公开(公告)号：KR101725112B1

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：KR1020100127787

申请日：2010-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 서동우 ,  김성복 ,  류호준

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/068 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78696 ,  Y10S977/762

Abstract: 반도체소자및 이를제조하는방법을제공한다. 반도체소자는, 제1 상부면, 제1 상부면보다낮은제2 상부면과, 제1 및제2 상부면사이의제1 수직면을포함하는기판, 제1 상부면에형성된제1 소스/드레인영역, 수직면으로부터, 수직면과수직인방향으로제2 상부면과이격되어연장하는제1 나노와이어, 제1 나노와이어의일 측면으로부터, 제1 나노와이어의연장방향과동일한방향으로제2 상부면과이격되어연장하고제2 불순물영역을포함하는제2 나노와이어, 제1 나노와이어상에배치되는게이트전극, 그리고, 제1 나노와이어및 게이트전극사이에개재되는유전체막을포함한다.

Abstract translation: 提供了一种半导体器件及其制造方法。 半导体元件，所述第一顶表面，第一上比棉降低第二顶表面，第一mitje第二基板，包括所述上表面之间的第一垂直平面中，第一源极/漏极形成在所述第一顶表面上的区域，一个垂直表面 从第二顶表面和间隔开的延伸的第一纳米线，从一个第一纳米线，在作为导线的延伸方向与所述第二顶表面垂直于所述方向上分离的垂直平面相同的方向上的第一延伸部处的一个侧 第二纳米线，包括第二杂质区，布置在第一纳米线上的栅电极以及介于第一纳米线和栅电极之间的介电膜。

公开(公告)号：KR1020160069480A

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：KR1020150172628

申请日：2015-12-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이규성 ,  서동우

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033

Abstract: 나노와이어패턴의제조방법은기판을제공하는것, 기판상에기판의상면의일부를덮는마스크패턴을형성하는것, 기판상에기판의상면및 마스크패턴의상면을덮는시드(seed) 막을형성하는것, 시드막을건조및 어닐링하여, 기판의상면의잔부에시드액적들(droplet)을형성하는것, 시드액적들(droplet)의각각의하면과기판의상면사이에나노와이어를형성하는것을포함하되, 나노와이어를형성하는것은시드액적들을촉매로이용하는 VLS(vapor liquid solid) 법을통해형성하는것을포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及通过使用气 - 液 - 固体法（VLS）制造纳米线图案的方法。 纳米线图案的制造方法包括：提供基板; 在所述基板上形成掩模图案以覆盖所述基板的顶表面的一部分; 在所述基板上形成种子层以覆盖所述基板的顶表面和所述掩模图案的顶表面; 通过对晶种层进行干燥和退火，在基板顶表面的其余部分上形成种子液滴; 并且在每个种子液滴的底表面和基底的顶表面之间形成纳米线。 形成纳米线通过使用种子液滴作为催化剂的气液固化方法实现。

公开(公告)号：KR1020150064780A

公开(公告)日：2015-06-12

申请号：KR1020130149225

申请日：2013-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 서동우 ,  루웨이 ,  전린 ,  김용준

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/328

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/413 ,  H01L29/66212

Abstract: 본발명은쇼트키다이오드및 그의제조방법을개시한다. 쇼트키다이오드는, 기판과, 상기기판상의코어와, 상기코어상의금속층과, 상기금속층 및상기기판사이의상기코어를둘러싸고, 상기코어와상기금속층 사이에쇼트키접합을형성토록상기코어의페르미에너지준위를조절하는쉘을포함한다.

