公开(公告)号：KR1019990052558A

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970072051

申请日：1997-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 노태문 ,  이대우 ,  김상기 ,  구진근 ,  남기수 ,  김종대

IPC: H01L27/04

Abstract: 본 발명은 전력 소자 제조방법 및 그 구조에 관한 것으로, 특히 집적회로(IC; integrated circuits)에서 전력 소자가 동작할 때 발생되는 열을 적절하게 방열시킬 수 있는 전력 소자 제조방법 및 그 구조에 관한 것이다.
본 발명은 에스오아이 실리콘 기판에서 기판 실리콘과 활성 실리콘 층사이에 있는 층간 산화막에 구멍을 뚫어 산화막 보다 열전도도가 우수한 다이아몬드 박막을 끼워 넣음으로써 전력 소자에서 발생된 열을 효과적으로 빼 낼 수 있게 하여 소자의 동작 특성과 신뢰성을 더욱 개선시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990051079A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970070318

申请日：1997-12-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이대우 ,  노태문 ,  구진근 ,  남기수

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 고전압 전력소자로서 표류영역(drift region)내에 있는 게이트 확장영역(gate extended region, 도 1의 'Le' 영역)의 절연막을 경사형 구조로 하는 LDMOS(lateral double diffused MOS) 소자 제작공정에 대한 것이다. 일반적으로 LDMOS를 이용하여 구동 IC를 제작할 경우 게이트 산화막은 p채널 LDMOS의 경우 두꺼운 반면에, n채널 LDMOS는 얇은 산화막을 갖는다. 따라서 신뢰성 측면에서 얇은 산화막을 갖는 n채널 LDMOS의 경우, n 표류영역내에 있는 게이트 확장영역의 산화막은 소자동작시 높은 전계에 의해 게이트 산화막의 파괴가 쉽게 일어난다. 본 발명에서는 이러한 종래의 고전압 전력소자의 문제점을 해결하기 위해 n채널 LDMOS의 게이트 확장영역에서의 얇은 게이트 산화막위에 저온 산화막을 증착하여 습식식각으로 절연막을 경사지게 함으로서 고전계에 의한 게이트 확장영역의 절연 파괴특성을 개선하였다. 아울러 층간절연막의 단차를 줄이고 p채널 LDMOS 공정과 함께 제작할 수 있는 고전압 전력소자 제조공정법을 제시하였다.

公开(公告)号：KR100194600B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019950042598

申请日：1995-11-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김기홍 ,  구진근 ,  박종문 ,  현영철 ,  박민

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 다층 금속배선 제조방법에 관한 것으로서, 종래기술의 초고집적(ULSI) 소자 제작에 있어서 완벽한 금속 스텝커버리지에 따른 일렉트로마이그레이션등의 문제점을 해결하기 위해 다수의 금속배선 형성에 있어서, 역상의 비아 홀이 형성된 기둥(Pillar)을 먼저 형성하고, 전도층을 나중에 형성한 후 평탄화를 수행하도록 하는 것을 특징으로 하는 다층 금속배선 제조방법을 제공함으로써 일렉트로마이그레이션등의 문제점을 해결하고 금속간 절연막의 두께 조절이 가능하여 기생 캐패시턴스를 줄일 수 있으며, 비아 저항을 감소시킬 수 있다는 특징이 있다.

公开(公告)号：KR1019990016196A

公开(公告)日：1999-03-05

申请号：KR1019970038667

申请日：1997-08-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김상기 ,  김종대 ,  이대우 ,  노태문 ,  구진근 ,  남기수

IPC: H01L21/302

Abstract: 고전압 소자의 발달과 함께 산화막의 측면이 직각보다는 60°이하의 낮은 빗면을 원하는 경우가 있는데, 이러한 산화막 측면의 낮은 각도를 요구하는 식각은 종래의 습식식각이나 건식식각으로 구현할 수 없으나, 본 발명은 이러한 문제점을 극복하기 위하여, 본 발명은 서로 다른 온도에서 성장된 산화막 특성을 이용하여 습식식각(wet etch) 및 건식식각(dry etch)때 식각비를 이용하는 기술로서, 여러 층의 산화막을 형성하여 형성된 각 층마다 산화막 초기 성장온도나 성장후 열처리 온도를 다르게 함으로서 형성된 산화막의 선택 식각비를 다르게 만드는 기술이다.

公开(公告)号：KR100133439B1

公开(公告)日：1998-04-23

申请号：KR1019940024348

申请日：1994-09-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박민 ,  유병곤 ,  이중환 ,  전치훈 ,  구진근

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 반도체 초고집적회로(ULSI)의 제조공정에서 금속층간 절연막(inter metal dielectric : IMD)의 형성공정 뿐만 아니라 가스를 분사시켜 박막을 형성하는 공정에 있어서 종래의 가스분산장치(이하 Shower-Head라 함)에 냉각장치 기능을 부착함으로써 절연막의 형성시 shower-head면에 증착되는 박막을 최대한 억제하고, 미립자(particle)의 발생을 감소시키며, 박막 형성에 따른 Shower-Head의 수명을 연장시켜줌으로써 반도체 제조공정 시간을 단축(troughput 향상)시켜 그 결과 실제 장비의 가동시간을 높이는 데 있다.
본 발명은 반도체 제조 공정에서 플라즈마 및 열에너지를 이용하여 가스의 분해에 의해 박막을 증착하는 가스분산장치(Shower-Head)를 구비한 반도체 제조장치에 있어서, 상기 가스분산장치에 불필요하게 증착되는 가스의 용이한 제거를 위하여, 증착시 상기 가스분산장치의 온도를 낮게 제어할 수 있는 냉각기능을 부가한 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019970030353A

公开(公告)日：1997-06-26

申请号：KR1019950042598

申请日：1995-11-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김기홍 ,  구진근 ,  박종문 ,  현영철 ,  박민

IPC: H01L21/28

公开(公告)号：KR100091108B1

公开(公告)日：1995-11-01

申请号：KR1019920024456

申请日：1992-12-16

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김귀동 ,  구용서 ,  한태현 ,  구진근

IPC: H01L29/73

公开(公告)号：KR100089981B1

公开(公告)日：1995-10-09

申请号：KR1019920009982

申请日：1992-06-09

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  재단법인한국전자통신연구소 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김귀동 ,  구용서 ,  한태현 ,  구진근

IPC: H01L29/70

公开(公告)号：KR1019950021021A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930026309

申请日：1993-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박종문 ,  박병선 ,  구진근

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 반도체 소자제조공정중 전자노광 장비를 이용한 미세패턴형성 공정의 생산성을 높이는 광스텝퍼와 e-빔 사진 전사 혼합 공정방법에 관한 것으로, 종래에 공정단계가 복잡하고, 공정비용이 증가되는 문제점을 해결 하기 위하여 본 발명은 광스템퍼와 e-빔 사진 혼합공정방법에 있어서 레지스트 도포1회당 광 정렬노광 및 e-빔 정렬노광을 각각 수행하고, 현상공정 1회로 소정의 형상을 형성시키는 방법을 제공함으로써 공정단계가 줄어서 제조비용면에서 줄어드는 효과를 제공한다.

公开(公告)号：KR100081808B1

公开(公告)日：1995-01-25

申请号：KR1019910021084

申请日：1991-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 구진근 ,  한태현 ,  김귀동 ,  구용서 ,  강상원

IPC: H01L21/328