abstract: 본발명에따르면, 롤형상을이용한슬라이딩접촉대전발전기에있어서, 폴리머기판에금속층을증착시킨후, 금속층이증착된폴리머기판을롤 형태로말아슬라이딩시키는방식으로금속층과폴리머층이접촉을통해대전되어전기를생산하도록한다. 기존의슬라이딩모드의접촉대전발전기와달리폴리머와금속층을롤 형태의 3차원적적층구조로구현하여적은부피로도폴리머층과금속층의접촉면적을넓힐수 있어보다효과적으로접촉대전발전기의출력을증가시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR101444880B1
公开(公告)日：2014-09-26
申请号：KR1020130082145
申请日：2013-07-12
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/0657 , H01L41/0906
Abstract: According to embodiments, the present invention relate to an electronic device and a manufacturing method thereof. The electronic device according to an embodiment comprises: a first electrode; a second electrode disposed apart from the first electrode; and a conductive layer including a bridge disposed between the first electrode and the second electrode and a support connected to one end of the bridge. The bridge is electrically connected to either the first electrode or the second electrode. The part connected to one end of the bridge from the support is a part where the side of the support and the center line cross. The center line is a line bisecting the space between the first electrode and the second electrode.
Abstract translation: 根据实施例，本发明涉及一种电子设备及其制造方法。 根据实施例的电子设备包括：第一电极; 与第一电极分离的第二电极; 以及导电层，其包括布置在所述第一电极和所述第二电极之间的桥，以及连接到所述桥的一端的支撑件。 该桥与第一电极或第二电极电连接。 从支撑件连接到桥的一端的部分是支撑件的侧面和中心线交叉的部分。 中心线是将第一电极和第二电极之间的空间平分的线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101340915B1
公开(公告)日：2013-12-13
申请号：KR1020100085879
申请日：2010-09-02
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 실시예는 스위치 소자에 관한 것이다.
실시예에 따른 스위치 소자는, 전기-기계적 스위치 소자로, 기판, 기판 상에 고정된 지지층 및 탄성력을 가지며 기판과 이격된 탄성도전층을 포함하는 구동전극부, 및 탄성도전층과 이격되도록 기판 상에 배치된 고정전극부를 포함하고, 구동전극부 및 고정전극부는 일 함수가 서로 같은 반도체 물질을 포함하고, 상기 고정전극부를 통해 구동전압이 인가될 경우, 상기 구동전극부 및 상기 고정전극부 간의 정전인력에 의해 상기 탄성도전층 및 상기 고정전극부가 전기-기계적으로 접촉하는 스위치 온 상태가 되고, 상기 구동전극부 및 상기 고정전극부는, 상기 스위치 온 상태에서 순방향 전압 또는 역방향 전압에서 전류가 도통하는 저항성 전도(ohmic conduction) 동작을 한다.-
公开(公告)号：KR101221445B1
公开(公告)日：2013-01-11
申请号：KR1020120041245
申请日：2012-04-20
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 본 발명의 커패시터리스 디램 셀 제조방법은, 기판 상에 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체를 형성하는 단계; 및 상기 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체를 수직방향으로 패터닝하여 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체 접합구조를 완성하는 단계;를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101134353B1
公开(公告)日：2012-04-09
申请号：KR1020080137015
申请日：2008-12-30
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L27/108
Abstract: PURPOSE: A high integrated semiconductor combination memory device and a manufacturing method thereof are provided to easily realize the system on chip by realizing a non-volatile memory device and volatile memory device in a single transistor phase. CONSTITUTION: Source(102) and drain electrode(103) are formed on a substrate(101). The source and drain electrode are formed into a channel area(104) and a metal silicide which is short-key connected. A tunneling insulating layer(105) is formed on the substrate of the channel area. A floating gate(106) is formed on the tunneling insulating layer. A control insulating layer(107) is formed on the floating gate. The control gate is formed on the control insulating layer.
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公开(公告)号：KR101132127B1
公开(公告)日：2012-04-02
申请号：KR1020090127852
申请日：2009-12-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: B82B1/00 , B82B3/00 , H01L31/0236 , H01L31/0232
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 기판의 표면에너지의 조절 또는 표면 개질을 통해 친수성 또는 소수성 표면을 선택적으로 형성 가능한 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
보다 더 구체적으로 본 발명은 전기 전도가 가능한 기판; 상기 기판 상에 형성되는 패드층(pad layer); 상기 패드층의 일측면에 형성되고, 상기 패드층과 전기적으로 연결되는 마이크로-나노복합체 (Micro-Nano Complex)가 증착되는 층; 상기 마이크로-나노 복합체가 증착되는 층 위에 형성되는 마이크로-나노 복합체; 및 상기 패드층, 마이크로-나노 복합체가 증착되는 층 및 마이크로-나노 복합체를 커버하고, 소정의 표면 에너지를 갖는 고분자막 또는 자기조립 단분자막(Self Assembled Monolayer);을 포함하는 친수성과 소수성의 조절이 가능한 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
친수성, 소수성, 마이크로-나노 복합체, 표면개질, 전기화학적 증착-
公开(公告)号：KR101108517B1
公开(公告)日：2012-01-30
申请号：KR1020100009076
申请日：2010-02-01
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G02F1/167
Abstract: 본 발명은 시온(Thermocromic) 화합물로 이루어진 열구동 전자종이화면 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 전자종이화면의 픽셀에 해당하는 영역의 온도를 높여서 그 픽셀 영역의 색깔을 변환하는 전자종이화면의 구동 방식을 제공하고, 또한 유연성을 보장하는 전자종이화면 장치에 관한 것이다.
보다 더 구체적으로 본 발명은, 서브스트레이트 기판; 온도 변화에 의해 성질 변화를 나타내고, 마이크로발열체층의 상부에 형성되는 물질층; 상기 물질층에 열을 가하여 온도 변화를 일으키고, 상기 서브스트레이트 기판위에 형성되는 마이크로발열체층; 상기 마이크로 발열체와 상기 서브스트레이트 기판을 접착시키는 접착층; 및 상기 접착층 및 마이크로 발열체층의 소정영역을 제거하여 노출되는 상기 서브스트레이트 기판의 상면에 형성되어 상기 물질층 및 마이크로 발열체층을 각각의 픽셀로 구획하고 상기 각각의 픽셀이 독립적으로 동작하도록 픽셀 간의 열을 차단하는 열차단층; 을 포함하는 열구동 전자종이화면 장치를 제공한다.
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