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公开(公告)号：KR100171376B1
公开(公告)日：1999-03-30
申请号：KR1019950052670
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 인듐갈륨아세나이츠의 PN 접합구조의 형성방법에 관한것으로 특히, 사전 열분해 공정을 거치지 않은 V 족 화합물의 원료 기체와 사전열분해 공정을 거친 Ⅲ 족의 화합물을 원료기체로 하여 N 형 전도특성을 갖는 인듐갈륨아세나이드와 P 형의 전기전도도를 나타내는 InGaAs 를 성장온도의 조절만으로 형성하는 방법에 관한것이다.
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公开(公告)号：KR1019980043447A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960061305
申请日：1996-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/20
Abstract: 본 발명은 불활성기체의 저에너지 이온 빔을 이용하여 GaAs 등의 화합물 반도체 및 Si 등의 반도체 박막을 낮은 성장온도에서 기판의 국부적인 영역에만 선택적으로 성장하는 방법에 관한 것으로서, 종래 기술에서 고온 공정이 수반되는 불순물의 확산, 계면에서의 물질확산, 비균형 열 팽창에 따르는 결함이 발생했던 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 기판 위에 소정 패턴의 유전체 마스크를 형성한 후, 그 결과물 전면에 불활성 기체의 저에너지 이온을 원료물질과 동시에 공급하여 상기 유전체 마스크가 형성되지 않은 부분에 반도체 박막을 형성하는 공정을 수행함으로써, 공정을 단순화할 수 있고, 공정을 일괄적으로 수행함으로써 특성이 우수한 소자를 제작할 수 있는 것이다.
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公开(公告)号：KR100141254B1
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019930029090
申请日：1993-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/34
Abstract: 본 발명은 반도체레이저장치에 있어서 화합물반도체기판상에 GaAs 버퍼층을 성장시킬 때 생성되는 V자의 홈을 이용하여 GaAs/AlGaAs 양자우물과 양자점을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 그 방법은 GaAs기판(10)상에 소정의 온도에서 GaAs버퍼층(20)을 성장하여 상기 버퍼층(20)의 표면에 결정방향이 (111)의 면을 갖는 V자형상의 사각형 홈(21)을 형성하는 공정과, 상기 버퍼층(20)상에 상기 소정 온도보다 상대적으로 낮은 온도에서 AlGaAs장벽층(30)을 형성하는 공정과, 상기 장벽층(30)상에 GaAs활성층(40)을 형성하되, 상기 GaAs활성층은 결정방향이 (100)의 면에서보다 (111)의 면에서 빠른 속도로 형성되어 양자우물(41)과 양자점(42)이 동시에 형성되게 하는 공정과, 상기 활성층(40)상에 AlGaAs장벽층(50)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1019950020987A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930029092
申请日：1993-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 반도체기판(10)상에 에피택셜층을 형성하는 방법에 있어서, 그 방법은 상기 반도체기판(10)상에 규소원자로서의 제1원자와 제2원자를 포함하는 분자층(20)을 형성하는 공정과, 상기 분자층(20)을 전자빔에 의해서 상기 제1원자와 제2원자로 분해하는공정과, 상기 분해된 상기 제2원자는 제거하고 상기 제1원자만이 상기 기판의 표면에 흡착되게 하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하여, 그 선폭을 하나의 원자직경까지 할수있고 그 두께는 하나의 원자층의 두께까지할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020030074937A
公开(公告)日：2003-09-22
申请号：KR1020020013936
申请日：2002-03-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/183
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an intracavity-contacted VCSEL including selective upper mirror layer growth is provided to simplify a heat emission path and a current injection path by using a selective region growth method. CONSTITUTION: A lower mirror layer(200), a laser resonance layer(300), a current injection hole forming layer, and an intracavity-contacted layer are sequentially grown on a substrate(100). An intracavity-contacted layer pattern(500) is formed by wet-etching the current injection hole forming layer. A mask pattern(600) is formed on the intracavity-contacted layer pattern(500). An upper mirror layer(250) is formed on an upper surface of the intracavity-contacted layer pattern(500). The first electrode(700) is formed on the intracavity-contacted layer pattern(500). The second electrode(750) is formed on a back surface of the substrate(100).