Abstract translation: 在本发明中，公开了一种肖特基二极管及其制造方法。 肖特基二极管包括衬底，形成在衬底上的芯，形成在芯上的金属层和围绕金属层和衬底之间的芯的壳，并且将芯的费米能级控制到 在芯和金属层之间形成肖特基结。

公开(公告)号：KR1020100046381A

公开(公告)日：2010-05-07

申请号：KR1020080105199

申请日：2008-10-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 서동우 ,  김상훈 ,  김경옥 ,  주지호

IPC: H01L31/028 ,  H01L27/04 ,  H01L31/18 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/028 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L31/103 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: PURPOSE: In germanium light detector and a method of formation thereof is the low vacuum state, the germanium epitaxial layer is formed without the buffer layer and annealing process. The substrate and process cost relatively offer the cheap germanium light detector. CONSTITUTION: A first doped layer(110) is formed on the substrate(100). An amorphous germanium layer(121) is formed on the first doped layer. The amorphous germanium layer is crystallized in the warming process. The germanium epitaxial layer(130) is formed on the crystallized germanium layer as described above. The second doped layer is formed on the germanium epitaxial layer.

Abstract translation: 目的：在锗光检测器中，其形成方法为低真空状态，锗外延层形成无缓冲层和退火过程。 基板和工艺成本相对提供便宜的锗光检测器。 构成：在衬底（100）上形成第一掺杂层（110）。 在第一掺杂层上形成无定形锗层（121）。 无定形锗层在加热过程中结晶。 如上所述，在结晶的锗层上形成锗外延层（130）。 第二掺杂层形成在锗外延层上。

公开(公告)号：KR100937587B1

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：KR1020070129770

申请日：2007-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  전북대학교산학협력단

Inventor： 서동우 ,  김경옥 ,  심규환 ,  최아람 ,  최상식

IPC: H01L31/10

Abstract: 광 감지 소자 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 소자는 반도체 기판 내에 형성되고, 상부면의 중앙부에 리세스된 영역을 갖는 제1 도핑된 반도체층을 포함한다. 리세스 영역의 내면 상에 제1 진성 반도체층 및 다중 양자 우물층이 차례로 적층된다. 다중 양자 우물층 상에 제2 진성 반도체층이 배치되고, 제2 진성 반도체층 상에 제2 도핑된 반도체층이 배치된다. 제2 도핑된 반도체층은 제1 도핑된 반도체층과 다른 타입의 도펀트로 도핑된다.

公开(公告)号：KR100927661B1

公开(公告)日：2009-11-20

申请号：KR1020070111912

申请日：2007-11-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 서동우 ,  김경옥 ,  김상훈

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L31/028 ,  H01L31/1812 ,  Y02E10/547

Abstract: 광신호를 전기적 신호로 변환시키는 수광 소자를 제공한다. 이 수광 소자는 차례로 적층된 복수의 반도체층들 및 반도체층들내에 각각 형성된 광전변환부들을 포함한다. 광전변환부들은 서로 다른 분광 감도를 가진다. 인접한 반도체층들 사이에 버퍼층이 배치된다. 버퍼층은 인접한 반도체층들간 스트레를 완화시킨다. 이 수광 소자는 외부광에 혼합된 서로 다른 파장을 가는 서브 광들의 강도들을 검출할 수 있으며, 또한, 버퍼층으로 인하여 반도체층들간의 스트레스를 완화시켜 우수한 특성의 수광 소자를 구현할 수 있다.

Abstract translation: 提供了将光信号转换成电信号的光电检测器。 该光电检测器包括：多个半导体层，顺序堆叠在衬底上; 多个光电转换单元，分别形成在所述半导体层中，并且具有彼此不同的光谱灵敏度; 以及分别介于相邻半导体层之间的缓冲层。 每个缓冲层减轻了相邻半导体层之间的应力。

公开(公告)号：KR1020060064471A

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：KR1020050048398

申请日：2005-06-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 류호준 ,  유용구 ,  정우석 ,  서동우 ,  백문철 ,  강광용

