公开(公告)号：KR1020130031771A

公开(公告)日：2013-03-29

申请号：KR1020120062664

申请日：2012-06-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 안호균 ,  임종원 ,  배성범 ,  고상춘 ,  박영락 ,  장우진 ,  문재경 ,  남은수 ,  김정진 ,  주철원

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/778

Abstract: PURPOSE: A field effect transistor and a method for fabrication the same are provided to improve productivity and stability by not using a lithography process. CONSTITUTION: An active layer(31), a cap layer(32), an ohmic metal layer(33) and an insulating layer(34) are formed on a substrate(30). An insulating layer is etched by using a photoresist pattern as an etching mask. A metal is deposited on a gate recess region(37c) and the insulating layer to form a gate-electric field electrode layer(39).

Abstract translation: 目的：提供场效应晶体管及其制造方法，以通过不使用光刻工艺来提高生产率和稳定性。 构成：在基板（30）上形成有源层（31），盖层（32），欧姆金属层（33）和绝缘层（34）。 通过使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻绝缘层。 金属沉积在栅极凹部区域（37c）和绝缘层上以形成栅极 - 电场电极层（39）。