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造包括选择性上镜层生长的腔内接触VCSEL的方法，以通过使用选择性区域生长方法简化热发射路径和电流注入路径。 构成：在基板（100）上依次生长下镜面（200），激光谐振层（300），电流注入孔形成层和腔内接触层。 通过湿蚀刻电流注入孔形成层形成腔内接触层图案（500）。 在腔内接触层图案（500）上形成掩模图案（600）。 在腔内接触层图案（500）的上表面上形成上镜层（250）。 第一电极（700）形成在腔内接触层图案（500）上。 第二电极（750）形成在基板（100）的背面上。
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公开(公告)号：KR1019990042428A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970063248
申请日：1997-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 인듐갈륨비소(InGaAs)/갈륨비소(GaAs) 양자세선(quantum wire)을 수직으로 적층(積層)시켜 양자효율을 증대시킬 수 있는 양자세선 구조를 제공한다. 본 발명에 의한 양자세선의 제조방법에 따르면 V-홈이 형성된 갈륨비소 기판상의 하부부분이 날카로운 형태를 가지는 V-홈이 형성되는 공정 조건으로 갈륨비소 장벽층을 형성하고, 그 위에 하부부분이 둥근 형태를 가지는 V-홈이 형성되는 공정조건으로 인듐갈륨비소 활성층을 복수회 교대로 성장하여 양자 세선을 제조한다. 이와 같은 방법에 의한 인듐갈륨비소(InGaAs)/갈륨비소(GaAs)의 적층 구조로 형성되는 양자 세선은 격자 부정합에 의한 스트레인 (strain)을 가지는 구조로서 양자세선 레이저 제작시 스트레인 효과에 의해 우수한 특성을 나타낸다.
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公开(公告)号：KR1019990024760A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970046100
申请日：1997-09-08
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 양자세선 제조 방법에 관한 것으로, 특히 알루미늄비소(AlAs)층과 갈륨비소(GaAs)층이 교대로 적층된 구조에서 갈륨비소(GaAs)층에 V자형 홈을 만들고, 이를 이용하여 양자세선을 제조하는 방법에 관한 것이다.
양자세선의 제조는 전자빔 리소그라피법으로 형성된, 양자 효과를 가지는 서브 마이크로미터 이하 크기의 패턴을 이용한 방법으로 제조된다. 그러나 전자빔의 크기에 대한 한계와 리소그라피 공정에서 발생하는 결함으로 인해 양자 효율을 떨어뜨릴 뿐아니라, 제조 공정 상의 안정성, 재현성 및 고가의 비용이 문제시 되고 있다.
본 발명에서는 갈륨비소(GaAs) 기판을 이용하여 알루미늄비소(AlAs)층과 갈륨비소(GaAs)층을 교대로 성장시키고, 알루미늄(Al)의 자연 물성인 안정된 산화막을 이용하여 수 나노미터 크기의 마스크를 형성함으로써 갈륨비소(GaAs)층에 V자형 홈을 만들어, 저비용으로 고효율의 양자세선을 제조하는 방법을 제시한다.-
公开(公告)号：KR1019980021302A
公开(公告)日：1998-06-25
申请号：KR1019960040114
申请日：1996-09-16
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 고밀도 양자 세선 제조 방법에 관한 것으로, 리소그라피와 식각 기술을 이용하여 도브-테일(Dove-tail) 형태의 기판을 제작하고, 완충층과 제1장벽층을 균일하게 형성한 후 3원 화합물 이상의 반도체 또는 2원 화합물 이하의 반도체를 이용하여 우물층을 형성하고, 제2장벽층을 형성하므로써 양자 세선을 이용한 고효율 저전류의 레이져를 제작할 수 있고, 고응답 소자 제작 및 상온에서 안정되게 작동하는 양자 소자의 제작에 응용할 수 있을 뿐 아니라 종래의 기술 및 설비의 변경없이 제조할 수 있으므로 경제적인 측면이나 기술적인 측면에서 부가가치를 높일 수 있는 고밀도 양자 소자 제조 방법이 개시된다.
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