IPC: G11B7/26

Abstract: 초소형 광디스크의 보호층 형성에 이용되는 지그 및 이를 이용한 보호층 형성 방법을 제공한다. 본 발명에 이용되는 지그는 바디와, 상기 바디 내에 일정 깊이로 광디스크 원판이 장착되는 원통 형태의 월(wall)을 포함한다. 상기 원통 형태의 월의 중심부에는 광디스크 원판의 중심홀과 결합될 수 있는 핀이 위치한다. 이렇게 지그를 이용하여 보호층을 형성할 경우, 제조 공정이 간단하고 균일하게 보호층을 형성함으로써 광디스크의 제조비용을 크게 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100584703B1

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020030097063

申请日：2003-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 백문철 ,  손영준 ,  서동우 ,  류호준 ,  표현봉 ,  박용우

IPC: G02B6/34

CPC classification number: G11B7/1353 ,  G02B6/124

Abstract: 본 발명은 평면 격자렌즈에 관한 것으로, 기판 위에 형성된 클래드층 및 코어층을 포함하여 구성되며 입사되는 레이저 광을 단일모드로 유지하는 광도파로와, 코어층 상부의 일정영역에 소정 길이의 격자 간격을 갖도록 형성되는 격자렌즈를 구비하되, 광도파로로 입사된 광은 격자렌즈의 수직방향으로 초점을 형성하도록 구성한다. 본 평면 격자렌즈를 이용하면, 모바일 광디스크 용 초소형 픽업 헤드에 사용할 수 있도록 한다.
모바일 광디스크, 초소형 격자렌즈, 단파장 레이저, 광픽업 헤드, 광도파로

公开(公告)号：KR100537938B1

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：KR1020030088261

申请日：2003-12-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 백문철 ,  서동우 ,  류호준 ,  표현봉 ,  박용우

IPC: G02B3/00

CPC classification number: G11B7/263 ,  B29C59/022 ,  B29C2059/023 ,  B29D17/005 ,  B29L2011/00 ,  G02B5/1809 ,  G11B7/261

Abstract: 본 발명은 모바일 광 디스크용 초소형 픽업 헤드에 사용할 수 있는 마이크로 격자렌즈의 제작 방법에 관한 것으로, 전자선 묘화법으로 금형 마스터를 제작하고, 금형 마스터를 이용하여 반전 복제물인 스탬퍼를 가공한다. 그리고 상기 스탬퍼를 이용한 압착 및 이방성 식각 공정으로 실리콘 질화막 등에 격자렌즈를 가공한다. 따라서 본 발명을 적용하면 간단한 공정과 적은 비용으로 픽업 헤드의 무게와 부피를 크게 줄일 수 있으며, 대량 생산이 가능하고, 반도체 칩 크기의 격자렌즈 제작이 가능해진다.

公开(公告)号：KR100499252B1

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：KR1020020080550

申请日：2002-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 서동우 ,  류호준 ,  손영준 ,  박용우 ,  백문철

IPC: G11B11/10

CPC classification number: G11B11/10582 ,  G11B11/10584 ,  G11B11/10591

Abstract: 본 발명에 따른 서브층을 구비한 광자기 기록매체의 기록층은, 정보가 기록되고 저장되는 기록층; 및 상기 기록층의 상부 또는 하부에 천이금속을 포함한 합금으로 형성된 서브층; 을 포함하되, 상기 서브층의 자기 이방성 에너지가 상기 기록층에 교환 결합됨으로써 상기 기록층의 보자력이 향상되는 것을 특징으로 한다. 상기 서브층은 하나의 층으로 이루어진 단일 박막 구조를 구비할 수도 있으며, 필요에 따라 복수개의 층으로 형성된 다중 박막(multilayer) 구조를 구비할 수 도 있다. 보다 바람직하게는 상기 서브층은 상기 기록층에 사용된 천이 금속을 포함하는 합금으로 이루어진다. 본 발명에 따르면, 기록층과 이에 인접한 서브층 사이의 교환 결합 효과에 의해 기록층의 보자력이 증가됨으로써, 기록층 자구의 안정성이 향상되므로, 자구의 크기를 크게 줄일 수 있어서, 기록밀도의 향상이 가능하다.