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公开(公告)号：KR100696200B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020050096772
申请日：2005-10-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/133305 , G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L27/1281 , H01L27/3244 , H01L29/78603 , H01L51/52 , H01L51/5237 , H01L51/5253 , H01L2251/5338
Abstract: An active driving type display device and a method for manufacturing the same are provided to prevent the deformation of a plastic substrate even when an amorphous silicon layer is crystallized using various crystallizing apparatuses, by forming an absorption layer for absorbing light or heat between plural buffer layers. A first buffer layer(211) is formed on a substrate consisting of a plastic material, wherein the first buffer layer prevents the deformation of the substrate due to heat or light applied to the substrate. An absorption layer(212) is formed on the first buffer layer, and absorbs the heat or light. A second buffer layer(213) is formed on the absorption layer, wherein the second buffer layer prevents the light or heat from being transferred to the substrate. An active layer(221) is formed on the second buffer layer. A thin film transistor(220) is formed on the active layer, wherein the thin film transistor has a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode. A capacitor(230) and an organic electroluminescent element are electrically connected to the thin film transistor.
Abstract translation: 提供一种主动式驱动型显示装置及其制造方法，即使当使用各种结晶装置使非晶硅层结晶化时，也可以通过在多个缓冲层之间形成吸收光或热的吸收层来防止塑料基板的变形 。 在由塑料材料构成的基板上形成第一缓冲层（211），其中第一缓冲层防止由于施加到基板上的热或光引起的基板的变形。 在第一缓冲层上形成吸收层（212），吸收热量或光。 在吸收层上形成第二缓冲层（213），其中第二缓冲层防止光或热被转移到衬底。 在第二缓冲层上形成有源层（221）。 薄膜晶体管（220）形成在有源层上，其中薄膜晶体管具有栅电极，源电极和漏电极。 电容器（230）和有机电致发光元件电连接到薄膜晶体管。
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公开(公告)号：KR100558284B1
公开(公告)日：2006-03-10
申请号：KR1020030096039
申请日：2003-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L29/42384 , H01L29/66757
Abstract: 본 발명은 게이트 물질을 패터닝하여 게이트 전극을 형성하고 소오스/드레인 영역을 정의하는 공정에서 소오스/드레인 영역 상부의 게이트 물질은 부분적으로 잔류시켜, 결정화와 활성화를 동시에 수행하는 폴리실리콘층의 결정화/활성화 방법 및 이를 이용한 폴리실리콘 박막트랜지스터 제조 방법을 제공한다.
폴리실리콘, 박막 트랜지스터, 그레인, 레이저, 결정화, 활성화-
公开(公告)号：KR100504347B1
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：KR1020030097258
申请日：2003-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/268
CPC classification number: H01L21/0268 , H01L21/2026 , H01L21/268
Abstract: 본 발명은 순차측면 결정성장 방법으로 성장시킨 폴리실리콘 표면을 평탄화하는 방법에 관한 것으로, 기판 상에 소정 두께로 형성된 비정질 실리콘층을 폴리실리콘층으로 순차측면고상화 방법을 이용하여 결정화하는 단계와, 폴리실리콘층을 부분용융에서 완전용융으로 전환되는 에너지 밀도를 가지는 레이저를 이용하여 상기 폴리실리콘층을 평탄화하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의한 평탄화 공정을 사용하여 폴리실리콘 박막트랜지스터를 제작하면 소자의 전기적 특성이 향상될 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1020050066057A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：KR1020030097258
申请日：2003-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/268
CPC classification number: H01L21/0268 , H01L21/2026 , H01L21/268
Abstract: Provided is a method for planarizing a polysilicon surface grown by means of a sequential lateral solidification method, which comprises the steps of: crystallizing an amorphous silicon having a predetermined thickness formed on a substrate into the polysilicon layer by means of the sequential lateral solidification method; and planarizing the polysilicon layer by means of a laser having an energy density for converting partially melted polysilicon into fully melted polysilicon, so that electrical characteristics of element may be improved when the polysilicon thin film transistor is fabricated using the planarization process.
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公开(公告)号：KR1020050064567A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：KR1020030096039
申请日：2003-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L29/42384 , H01L29/66757
Abstract: Provided is a method of crystallizing/activating a polysilicon layer and a method of fabricating a thin film transistor having the same polysilicon layer, in which when a gate material is patterned to form a gate electrode and define source/drain regions, the gate material on source/drain regions partially remains, so that crystallizing and activating processes are performed at the same time.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102246469B1
公开(公告)日：2021-05-03
申请号：KR1020170092951
申请日：2017-07-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/155 , G02F1/1523 , G02F1/1506
Abstract: 본발명은가역전기화학거울을제공한다. 이가역전기화학거울은서로대향되는제 1 기판과제 2 기판; 상기제 1 기판상에배치되며상기제 2 기판에대향되는제 1 투명전극; 상기제 2 기판상에배치되며상기제 1 투명전극과대향되는제 2 투명전극; 상기제 1 투명전극과상기제 2 투명전극사이에개재되는전해질용액; 및상기제 2 투명전극상에배치되며상기전해질용액과접하는대향전극물질층을포함한다.
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公开(公告)号：KR101863968B1
公开(公告)日：2018-06-04
申请号：KR1020120059148
申请日：2012-06-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H02J17/00
CPC classification number: H02J50/12 , H02J17/00 , H02J50/00 , H02J50/40 , H02J50/80 , Y10T307/25 , Y10T307/297
Abstract: 본발명은, 에너지전송시스템에서무선에너지송수신장치및 그방법에관한것으로, 무선에너지신호를생성하는송신제어기; 상기무선에너지신호를제공하는송신공진체포트; 및상기송신공진체포트를통해제공된무선에너지신호를복수의수신장치들로송신하는송신공진체를포함하며, 상기송신제어기는상기복수의수신장치들의전송특성을고려하여상기복수의수신장치들의수신공진체포트들각각의임피던스를제어하기위한임피던스제어신호를송신한다.
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公开(公告)号：KR101813147B1
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：KR1020150161211
申请日：2015-11-17
IPC: G09G3/20
Abstract: 홀로그래픽표시장치는광을출사하는광원부, 게이트라인및 데이터라인과연결된화소를포함하며, 상기광원부에서출사된광을변조하여홀로그램영상을출력하는공간광 변조기, 및상기공간광 변조기를제어하는공간광 변조기제어부를포함하고, 상기공간광 변조기제어부는신호라인에데이터전압을제공하는데이터구동부, 상기신호라인과연결되며순차적으로턴-온되는복수의스위칭소자들을포함하고, 상기복수의스위칭소자들중 턴-온된 스위칭소자를통해전달라인에상기데이터전압을전달하는디먹스부, 및상기전달라인과상기데이터라인사이에연결되며, 상기전달라인으로부터상기데이터라인으로흐르는전류를통과시키고, 상기데이터라인으로부터상기전달라인으로흐르는전류를차단하는제1 소자를포함한다.
Abstract translation: 全息显示装置，包括一个光源，一个栅极线和连接到所述数据线，用于发射光，空间用于控制空间光调制器的像素，并且用于通过调制从光源发射的光输出的全息图图像的空间光调制器 其中空间光调制器控制单元包括用于向信号线提供数据电压的数据驱动器，连接到信号线并顺序导通的多个开关元件，并且多个开关元件 所述的导通连接ondoen解复用器模块，该传输线和所述数据线将数据电压传输到经由开关元件的传输线，以及使从所述输送线在数据线中流动的电流，该数据之间 第一个元件用于阻断从线路流向传输线路的电流。
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