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公开(公告)号：KR1019930001897B1
公开(公告)日：1993-03-19
申请号：KR1019900007232
申请日：1990-05-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: The gas injector is provided at the groove part (12) located at the back of a reactor (10) composed of anodic oxidation aluminum or stainless steel, by a flange (24) and an adapter (23,25) so that process gas inflows via a number of gas injecting holes. Exhaust space (31) the type of which is slot is provided on an exhaust plate (30) attached to the front body (10) of the reactor to, be opposite to the gas injecting hole. The three exhaust holes are drilled under the exhaust space to be connected with an multiple branched exhaust tube (33) so that residual gas can be exhausted through the exhaust module.
Abstract translation: 气体注射器通过法兰（24）和适配器（23,25）设置在位于由阳极氧化铝或不锈钢构成的反应器（10）背面的槽部分（12）处，使得工艺气体流入 通过多个气体注入孔。 排气室（31）的类型设置在安装在反应器前体（10）上的与排气孔相对的排气板（30）上。 在排气室下方钻出三个排气孔以与多个分支排气管33连接，从而可以通过排气模块排出残留气体。
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公开(公告)号：KR1019920008041B1
公开(公告)日：1992-09-21
申请号：KR1019900007231
申请日：1990-05-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/477
Abstract: The infrared heater is used for activating semi-conductor base plate and forming thin insulation membrane (oxidized silicon or nitrided silicon) during the process of manufacturing integrated circuit. The heater comprises a plurality of infrared lamps (1) equidistantly arranged, a pure gold reflection mirror (4) for increasing the heating efficiency, a contact type socket (3) supporting the infrared lamp (1), one cooling water line (8) formed within the reflection mirror (4), another cooling water line (12) formed within an inner wall (11) of the heater, and compressed air discharge holes (10) equidistantly perforated on the lower part of an air supply plate (9). The infrared heater provides a precise adjustment of a heating period and a maximum temperature.
Abstract translation: 在制造集成电路的过程中，红外加热器用于激活半导体基板和形成薄绝缘膜（氧化硅或氮化硅）。 加热器包括多个等距布置的红外灯（1），用于提高加热效率的纯金反射镜（4），支撑红外灯（1）的接触型插座（3），一个冷却水管线（8） 形成在反射镜（4）内的另一冷却水管线（12），以及形成在加热器的内壁（11）内的另一个冷却水管线（12）以及在供气板（9）的下部等距地穿孔的压缩空气排出孔 。 红外加热器可以精确调节加热周期和最高温度。
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公开(公告)号：KR1019910020829A
公开(公告)日：1991-12-20
申请号：KR1019900007233
申请日：1990-05-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/285 , H01L21/324
Abstract: 내용 없음
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101168155B1
公开(公告)日：2012-07-24
申请号：KR1020080122151
申请日：2008-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B24B37/00 , B24B37/34 , H01L21/304
Abstract: 반도체 웨이퍼(wafer)와 같은 피 가공소재를 화학 기계적 폴리싱(chemical mechanical Polishing, CMP)을 통하여 연마하는 화학 기계적 연마장치가 제공된다.
상기 화학 기계적 연마장치는 그 구성 일 예로, 장치 베이스 상에 이동 가능하게 제공된 이동형 장치 프레임;과, 피 가공소재를 연마토록 상기 장치 프레임 사이에 회전 구동 가능하게 제공되는 피 가공소재 연마유닛; 및, 상기 장치 베이스 상에 상기 피 가공소재 연마유닛의 하측에 설치되고 상기 피 가공소재가 장착되는 피 가공소재 홀더유닛을 포함하여 구성될 수 있다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 기존 연마장치의 구조를 개선하여 반도체 웨이퍼와 같은 정밀 가공을 요하는 소재의 연마 평탄성과 정밀성을 부가하면서도, 소재 전체면으로 균일한 연마를 가능하게 하는 개선된 효과를 얻을 수 있다.
화학 기계적 폴리싱(CMP), 드럼형 CMP 장치, 웨이퍼 연마, 연마패드-
公开(公告)号：KR100928204B1
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：KR1020070128278
申请日：2007-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/107
Abstract: 본 발명은 실리콘 에피층을 이용한 CMOS 기반의 평판형(planar type)의 애벌란시 포토다이오드(Avalanche Photo-diode) 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 실리콘 에피층을 이용한 CMOS 기반의 평판형 애벌란시 포토 다이오드는 기판; 상기 기판내에 형성된 제1도전형의 웰(well)층; 저에너지 이온 주입 공정을 통해 상기 제1도전형의 웰층내부에 형성된 애벌란시(Avalanche) 매몰층; 상기 애벌란시 매몰층에 형성된 실리콘 에피층; 상기 제1도전형의 웰층의 일부 표면으로부터 상기 애벌란시 매몰층 사이에 형성되어 pn 접합(pn junction)을 형성하는 제1도전형과 반대 도전형인 제2도전형의 도핑영역; 상기 제2도전형의 도핑영역 및 상기 제2도전형의 도핑영역과 이격된 위치의 상기 제1도전형의 웰층위에 각각 형성된 양전극 및 음전극; 및 상기 양전극과 음전극이 형성될 창을 제외한 전면에 형성된 산화막;을 포함하여 이루어지는 것으로, 저에너지를 이용한 이온주입과 실리콘 에피층을 이용하여 격자 손상을 줄이고, 소자의 누설전류 특성을 개선하여 안정적인 항복전압을 얻음으로써 소자의 전기적 특성이 개선되는 효과가 있다.
애벌란시(avalanche), 포토다이오드Abstract translation: 一种使用硅外延层的基于互补金属氧化物半导体（CMOS）的平面型雪崩光电二极管（APD）和一种制造APD的方法，该光电二极管包括：衬底; 形成在衬底中的第一导电类型的阱层; 通过低能量离子注入形成在第一导电类型的阱层中的雪崩嵌入结; 在雪崩嵌入结中形成的硅外延层; 与所述第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂区域，所述掺杂区域由所述雪崩嵌入结中的所述第一导电类型的阱层的表面的一部分形成并形成p-n结; 分别形成在第二导电类型的掺杂区域上的正电极和负电极以及与第二导电类型的掺杂区域分离的第一导电类型的阱层; 以及形成在除了形成正电极和负电极的窗口之外的整个表面上的氧化物层。
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